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公开(公告)号：CN104871288A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380066987.0
申请日：2013-12-06
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 北林弘之
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/0475 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L29/7827 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 在具有彼此相反的第一主表面(11a)和第二主表面(11b)的碳化硅衬底(11)中，在碳化硅衬底(11)固定至具有比碳化硅衬底(11)更高柔性的基材(90)的情况下，去除碳化硅衬底(11)的第二主表面(11b)一侧上的碳化硅，且在第二主表面(11b)上形成电极(14)。基材(90)具有小于或等于碳化硅衬底(11)的第一主表面(11a)面积的面积。在将碳化硅衬底(11)固定至基材(90)的步骤中，基材(90)位于基材(90)覆盖第一主表面(11a)的中心(11c)的位置，使得基材(90)不延伸超过第一主表面(11a)的外周(11h)。因此，可降低碳化硅衬底(11)和电极(14)之间的接触电阻，并可提供制造碳化硅半导体器件的方法，其以简单方式制造碳化硅半导体器件。
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公开(公告)号：CN101814699B
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN200910178733.3
申请日：2009-09-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01L21/3081 , H01L21/32139
Abstract: 本发明涉及半导体元件的制造方法。具体而言，提供一种以降低的制造成本来制造良好特性的半导体元件的方法。半导体元件的制造方法包括：含GaN的半导体层的形成步骤；电极层形成步骤；在含GaN的半导体层上形成Al膜的步骤；形成由如下材料构成的掩模层的步骤，该材料的蚀刻速率小于Al膜的材料的蚀刻速度；将掩模层用作掩模来形成隆起部的步骤；使Al膜的侧壁的位置相对于掩模层的侧壁的位置凹进的步骤；在隆起部的侧表面和掩模层的顶表面上形成由如下材料构成的保护膜的步骤，该材料的蚀刻速率小于形成Al膜的材料的蚀刻速率；以及去除Al膜并且从而去除掩模层和在掩模层的顶表面上形成的保护膜的部分的步骤。
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公开(公告)号：CN101681828A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000140.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/22 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/3081 , H01S5/0425 , H01S5/2086
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于GaN的半导体层的步骤(S10)；在所述基于GaN的半导体层上形成Al膜的步骤(S20)；形成掩模层的步骤(S30、S40)，所述掩模层由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；使用所述掩模层作为掩模来部分除去所述Al膜和所述基于GaN的半导体层以形成脊部的步骤(S50)；使所述Al膜端部的侧壁位置从所述掩模层的侧壁位置后退的步骤(S60)；在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤(S70)，所述保护膜由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；以及除去所述Al膜以除去所述掩模层和在所述掩模层的上表面上形成的保护膜的步骤(S80)。
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公开(公告)号：CN103907176A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280053287.3
申请日：2012-05-22
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/12 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/049 , H01L29/45 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/7827
Abstract: 一种制备MOSFET(1)的方法，包括：制备碳化硅衬底(10)的步骤；形成与衬底(10)进行欧姆接触的漏电极(51)的步骤；以及形成与漏电极(51)的顶部接触的背表面焊盘电极(80)的步骤。在漏电极(51)形成步骤中，形成包括含有Ti和Si的合金的漏电极(51)。而且，所形成的背表面焊盘电极(80)被维持在300℃或更低的温度，直至MOSFET(1)制备完成。该配置使得能够条制备工艺的效率，同时实现电极间良好的粘附性。
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公开(公告)号：CN101681828B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200980000140.6
申请日：2009-02-12
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L33/00 , H01S5/22 , H01S5/323
CPC classification number: H01L21/3081 , H01S5/0425 , H01S5/2086
Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括下列步骤：形成基于GaN的半导体层的步骤(S10)；在所述基于GaN的半导体层上形成Al膜的步骤(S20)；形成掩模层的步骤(S30、S40)，所述掩模层由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；使用所述掩模层作为掩模来部分除去所述Al膜和所述基于GaN的半导体层以形成脊部的步骤(S50)；使所述Al膜端部的侧壁位置从所述掩模层的侧壁位置后退的步骤(S60)；在所述脊部的侧面和所述掩模层的上表面上形成保护膜的步骤(S70)，所述保护膜由腐蚀速度比所述Al膜的构成材料小的材料构成；以及除去所述Al膜以除去所述掩模层和在所述掩模层的上表面上形成的保护膜的步骤(S80)。
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公开(公告)号：CN100552989C
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200610009238.6
