公开(公告)号：CN101984774A

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200980104006.0

申请日：2009-07-16

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  秋田胜史 ,  上野昌纪 ,  住友隆道 ,  德山慎司 ,  片山浩二 ,  中村孝夫 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其中，具有可在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的支撑基体的半极性面上实现低阈值电流的激光谐振器。作为激光谐振器的第一及第二断裂面(27)、(29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有沿m-n面与半极性主面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导。因此，可利用实现低阈值电流的能带跃迁的发光。在激光器结构体(13)中，第一面(13a)为第二面(13b)的相反侧的面。第一及第二断裂面(27)、(29)从第一面(13a)的边缘(13c)延伸至第二面(13b)的边缘(13d)。断裂面(27)、(29)不通过干蚀刻形成，与c面、m面或a面等现有的解理面不同。

公开(公告)号：CN101960056A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200980107544.5

申请日：2009-05-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 田中聪 ,  宫原贤一 ,  北林弘之 ,  片山浩二 ,  森下知典 ,  森分达也

IPC: C30B29/42 ,  C30B19/12 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/02 ,  C30B19/00 ,  C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02628 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/0079

Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法。所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面(11a)和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，其中所述背面(11b)中Al的组成比(x)大于在所述主面(11a)中Al的组成比(x)。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还可包含GaAs衬底(13)，并使其与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触。

公开(公告)号：CN101814699A

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200910178733.3

申请日：2009-09-28

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 片山浩二 ,  北林弘之 ,  荒川聪

IPC: H01S5/223

CPC classification number: H01L21/3081 ,  H01L21/32139

Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al膜并且从而去除掩模层和在掩模层的顶表面上形成的保护膜的部分的步骤。

公开(公告)号：CN1881628A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610009238.6

申请日：2006-02-15

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1－xN层(3)；比n型AlxGa1－xN层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1－xN层(5)；以及位于n型AlxGa1－xN层(3)和p型AlxGa1－xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1－xN层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。

公开(公告)号：CN1855564A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610077311.3

申请日：2006-04-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  片山浩二 ,  北林弘之

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种发光装置，包括：GaN衬底1；布置在GaN衬底1的第一主表面侧面上的n－型氮化物半导体衬底层(n－型AlxGa1－xN层3)；与n－型氮化物半导体衬底层相比更远离GaN衬底1布置的p－型氮化物衬底层(p－型AlxGa1－xN层5)；以及位于n－型氮化物半导体层和p－型氮化物半导体层之间的发光层(多量子阱(MQW)4)。p－型氮化物半导体层侧面被向下安装。此外，光从第二主表面1a发出，该第二主表面1a是与GaN衬底1的第一主表面相对的主表面。在GaN衬底的第二主表面上形成沟槽80。沟槽80的内周边表面包括其上执行表面处理以使该内周边表面光滑的部分(曲面部分)。

公开(公告)号：CN1774821A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480009899.8

申请日：2004-08-04

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  木山诚 ,  中村孝夫 ,  樱田隆 ,  秋田胜史 ,  上松康二 ,  池田亚矢子 ,  片山浩二 ,  吉本晋

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/382 ,  H01L33/505 ,  H01L33/507 ,  H01L33/58 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2224/45099

Abstract: 公开了一种发光器件，该发光器件由于其简单结构而容易制造，并且能够长期稳定地保持高发光效率。这种发光器件在氮化物半导体衬底(1)第一主表面侧包含：n－型氮化物半导体层(2)，安置在离氮化物半导体衬底(1)比n－型氮化物半导体层(2)更远处的p－型氮化物半导体层(6)，以及安置在n－型氮化物半导体层(2)和p－型氮化物半导体层(6)之间的发光层(4)。氮化物半导体衬底的电阻率不超过0.5Ω·cm。发光器件是以p－型氮化物半导体层侧向下的方式安装的，从而使光从氮化物半导体衬底的第二主表面(1a)发出，所述的第二主表面位于第一主表面的另一侧。

