原料气体供给系统和原料气体供给方法

    公开(公告)号:CN114269965A

    公开(公告)日:2022-04-01

    申请号:CN202080058420.9

    申请日:2020-08-18

    IPC分类号: C23C16/448 H01L21/285

    摘要: 一种原料气体供给系统,其将使固体原料气化而生成的原料气体向处理装置供给,其中,该原料气体供给系统包括:气化装置,其使所述固体原料气化而生成所述原料气体;送出机构,其从供在溶剂中溶解有所述固体原料的溶液贮存的溶液源向所述气化装置送出所述溶液;以及蒸发机构,其使从所述送出机构送出而容纳于所述气化装置内的所述溶液的溶剂蒸发,分离所述固体原料。

    液体原料气化器及使用该液体原料气化器的成膜装置

    公开(公告)号:CN101939827B

    公开(公告)日:2013-01-16

    申请号:CN200880126474.3

    申请日:2008-12-08

    IPC分类号: H01L21/31 C23C16/448

    CPC分类号: H01L21/31645 C23C16/4486

    摘要: 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置,在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时,能够使整个通气性部件的温度变得均匀,能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有:使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A);气化部(300B);将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338);配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360),该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成;辐射热加热器(370),对通气性部件的整个外侧表面照射热射线,并通过该辐射热对通气性部件进行加热;送出口(340),其将原料气体送出到外部,原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。

    气体供给单元和气体供给系统

    公开(公告)号:CN101438091B

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN200680054549.2

    申请日:2006-06-02

    IPC分类号: F16L41/02 F16K27/00 F17D5/00

    摘要: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上,并且具有通过流路模块(12—17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2—6,9)。气体供给单元具有第一流路模块(14),包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧,且气体供给单元还具有第二流路模块(17),包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间,其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上,单元(11A)安装在所述安装表面内。

    汽化器和半导体处理系统
    46.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101285178B

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN200810086915.3

    申请日:2008-03-28

    IPC分类号: C23C16/448

    CPC分类号: C23C16/4486

    摘要: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统,其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器,包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间,在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。

    气体供给单元和气体供给系统

    公开(公告)号:CN101438091A

    公开(公告)日:2009-05-20

    申请号:CN200680054549.2

    申请日:2006-06-02

    IPC分类号: F16L41/02 F16K27/00 F17D5/00

    摘要: 小型、经济的气体供给单元和气体供给系统。气体供给单元(11A)安装在工作气体输送管路上,并且具有通过流路模块(12-17)连通且控制工作气体的流体控制装置(2-6,9)。气体供给单元具有第一流路模块(14),包括在流体控制装置内的入口开关阀(4)固定至其一侧,且气体供给单元还具有第二流路模块(17),包括在流体控制装置内的净化阀(9)固定至其一侧。第一流路模块(14)和第二流路模块(17)在垂直于工作气体的输送方向的方向上层叠。入口开关阀(4)和净化阀(9)设置在质量流控制器(5)和安装表面之间,其中所述质量流控制器(5)安装在工作气体输送管路上,单元(11A)安装在所述安装表面内。

    半导体处理用的成膜装置及其使用方法

    公开(公告)号:CN101144181A

    公开(公告)日:2008-03-19

    申请号:CN200710139047.6

    申请日:2007-07-24

    IPC分类号: C30B25/00 C23F1/12

    CPC分类号: C23C16/4405 H01L21/3185

    摘要: 本发明提供一种半导体处理用的成膜装置的使用方法,在卤素酸性气体的气体供给源与流量控制器之间的上游气体流路内形成第一环境。设定上述第一环境,使上述卤素酸性气体的平均分子量为20~23。该使用方法从上述气体供给源,通过已形成上述第一环境的上述上游气体流路和上述流量控制器,供给上述卤素酸性气体,并将含有上述卤素酸性气体的清洁气体供给至上述成膜装置的反应室内。利用这样供给的上述清洁气体蚀刻并除去附着在上述反应室内面的副生成物膜。

    气化器
    50.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1754983A

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN200510107962.8

    申请日:2005-09-30

    IPC分类号: C23C16/448 H01L21/205

    摘要: 本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器,具备:容器,规定上述气化器的处理空间;供给头,具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口;加热通路,在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内,所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体;气体导出通路,与所述容器连接,从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体;雾积存部,在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。