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公开(公告)号：CN105096817A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410227916.0
申请日：2014-05-27
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G3/3291 , G09G2300/043 , G09G2300/0439 , G09G2300/0819 , G09G2300/0852 , G09G2300/0861 , G09G2310/08 , G09G2320/043
Abstract: 本申请公开了一种像素电路，包括：第一电容、第二电容、第二晶体管、第三晶体管以及用于耦合在第一公共电极和第二公共电极之间的发光支路。发光支路包括串联的第一晶体管、第四晶体管和发光元件；第一晶体管的第一极耦合至第四晶体管的第二极，耦合节点为第三节点；第四晶体管的控制极用于输入第二扫描控制信号，第四晶体管响应第二扫描控制信号切换发光支路导通和断开的状态。在编程阶段，将第一晶体管的阈值电压通过第三晶体管输入至第一节点并存储；在发光阶段，根据第一电容两端的压差驱动产生驱动电流驱动发光元件发光。该像素电路能够补偿第一晶体管和发光器件的阈值电压偏移。本申请还公开了基于上述像素电路的驱动方法和一种显示装置。
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公开(公告)号：CN102270425B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010189511.4
申请日：2010-06-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明提供一种像素电路及显示设备，包括：电源线，用于提供电源；第一电容，用于存储数据线供应的数据信号；第一晶体管，用于驱动发光器件发光；第二晶体管，用于与第一晶体管形成镜像结构；第三晶体管，用于控制第一电容的第二电极的放电；第四晶体管，用于采样数据线供应的数据信号；第五晶体管，用于控制第一电容的充电；第六晶体管，用于控制第一电容的第一电极的放电。本发明通过不同晶体管组成的电路结构来产生并消除阈值电压，从而有效补偿因a-Si:H TFT阈值电压漂移带来的OLED亮度不均和亮度变化，同时栅扫描信号引自上下级像素，避免额外增加外围驱动IC的复杂程度。
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公开(公告)号：CN104934481A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201410106797.3
申请日：2014-03-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用所述制备方法制备的薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、沟道保护层、源区、漏区、绝缘介质层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质层覆盖在衬底和栅电极上，有源区设置在栅介质层上，沟道保护层位于有源区的中央正上方，源区和漏区位于有源区上，并分别设置在沟道保护层两侧，绝缘介质层覆盖在衬底、栅介质层、沟道保护层、源区和漏区上，源区接触电极的一端连接源区，其另一端位于绝缘介质层上，漏区接触电极的一端连接漏区，其另一端位于绝缘介质层上。本发明可以广泛应用于薄膜晶体管的制备过程中。
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公开(公告)号：CN102915703A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210425355.6
申请日：2012-10-30
Applicant: 北京大学
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。本发明的像素驱动电路包括：第一晶体管至第四晶体管、存储电容、有机发光二级管OLED、旁路电路、数据线、第N-1扫描线和第N扫描线。本发明采用存储电容的第二端接第一晶体管的源极，以及OLED与旁路电路并联，使得流过OLED的电流完全由数据电压决定，而与第一晶体管的阈值电压无关。本发明在不过多增加晶体管、电容及控制线的数量的同时，使得流经OLED的电流完全依赖于数据线的数据电压，能够精确地实现阈值电压补偿以保持显示亮度的均匀恒定，有利于提高开口率及显示分辨率，并且提高了抑制阈值电压分布不均匀的能力。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。
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公开(公告)号：CN102298893A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201010211257.3