申请日：2006-02-15
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/44 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 根据本发明的发光器件具有：GaN衬底(1)；GaN衬底(1)的第一主表面侧上的n型AlxGa1-xN层(3)；比n型AlxGa1-xN层(3)更远离GaN衬底(1)设置的p型AlxGa1-xN层(5)；以及位于n型AlxGa1-xN层(3)和p型AlxGa1-xN层(5)之间的多量子阱(MQW)(4)。在该发光器件中，p型AlxGa1-xN层(5)侧被向下安装，并且光从第二主表面(1a)发射，其中第二主表面是与GaN衬底(1)的第一主表面相对的主表面。GaN衬底(1)的第二主表面(1a)包括其上形成凹腔和凸出的区域。此外，该发光器件包括在GaN衬底(1)的第二主表面(1a)上形成的n电极(11)和覆盖n电极(11)的侧壁而形成的保护膜(30)。
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公开(公告)号：CN105390544B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201510427675.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 北林弘之
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/0485 , H01L21/268 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/7802 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件，包括碳化硅半导体层(100)以及与碳化硅半导体层接触的电极层(101)。电极层的至少一部分包含碳。在电极层的厚度方向上的一个截面中将电极层在厚度方向上二等分以获得面对碳化硅半导体层的第一区域(r1)以及与碳化硅半导体层相反的第二区域(r2)的情况下，在第一区域中包含碳的碳部分(2)的面积比第二区域中的碳部分(2)的面积宽。在电极层的厚度方向上的一个截面中，在位于距碳化硅半导体层和电极层之间的界面直到300nm的界面区域(IR)处，碳部分包括其间插入间隔地设置的多个部分，并且由碳部分占据的面积的比率不大于40％。
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公开(公告)号：CN105390544A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510427675.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 北林弘之
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/45
CPC classification number: H01L29/45 , H01L21/0485 , H01L21/268 , H01L29/1608 , H01L29/41741 , H01L29/7802 , H01L29/7827
Abstract: 本发明涉及碳化硅半导体器件，包括碳化硅半导体层(100)以及与碳化硅半导体层接触的电极层(101)。电极层的至少一部分包含碳。在电极层的厚度方向上的一个截面中将电极层在厚度方向上二等分以获得面对碳化硅半导体层的第一区域(r1)以及与碳化硅半导体层相反的第二区域(r2)的情况下，在第一区域中包含碳的碳部分(2)的面积比第二区域中的碳部分(2)的面积宽。在电极层的厚度方向上的一个截面中，在位于距碳化硅半导体层和电极层之间的界面直到300nm的界面区域(IR)处，碳部分包括其间插入间隔地设置的多个部分，并且由碳部分占据的面积的比率不大于40％。
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公开(公告)号：CN104350579A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201380028417.2
申请日：2013-04-25
Applicant: 住友电气工业株式会社
Inventor： 北林弘之
IPC: H01L21/02 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/0485 , H01L21/6836 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7802 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68381
Abstract: 一种制造半导体器件(100)的方法，具有以下步骤：制备具有彼此面对的第一主表面(16A)和第二主表面(16B)的半导体衬底(16)。在第一主表面(16A)上将半导体衬底(16)固定在粘着带上(1)。将被粘着带(1)固定的半导体衬底(16)放置在容置室(31)内。从容置室(31)排气，同时将粘着带(1)的温度保持在100℃或更高。在从容置室(31)排气的步骤之后，降低半导体衬底(16)的温度。在降低半导体衬底(16)的温度的步骤之后，在半导体衬底(16)的第二主表面(16B)上形成电极(15)。结果，可以提供一种制造能够减小半导体衬底和电极之间的接触电阻的半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN101981237A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111737.8
申请日：2009-05-27
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/42 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062 , C30B19/00 , C30B29/40 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/0251 , H01L21/02546 , H01L21/02628
Abstract: 本发明公开了AlxGa(1-x)As(0≤x≤1)衬底、红外LED用外延晶片、红外LED、制造AlxGa(1-x)As衬底的方法、制造红外LED用外延晶片的方法以及制造红外LED的方法，所述AlxGa(1-x)As衬底能保持高水平的透射性能，并能通过该衬底制造具有优异的光输出特性的半导体器件。具体地，本发明涉及具有AlxGa(1-x)As层(11)的AlxGa(1-x)As衬底(10a)，所述AlxGa(1-x)As层(11)具有主面11a和在所述主面(11a)相反侧的背面(11b)，并且本发明的AlxGa(1-x)As衬底(10a)的特征在于，在所述AlxGa(1-x)As层(11)中，所述背面(11b)中Al的组成比x大于在所述主面(11a)中Al的组成比x。另外，所述AlxGa(1-x)As衬底(10a)还包含与所述AlxGa(1-x)As层(11)的所述背面(11b)接触的GaAs衬底(13)。
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