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公开(公告)号：CN116429667A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310459771.6
申请日：2023-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种单细胞在线延长裂解质谱流式分析方法。将细胞悬浮液样品注入分离毛细管，其前段呈螺旋缠绕状实现细胞单分散，后段的一部分位于超声装置中实现在线超声裂解，获得局域化的单细胞裂解内容物，内容物溶液逐步进入非接触式电喷雾喷针中实现离子化，最终进入质谱检测器进行检测。同时可结合等离子体发生装置提高弱极性化合物的分析覆盖度。该方法能够实现较高通量、高代谢物覆盖度的单细胞分析，借助延长的单细胞检测窗口，能够实现高分辨率下代谢物一级质荷比信息的采集以及二级结构的鉴定，包括位置异构体的定性定量分析，从而在细胞鉴定、细胞分型、差异性物质研究、肿瘤诊断和生物标志物挖掘等领域都具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN107634935A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710686348.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04L29/06 , H04N21/266
Abstract: 一种NDN和IP融合网络的内容管控方法及装置。捕获TCP/IP网络中的客户端发出的请求包；对该请求包进行应用层协议的深度报文分析，当判断该请求包是符合第一类目标站点的请求报文，则根据预先建立的命名映射表，确定替换内容的命名；根据替换内容的命名和该请求包在TCP/IP网络下所请求内容，生成NDN协议格式的兴趣包，并转发到NDN网络中；获取所述NDN协议格式的兴趣包被转发到NDN网络后所返回的NDN协议格式的数据包；将所述NDN协议格式的数据包转换成IP协议格式的数据包，并返回给所述TCP/IP网络下的客户端。本发明实现了内容粒度级别的内容管控，可以对内容进行修改或替换，再返回给用户，这在传统TCP/IP网络是无法做到的。
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公开(公告)号：CN119746835A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411870354.1
申请日：2024-12-18
IPC: B01J20/30 , C08G77/18 , B01J20/22 , B01J20/28 , G01N33/574 , G01N27/626 , G01N1/40
Abstract: 本发明公开了一种用于捕获外泌体的碗状纳米复合材料及其制备方法和应用，首先通过硬模板法和溶胶‑凝胶法结合的方法制备介孔有机硅碗状纳米材料MONB，然后进行铂纳米颗粒的原位沉积，链霉亲和素的偶联，得到用于外泌体捕获的纳米复合材料SA@Pt‑MONB。将生物素标记的外泌体与SA@Pt‑MONB混合并共孵育，实现外泌体的捕获，进一步对捕获的外泌体进行质谱分析，能够获得与疾病相关的外泌体代谢标志物，可用于癌症的诊断。本发明提供的纳米复合材料具有特殊的碗状形貌，高比表面积和紫外吸收能力，能够高效、便捷的实现连续的外泌体捕获和代谢物分析，具有广泛的临床应用潜力，特别是在疾病诊断和预后评估中。
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公开(公告)号：CN104218074A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410471771.9
申请日：2014-09-16
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/24 , H01L29/04 , H01L21/363 , H01L21/443 , H01L29/786 , H01L21/34
CPC classification number: H01L21/02565 , H01L29/66742 , H01L29/78693
Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的氧化锌铝非晶半导体薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该非晶半导体薄膜中的锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。本发明采用射频磁控溅射方法制备掺杂稀土元素的氧化锌铝薄膜材料，在溅射过程中调节氧气氛的分压比形成具有非晶特性的高迁移率的沟道材料。本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，可制备出高迁移率的稀土掺杂氧化物半导体薄膜晶体管，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。
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公开(公告)号：CN102136022A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110102761.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105070762A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510430849.7
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/34
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/0684 , H01L29/42364 , H01L29/42368 , H01L29/42384 , H01L29/66969
Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN104716195A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201510111273.8
申请日：2015-03-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/43
Abstract: 一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利用溅射技术制备掺钼氧化锌薄膜，通过调节掺钼的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压来改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有工艺简单，制作成本低，低温，适用于透明显示技术和柔性显示技术等优点。
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公开(公告)号：CN104241393A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410428650.6
申请日：2014-08-27
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78642 , H01L29/66742 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供了一种玻璃衬底或者塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法，属于半导体行业、平板显示领域。该薄膜晶体管采用氧化锌锡/氧化铟锡/氧化锌锡三层沟道，可有效提高薄膜晶体管的性能，降低了工业制造成本，使制备工艺更加绿色环保。而且本发明器件显示出优良的电学和光学特性，进一步说明该晶体管能运用于可穿戴电子产品等柔性显示技术。
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公开(公告)号：CN107634935B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201710686348.4
申请日：2017-08-11
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H04L29/06 , H04N21/266
Abstract: 一种NDN和IP融合网络的内容管控方法及装置。捕获TCP/IP网络中的客户端发出的请求包；对该请求包进行应用层协议的深度报文分析，当判断该请求包是符合第一类目标站点的请求报文，则根据预先建立的命名映射表，确定替换内容的命名；根据替换内容的命名和该请求包在TCP/IP网络下所请求内容，生成NDN协议格式的兴趣包，并转发到NDN网络中；获取所述NDN协议格式的兴趣包被转发到NDN网络后所返回的NDN协议格式的数据包；将所述NDN协议格式的数据包转换成IP协议格式的数据包，并返回给所述TCP/IP网络下的客户端。本发明实现了内容粒度级别的内容管控，可以对内容进行修改或替换，再返回给用户，这在传统TCP/IP网络是无法做到的。
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公开(公告)号：CN105070762B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510430849.7
申请日：2015-07-21
Applicant: 北京大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。
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