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公开(公告)号:CN106129257A
公开(公告)日:2016-11-16
申请号:CN201610761443.1
申请日:2016-08-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法,所述钙钛矿薄膜光电晶体管包括:覆盖有二氧化硅的硅衬底,所述硅衬底上表面的中间部分覆盖有金属氧化物层,所述金属氧化物层上的两端镀有源漏金属电极,中间为有机无机杂化钙钛矿层,所述硅衬底的上方设有一层钝化层,所述的钝化层将所述金属氧化层、所述有机无机杂化钙钛矿材料层全部覆盖。本发明可以将金属氧化物半导体与有机无机杂化钙钛矿相结合,并且制备工艺简单,器件成功率高,具有响应快速、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号:CN105098082A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510485940.9
申请日:2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/42 , H01L51/0002
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述方法包括:在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层;采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层;在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层;在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果:利用超声喷涂方法制备,可以提高原料使用率,降低生产成本,实现大面积生产。
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公开(公告)号:CN106129257B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201610761443.1
申请日:2016-08-30
Applicant: 北京大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿薄膜光电晶体管及其制备方法,所述钙钛矿薄膜光电晶体管包括:覆盖有二氧化硅的硅衬底,所述硅衬底上表面的中间部分覆盖有金属氧化物层,所述金属氧化物层上的两端镀有源漏金属电极,中间为有机无机杂化钙钛矿层,所述硅衬底的上方设有一层钝化层,所述的钝化层将所述金属氧化层、所述有机无机杂化钙钛矿材料层全部覆盖。本发明可以将金属氧化物半导体与有机无机杂化钙钛矿相结合,并且制备工艺简单,器件成功率高,具有响应快速、宽光谱光探测的极大潜力。
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公开(公告)号:CN105098082B
公开(公告)日:2018-01-05
申请号:CN201510485940.9
申请日:2015-08-10
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例提供一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述方法包括:在氧化铟锡ITO导电玻璃上沉积p型有机导电层;采用超声喷涂方法在p型有机导电层上沉积一层有机无机杂化钙钛矿结构的CH3NH3PbI3层;在CH3NH3PbI3层上沉积n型有机导电层;在n型有机导电层上沉积金属电极层。上述技术方案具有如下有益效果:利用超声喷涂方法制备,可以提高原料使用率,降低生产成本,实现大面积生产。
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