公开(公告)号：CN1971840A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610146816.0

申请日：2006-11-24

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  西村俊治

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  B08B7/00

Abstract: 本发明提供半导体处理用的成膜装置的使用方法，包含通过清洗气体除去在所述成膜装置的反应室内面附着的副产物膜的工序，和通过平坦化气体对所述反应室的所述内面进行化学平坦化的工序。所述反应室的所述内面以选自石英、碳化硅的材料为主要成分。除去工序，在将所述清洗气体供给至所述反应室内的同时，将所述反应室内设定为所述清洗气体活化的第一温度和第一压力。平坦化的工序，在将所述平坦化气体供给至所述反应室内的同时，将反应室内设定为所述平坦化气体活化的第二温度和第二压力。所述平坦化气体包含氟气和氢气。

公开(公告)号：CN110277334B

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN201910184953.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井弘治 ,  山口达也 ,  林宽之 ,  冈田充弘 ,  高木聪 ,  高桥敏彦 ,  庄司正文 ,  北村和也

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。

公开(公告)号：CN108239766B

公开(公告)日：2022-01-07

申请号：CN201711431130.0

申请日：2017-12-26

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 高木聪 ,  小森克彦 ,  冈田充弘 ,  渡边将久 ,  高桥和也 ,  矢野一纪 ,  藤田圭介

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/458 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/205

Abstract: 成膜装置、成膜方法以及隔热构件。当对分层地保持于基板保持器具的被处理基板进行成膜处理时，对被保持在基板保持器具的上下部侧或下部侧的被处理基板的面内膜厚分布进行调整，提高被处理基板间的膜厚均匀性。装置具备：气体供给部，用于向纵型反应容器内供给成膜气体；隔热构件，在基板保持器具中被设置为在比被处理基板的配置区域靠上方或靠下方的位置处与该配置区域重叠，用于在反应容器内对配置区域与比该配置区域靠上方的上方区域进行隔热或者对配置区域与比该配置区域靠下方的下方区域进行隔热；以及贯通孔，在该隔热构件中被设置在与该被处理基板的中心部重叠的位置，以对被保持于隔热构件的附近的被处理基板的面内的温度分布进行调整。

公开(公告)号：CN107507768B

公开(公告)日：2021-11-23

申请号：CN201710448108.0

申请日：2017-06-14

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/67 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法、热处理装置以及存储介质。提供一种当在形成于基板的凹部形成由硅构成的导电路时形成导电性优异的硅膜的技术。在形成于表面的凹部的下层形成单晶硅层，通过各向异性蚀刻使单晶硅层相对于晶圆露出，该晶圆在凹部的底面和侧面自下层侧起依次形成有SiN膜、SiO2膜以及第一Si膜。并且，在通过湿蚀刻去除了第一Si膜的表面的自然氧化膜之后，利用HBr气体去除第一Si膜的表面的杂质和损伤层，之后形成第二Si膜。因此，第二Si膜与SiO2膜紧密接合，且以厚且均匀的膜厚形成。因而，在对晶圆进行加热时，第二Si膜的粒子尺寸变大，从而导电性变得良好。

公开(公告)号：CN107527791B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201710469560.5

申请日：2017-06-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种半导体装置的制造方法和半导体制造装置。在向表面形成有凹部的被处理体供给含有硅的成膜气体来用硅填充凹部内以形成硅层时，能够防止硅层中含有空隙或形成接缝。向被处理体(晶圆W)供给成膜气体，来在被处理体的表面的凹部(42)内形成硅膜(44)。接着，向被处理体供给包含卤素气体和粗糙抑制气体的处理气体，对处理气体提供热能使其活性化，对形成于凹部(42)的侧壁的硅膜(44)进行蚀刻来扩大凹部(42)的开口宽度，其中，卤素气体用于对硅膜(44)进行蚀刻，粗糙抑制气体用于抑制被卤素气体蚀刻后的硅膜(44)的表面粗糙。然后，向被处理体供给成膜气体，使硅堆积于残留在凹部(42)内的硅膜上来填充硅。

