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    一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
    1.
    发明公开
    一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102437059A

    公开(公告)日：2012-05-02

    申请号：CN201110401730.9

    申请日：2011-12-06

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 王漪 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  韩德栋 ,  王亮亮 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

    Abstract: 本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。

    一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法
    2.
    发明公开
    一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法 无效

    公开(公告)号：CN102403360A

    公开(公告)日：2012-04-04

    申请号：CN201010275718.3

    申请日：2010-09-08

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  韩汝琦

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

    Abstract: 本发明提供一种氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该氧化锌基薄膜晶体管包括衬底、栅电极、栅介质层、沟道层和源漏电极，衬底是玻璃或者塑料；在衬底上由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成栅电极；半导体沟道是由氧化锌及其掺杂半导体材料形成；栅绝缘介质层是由氧化锌绝缘材料形成，设置于栅极和半导体沟道之间；源端和漏端电极是由氧化锌或掺杂Al或者Ga氧化锌导电材料形成。本发明为全氧化锌基薄膜晶体管，可提高器件各层薄膜之间的匹配度，降低了栅绝缘介质层和半导体沟道层之间的失配率，减少界面电荷密度，从而大大提高半导体沟道层的载流子迁移率，使氧化锌薄膜晶体管的性能得到了有效改善。

    一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
    5.
    发明公开
    一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102593008A

    公开(公告)日：2012-07-18

    申请号：CN201210050309.2

    申请日：2012-02-29

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 王漪 ,  王亮亮 ,  韩德栋 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  耿友峰 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

    IPC: H01L21/34

    Abstract: 本发明公开了一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的制备方法采用底栅结构，首先生长光刻刻蚀出栅电极，然后连续生长栅介质层及有源区层，再光刻刻蚀出有源区，以栅电极为掩膜，配合源电极和漏电极的掩膜版，背部曝光即可实现自对准。由于该方法实现了源电极和漏电极与栅电极的自对准，极大减小栅电极与源漏的寄生电容，因而能提高薄膜晶体管电路的驱动能力。而该制备方法的改进在于，背曝光的同时使光线通过源电极和漏电极的掩膜版，光刻之后结合剥离工艺即可一次形成源电极和漏电极的区域。整个流程只需三步光刻，节省了一步光刻工艺。由于微电子工艺对光刻的成本极为敏感，因此本发明的制备方法可简化工艺流程，节约制造成本。

    二次光刻制备薄膜晶体管的方法
    6.
    发明授权
    二次光刻制备薄膜晶体管的方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101984506B

    公开(公告)日：2012-07-04

    申请号：CN201010504099.0

    申请日：2010-10-12

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 韩德栋 ,  王漪 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  张韬 ,  任奕成 ,  康晋锋 ,  刘晓彦 ,  韩汝琦

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311 ,  H01L21/28

    Abstract: 本发明提供了一种二次光刻实现薄膜晶体管的制备方法，属于半导体技术平板显示领域。该方法具体包括：首先在玻璃或者塑料衬底上生长一层半导体沟道层；然后生长一层栅绝缘介质层；再进行第一次光刻和刻蚀定义栅绝缘介质层图形；随后生长一层导电薄膜材料，光刻和刻蚀形成栅电极、源端电极和漏端电极。本发明采用二次光刻形成薄膜晶体管的工艺技术，减少了光刻次数，简化了工艺步骤，从而提高了工作效率，降低了制造成本。为液晶显示等行业提供简便可行的薄膜晶体管制备方法。

    一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法
    7.
    发明授权
    一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102437059B

    公开(公告)日：2013-12-25

    申请号：CN201110401730.9

    申请日：2011-12-06

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 王漪 ,  蔡剑 ,  王薇 ,  韩德栋 ,  王亮亮 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

    IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

    Abstract: 本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。

    一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法
    8.
    发明公开
    一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN102709316A

    公开(公告)日：2012-10-03

    申请号：CN201210175109.X

    申请日：2012-05-30

    Applicant: 北京大学

    Inventor： 王漪 ,  蔡剑 ,  韩德栋 ,  王亮亮 ,  任奕成 ,  张盛东 ,  孙雷 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

    IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

    Abstract: 本发明公开了一种3D氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法。本发明的薄膜晶体管采用下层有源区、下层栅介质、栅电极的连续生长，以及上层栅介质、上层有源区的连续生长，能够极大减少有源层与栅介质的界面缺陷态，因而能极大地提高薄膜晶体管TFT的驱动能力。而且由于同一个栅电极能够同时控制两层有源区，进一步提高了TFT的驱动能力。使用本方法制备的薄膜晶体管具有较高开关比、较高开态电流、较陡的亚阈斜率等优良特性。因此，本发明具有较高的实用价值，有望广泛用于微电子和平板显示产业。进一步，如果控制上层和下层有源区的阈值电压不同，又能将多阈值技术集成到同一个TFT管子中，而这有望在像素驱动单元电路中得到广泛的应用。

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