申请日：2010-06-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种源极驱动电路及显示设备；其中，源极驱动电路包括：源极电流产生模块，用于产生数据电流信号；时钟信号产生模块，用于产生时钟信号；电流电压转换模块，用于将数据电流信号转换为相对应的数据电压信号并输出到相对应的数据信号线上；开关选择模块，用于在时钟信号的控制下将源极电流产生模块输出的数据电流信号传输到电流电压转换模块或者直接传输到相对应的数据线上。本发明在能够在保持电流型像素结构的高精度灰阶控制以及高稳定度优点的基础上，加快其电流编程的速度，从而满足高分辨率大尺寸显示的需要。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102130009A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010568303.5
申请日：2010-12-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , G03F7/16 , G03F7/20
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构的薄膜晶体管的制造方法，晶体管的有源区和顶栅电极采用透明薄膜材料，在光刻涂胶时，在形成顶栅电极的透明导电薄膜表面涂布光刻胶；光刻曝光时，从衬底的背面进行曝光；经光刻显影后，在导电薄膜的表面形成与底栅电极正对的光刻胶图形；根据所述光刻胶图形刻蚀导电薄膜形成与底栅电极正对顶栅电极。上述方法形成的双栅薄膜晶体管提高采用底栅电极作为天然的掩膜板，节约了晶体管的制造成本，并且提高了顶栅电极和底栅电极的对准精度，增强了双栅结构薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN102290027B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201010204015.1
申请日：2010-06-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明提供一种像素电路及显示设备，包括：用于提供电源的电源线、电容、用于驱动发光器件发光的第一晶体管、用于与第一晶体管形成镜像结构的第二晶体管、第三晶体管、用于采样数据线供应的数据信号的第四晶体管。本发明只需通过四个晶体管组成的简单结构来产生并消除TFT的阈值电压信息，以提供稳定的输出电流，从而有效改善多晶硅TFT面板因阈值电压不均而造成的OLED发光器件亮度不均的问题；进一步地，本发明的像素电路栅扫描信号引自上下级像素，避免额外增加扫描线和外围驱动IC的复杂程度。
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公开(公告)号：CN102130009B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201010568303.5
申请日：2010-12-01
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , G03F7/16 , G03F7/20
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种双栅结构的薄膜晶体管的制造方法，晶体管的有源区和顶栅电极采用透明薄膜材料，在光刻涂胶时，在形成顶栅电极的透明导电薄膜表面涂布光刻胶；光刻曝光时，从衬底的背面进行曝光；经光刻显影后，在导电薄膜的表面形成与底栅电极正对的光刻胶图形；根据所述光刻胶图形刻蚀导电薄膜形成与底栅电极正对顶栅电极。上述方法形成的双栅薄膜晶体管提高采用底栅电极作为天然的掩膜板，节约了晶体管的制造成本，并且提高了顶栅电极和底栅电极的对准精度，增强了双栅结构薄膜晶体管的性能。
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公开(公告)号：CN102290027A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN201010204015.1
申请日：2010-06-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明提供一种像素电路及显示设备，包括：用于提供电源的电源线、电容、用于驱动发光器件发光的第一晶体管、用于与第一晶体管形成镜像结构的第二晶体管、第三晶体管、用于采样数据线供应的数据信号的第四晶体管。本发明只需通过四个晶体管组成的简单结构来产生并消除TFT的阈值电压信息，以提供稳定的输出电流，从而有效改善多晶硅TFT面板因阈值电压不均而造成的OLED发光器件亮度不均的问题；进一步地，本发明的像素电路栅扫描信号引自上下级像素，避免额外增加扫描线和外围驱动IC的复杂程度。
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公开(公告)号：CN104934481B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201410106797.3
申请日：2014-03-21
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法，其特征在于：采用所述制备方法制备的薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、有源区、沟道保护层、源区、漏区、绝缘介质层、源区接触电极和漏区接触电极；栅电极设置在衬底上，栅介质层覆盖在衬底和栅电极上，有源区设置在栅介质层上，沟道保护层位于有源区的中央正上方，源区和漏区位于有源区上，并分别设置在沟道保护层两侧，绝缘介质层覆盖在衬底、栅介质层、沟道保护层、源区和漏区上，源区接触电极的一端连接源区，其另一端位于绝缘介质层上，漏区接触电极的一端连接漏区，其另一端位于绝缘介质层上。本发明可以广泛应用于薄膜晶体管的制备过程中。
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