公开(公告)号：CN104681622A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201310613115.3

申请日：2013-11-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  丛瑛瑛 ,  黄福青 ,  单东方 ,  张索明 ,  田宇 ,  王漪 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/786 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法。本发明的非晶氧化锌基薄膜晶体管包括：衬底、栅电极、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极；其中，沟道层的材料采用掺铝锡的氧化锌半导体材料，氧化铝含量为3%～9%（质量），氧化锡含量为3%～50%（质量）。本发明制备的ATZO半导体薄膜晶粒尺寸在10nm左右，且分布均匀，属于纳米晶体氧化物半导体。这种工艺方法具有步骤简单，制造成本低廉，均匀性好，用于低温工艺，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件包括迁移率、开关比、阈值电压、亚阈摆幅率等方面的性能，适用于透明显示和柔性显示技术等优点。

公开(公告)号：CN103050544A

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN201310018388.3

申请日：2013-01-17

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  张索明 ,  田宇 ,  单东方 ,  黄福青 ,  丛瑛瑛 ,  王漪 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明公开了一种底栅薄膜晶体管及其制备方法。本发明在玻璃或者塑料的衬底上制备薄膜晶体管，采用掺镓的氧化锌半导体材料作为透明半导体导电的沟道层，在制备过程中采用独特工艺加入适量的氧气使掺镓的氧化锌呈现出半导体特性，并且显示出高迁移特性，有效的提高了薄膜晶体管的性能。本发明的制备方法步骤简单，制备成本低，对提高薄膜晶体管器件的性能具有积极效果，改善了器件性能，降低了制备成本。同时，氧化锌镓薄膜是环保材料，工艺简单，制备成本低，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102915703A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201210425355.6

申请日：2012-10-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  蔡剑 ,  王龙彦 ,  刘盖 ,  王亮亮 ,  马建忠 ,  丛瑛瑛 ,  张翼 ,  田宇 ,  张索明 ,  单东方 ,  黄福青 ,  王漪 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: G09G3/32

Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以及OLED与旁路电路并联，使得流过OLED的电流完全由数据电压决定，而与第一晶体管的阈值电压无关。本发明在不过多增加晶体管、电容及控制线的数量的同时，使得流经OLED的电流完全依赖于数据线的数据电压，能够精确地实现阈值电压补偿以保持显示亮度的均匀恒定，有利于提高开口率及显示分辨率，并且提高了抑制阈值电压分布不均匀的能力。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。