公开(公告)号：CN102668282B

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201080059085.0

申请日：2010-11-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/16 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有表现出用于谐振镜的高质量且可实现低阈值电流的激光谐振器。成为激光谐振器的切断面(27、29)与m-n面交叉。III族氮化物半导体激光器元件11具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线方向延伸的激光波导路。因此，可利用能实现低阈值电流的能带跃迁的发光。切断面(27、29)自第1面(13a)的边缘(13c)延伸至第2面(13b)的边缘(13d)。切断面(27、29)通过在支撑基体背面具有刻划痕迹、以及来自外延面的挤压而形成。切断面(27、29)并非通过干式蚀刻而形成，与c面、m面或者a面等目前为止的解理面不同。

公开(公告)号：CN102549859B

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201080043433.5

申请日：2010-09-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  盐谷阳平 ,  京野孝史 ,  足立真宽 ,  德山慎司 ,  住友隆道 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊 ,  片山浩二 ,  中村孝夫

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种元件寿命长的III族氮化物半导体激光器元件。III族氮化物半导体激光器元件(11)具有在m-n面与半极性面(17a)的交叉线的方向延伸的激光波导路。在激光波导路的两端，设有成为激光谐振器的第1及第2端面(26、28)。第1及第2端面(26、28)与m-n面(或a-n面)交叉。c+轴向量与波导路向量WV成锐角。该波导路向量WV与自第2端面(28)朝向第1端面(26)的方向对应。第2端面(28)上的第2电介质多层膜(C-侧)(43b)的厚度比第1端面(26)上的第1电介质多层膜(C+侧)(43a)的厚度薄。

公开(公告)号：CN102696158B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201080060965.X

申请日：2010-11-17

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 善积祐介 ,  高木慎平 ,  池上隆俊 ,  上野昌纪 ,  片山浩二

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/3202 ,  B82Y20/00 ,  G01N21/62 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/1082 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/34333

Abstract: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光器元件，其在六方晶系III族氮化物的c轴向m轴的方向倾斜的支撑基体的半极性面上，具有可实现低阈值电流的激光谐振器、并在用于该激光谐振器的元件端部具有可缩小芯片宽度的端部构造。激光器构造体(13)在一个切断面(27)上具有设于第1面(13a)的边缘(13c)的一部分的凹部(28、30)。凹部(28、30)各自包含残留在各个半导体元件上的刻划痕迹，这些半导体元件通过刻划槽所导引的切断而分离。凹部(28)具有位于第1面(13a)上的端部(28b)，而且凹部(30)具有位于第1面(13a)上的端部(30b)。第1凹部(28)的端部(28b)与激光条纹间的第1间隔(W1)，小于第2凹部(30)的端部(30b)与激光条纹间的第2间隔(W2)。

公开(公告)号：CN102934302A

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201080067314.3

申请日：2010-12-27

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 高木慎平 ,  善积祐介 ,  片山浩二 ,  上野昌纪 ,  池上隆俊

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/1085 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/0045 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0208 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3404 ,  H01S5/34333

Abstract: 提供一种可提高谐振镜的平坦性且可降低阈值电流的III族氮化物半导体激光器元件的制作方法。将基板产物(SP)的刻划槽(65a)的方向对准支撑装置(71)的边缘(71b)的延伸方向，以支撑装置(71)的边缘(71b)为基准将基板产物(SP)定位。基板产物(SP)以沿边缘(71b)延伸的基准线(X坐标A1)为界分为第1区域(70a)及第2区域(70b)。利用支撑面(70a)支撑基板产物(SP)的第1区域(70a)并按压第2区域(70b)而进行基板产物(SP)的分离，形成另一基板产物(SP1)及激光条(LB1)。将致断装置(69)的边缘(69a)的方向对准边缘(71b)的延伸方向，自与第2面(63b)交叉的方向将致断装置(69)的边缘(69a)抵压到基板产物(SP)。