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公开(公告)号：CN111161164B
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 豪威触控与显示科技(深圳)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN111161164A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911250157.9
申请日：2019-12-09
Applicant: 吉迪思电子科技(上海)有限公司 , 北京大学软件与微电子学院
IPC: G06T5/00 , G09G3/3225
Abstract: 本申请公开了一种图像处理装置、方法及显示装置。该图像处理装置包括：第一处理器，将初始图像数据划分为多组子图像数据；特征提取器，具有多个特征提取模块，分别接收多组子图像数据中的一组，根据子图像数据和前级输出数据获得子图像数据的平均翻转次数和量化值；第二处理器，具有多个处理模块，分别根据平均翻转次数和量化值获得对各组子图像数据进行抑制处理，以获得当前输出数据，第二处理器将多个处理模块输出的多个当前输出数据合并为输出图像数据，输出图像数据翻转次数不大于初始图像数据的翻转次数。该图像处理装置抑制了输出图像数据的翻转次数，降低了后级系统的整体功耗。
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公开(公告)号：CN103515445A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210202201.0
申请日：2012-06-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/227 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102915703A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425355.6
申请日：2012-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以及OLED与旁路电路并联，使得流过OLED的电流完全由数据电压决定，而与第一晶体管的阈值电压无关。本发明在不过多增加晶体管、电容及控制线的数量的同时，使得流经OLED的电流完全依赖于数据线的数据电压，能够精确地实现阈值电压补偿以保持显示亮度的均匀恒定，有利于提高开口率及显示分辨率，并且提高了抑制阈值电压分布不均匀的能力。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。
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公开(公告)号：CN102890910A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210389785.7
申请日：2012-10-15
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种同异步双栅TFT-OLED像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、存储电容和发光二极管；其中，第一晶体管为同步双栅薄膜晶体管，第二晶体管为异步双栅薄膜晶体管。本发明的像素驱动电路只在传统的2T1C电路的基础上引入一同步双栅结构和异步双栅结构，增加一预充电电压及一条反馈线，既有效增加了存储电容在非选通阶段对数据电压的保持效果，又有效地实现了驱动晶体管的阈值电压补偿，从而确保了显示器发光亮度的均匀性与稳定性。相比于大部分为实现数据保持和阈值补偿而采用的像素驱动电路，节省了晶体管、电容及控制线，大大简化了电路结构，从而提高了开口率和分辨率并降低了实现成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637742A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210127626.X
申请日：2012-04-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。本发明采用射频磁控溅射方法形成两层AlZnO薄膜材料作为有源区，且该两层AlZnO薄膜的氧离子含量不同。本发明氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率，而且本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN102522337B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110423372.1
申请日：2011-12-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明在顶栅氧化锌薄膜晶体管的制备过程中，将沟道区、栅介质层和栅电极层一起剥离，工艺步骤简单，且沟道层、栅绝缘介质层和栅电极层这三层是在真空条件下连续生长的，节约制造成本，且减小了空气、灰尘等外界杂质对各层薄膜的污染，有效提高氧化锌薄膜晶体管器件的性能。
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公开(公告)号：CN102593008A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210050309.2
申请日：2012-02-29
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/34
Abstract: 本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。
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公开(公告)号：CN103515236A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210213660.9
申请日：2012-06-25
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/02521 , H01L21/02631 , H01L29/227
Abstract: 本发明公开了一种在柔性衬底上的薄膜晶体管的制备方法。本发明在柔性塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺铝的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺铝的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。同时，氧化锌铝薄膜是环保材料，工艺简单，具有广泛的应用前景。而且，本发明采用同时制备绝缘栅介质层和半导体沟道层的制备方法，简化了制备工艺，并且有效的改进了柔性衬底上薄膜之间的界面态，提高了器件性能，同时降低了制作成本低，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN102437059B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110401730.9
申请日：2011-12-06
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。
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