公开(公告)号：CN110277334A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910184953.0

申请日：2019-03-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 吉井弘治 ,  山口达也 ,  林宽之 ,  冈田充弘 ,  高木聪 ,  高桥敏彦 ,  庄司正文 ,  北村和也

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种能够抑制从晶圆处理区域向炉口部分的热移动、热传递的绝热构造体和立式热处理装置。一实施方式的绝热构造体用于立式热处理装置，该立式热处理装置具备：双层管构造的处理容器，其具有内管和上部封闭着的外管，并在下端具有开口；气体供给部和排气部，其设置于所述处理容器的下侧；盖部，其从所述开口导入和排出基板，并且能够使所述开口开闭；以及加热部，其以从外侧覆盖所述处理容器的方式设置，该立式热处理装置利用所述加热部对基所述板进行热处理，在所述绝热构造体中，该绝热构造体设置于所述内管与所述外管之间。

公开(公告)号：CN104347353B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410375010.3

申请日：2014-07-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  高桥和也 ,  小森克彦 ,  古泽纯和 ,  冈田充弘 ,  林宽之 ,  柿本明修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/045 ,  C23C16/24 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32055 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L2221/1089

Abstract: 本发明涉及硅膜的成膜方法、薄膜的成膜方法以及截面形状的控制方法。硅膜的成膜方法为在具有被处理面的被处理体上形成硅膜的方法，具备：(1)对前述被处理面上供给分子中包含两个以上硅的高阶氨基硅烷系气体，使前述被处理面上吸附硅而形成晶种层的工序；和(2)对前述晶种层上供给不包含氨基的硅烷系气体，使硅沉积在前述晶种层上而形成硅膜的工序，将前述(1)工序的处理温度设为350℃以下且室温(25℃)以上的范围。

公开(公告)号：CN104183535B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201410228924.7

申请日：2014-05-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 铃木大介 ,  高桥和也 ,  冈田充弘 ,  小森克彦 ,  小野寺聪

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02667

Abstract: 本发明提供一种填充沟道的方法和处理装置。一种填充沟道的方法，其是对形成在被处理体的绝缘膜上的沟道进行填充的方法，其包括如下工序：沿着划分出沟道的壁面形成含有杂质的第1非晶硅膜；在第1非晶硅膜上形成第2非晶硅膜；在形成第2非晶硅膜后对被处理体进行退火。

公开(公告)号：CN105369212A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510494158.3

申请日：2015-08-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/22 ,  C23C16/44

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/029 ,  C23C16/22 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0262

Abstract: 本发明提供锗膜的成膜方法和成膜装置。该成膜方法用于在被处理体的被处理面上形成锗膜，其中，该锗膜的成膜方法包括：工序一，向容纳有所述被处理体的处理室内供给氨基硅烷系气体；工序二，向所述处理室内供给乙硅烷以上的高阶硅烷系气体；以及工序三，向所述处理室内供给锗源气体，使所述工序三中的处理温度为所述锗源气体产生热分解的温度以上且300℃以下。

公开(公告)号：CN104681467A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510023531.7

申请日：2011-06-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 浅利伸二 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  H01L21/673

CPC classification number: H01L21/67109 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/67309

Abstract: 本发明提供支承体构造及处理装置。该支承体构造用于在处理容器构造(42)内支承被处理体(W)，该处理容器构造(42)在收容有多个上述被处理体(W)的状态下供处理气体从一端朝向另一端流动而进行规定处理，该支承体构造包括顶板部(48)、底部(50)和多个支承支柱(60)，多个支承支柱(60)将上述顶板部和上述底部连结起来，沿着其长度方向形成有用于支承上述被处理体的多个支承部(88)，并且，上述支承部的在上述处理气体的流动方向的下游侧的间距被设定得大于上述支承部的在上述处理气体的流动方向的上游侧的间距。由此，能够提高被处理体的膜厚的面内均匀性。