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公开(公告)号：CN114205543A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111080551.X
申请日：2021-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器。该图像传感器包括以多个行和多个列布置的多个像素，像素中的每一个包括：光电二极管；浮置扩散节点，其配置为累积由所述光电二极管产生的光电荷；第一电容器，其配置为存储根据被复位的浮置扩散节点的电压的电荷；第二电容器，其配置为存储根据其中累积有光电荷的浮置扩散节点的电压的电荷；第一采样晶体管，其连接到第一输出节点并配置为将电荷采样到第一电容器；第二采样晶体管，其连接到第一输出节点并配置为将电荷采样到第二电容器；以及至少一个预充电选择晶体管，其连接到第一输出节点并配置为复位第一输出节点。
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公开(公告)号：CN110896456B
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN201910806744.5
申请日：2019-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了图像传感器以及包括其的电子装置。一种图像传感器，像素阵列和存储器单元阵列被合并在所述图像传感器中，所述图像传感器包括：第一半导体芯片，在同一半导体芯片中包括像素阵列和存储器单元阵列；以及第二半导体芯片，在竖直方向上与第一半导体芯片重叠。第二半导体芯片包括：第一逻辑电路，控制像素阵列，模数转换器(ADC)电路，将从在第一逻辑电路的控制下的像素阵列输出的模拟信号转换为数字信号，以及第二逻辑电路，将从ADC电路输出的基于数字信号的数据存储到第一半导体芯片的存储器单元阵列。
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公开(公告)号：CN111556262A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010074076.4
申请日：2020-01-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器设备，包括：数字像素，其包括光电检测器、比较器和存储器电路；像素驱动器，其控制数字像素；以及数字逻辑电路，其对从数字像素输出的数字信号执行数字信号处理操作。光电检测器和比较器的第一部分形成在第一半导体管芯中，比较器的第二部分、存储器电路和像素驱动器形成在第一半导体管芯下的第二半导体管芯中，并且数字逻辑电路形成在第二半导体管芯下的第三半导体管芯中。
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公开(公告)号：CN111556259A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010030252.4
申请日：2020-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 图像传感器包括多个像素。多个像素中的每一个包括：光电检测器，所述光电检测器包括响应于入射在其上的光输出检测信号的光电转换元件；比较器，将光电检测器的检测信号与斜坡信号进行比较，并响应于此输出比较信号；多个第一存储器单元，使用比较器的比较信号存储对应于检测信号的第一电压电平的第一计数值，并通过多个传输线输出第一计数值；以及多个第二存储器单元，使用比较器的比较信号存储对应于检测信号的第二电压电平的第二计数值，并通过多个传输线输出第二计数值。
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公开(公告)号：CN104681090B
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201410586479.1
申请日：2014-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/004 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C11/1677 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C13/003 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种控制单元晶体管的接口状态提高感测界限的电阻存储装置。存储系统可包括：存储装置，具有电连接到多条位线和多条字线的非易失性存储单元的阵列。所述非易失性存储单元可包括与相应单元晶体管电串联连接的各个非易失性电阻装置。还提供可连接到所述存储装置的控制器。所述控制器可被配置为在将数据写入到所述存储装置中的操作期间利用支持(i)非易失性电阻装置和(ii)单元晶体管内的接口状态的双编程的信号来驱动所述存储装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103811494B
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201310547253.6
申请日：2013-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/105
CPC classification number: G11C5/063 , G11C7/18 , G11C13/0002 , G11C2213/82 , H01L27/0207 , H01L27/228 , H01L27/2436 , H01L43/08 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 半导体存储器件包括在一个单元阵列块中沿行和列二维地布置的单位单元。单位单元被分为多个单元子组，每个单元子组包括组成多个行的单位单元。每个单位单元包括选择元件和数据存储部。字线连接到组成每列的单位单元的选择元件的栅电极。位线连接到组成所述行的单位单元的数据存储部。在每个单元子组中源极线电连接到单位单元的选择元件的源极端子。源极线平行于位线。源极线与位线中的一条被选位线相邻。源极线和被选位线之间的距离等于彼此相邻的位线之间的距离。
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公开(公告)号：CN104978991A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510175175.0
申请日：2015-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/165 , G11C11/16 , G11C11/161 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0021 , G11C13/003 , G11C13/025 , G11C2213/52 , G11C2213/79 , G11C2213/82
Abstract: 本公开提供了半导体存储器器件以及磁存储器器件。磁存储器器件可以包括配置为存储数据的多个可单独控制的磁存储器段。多个可单独控制的源极线可以每个联接到所述多个可单独控制的磁存储器段中的相应一个。
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公开(公告)号：CN100359665C
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN03132862.8
申请日：2003-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L21/76 , H01L21/302 , H01L21/265
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/76237 , H01L21/823481 , H01L21/823493
Abstract: 提供一种使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法。在一个实施例中，使用低能、高剂量离子注入工艺形成阱区至沟槽隔离层的深度。
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公开(公告)号：CN1227719C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN99109051.9
申请日：1999-06-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/10844 , H01L21/823462
Abstract: 一种用于制造具有不同栅氧化物层的半导体器件的方法。根据有源区尺寸控制氧化作用，从而使氧化物在较宽有源宽度(外围区)生长得薄，而在较窄有源宽度(单元阵列区)生长得厚。在具有不同有源区的半导体衬底上形成栅图形。形成栅间隔层，然后进行与有源尺寸相关的氧化工艺，从而生长不同的氧化物层。
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公开(公告)号：CN1492515A
公开(公告)日：2004-04-28
申请号：CN03136988.X
申请日：2003-05-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李宰圭
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66628 , H01L29/41775 , H01L29/41783 , Y10S257/90
Abstract: 在MOS晶体管及其制造方法中，在衬底上形成了包括栅绝缘层和栅电极的栅结构。第一绝缘层被形成以便盖住栅结构。第二绝缘层形成在与第一绝缘层分离的衬底上。轻掺杂的源/漏区形成在栅结构和第二绝缘层之间的衬底的表面部分中。源/漏延展层形成在轻掺杂的源/漏区上。重掺杂的源/漏区形成在第二绝缘层上并且与源/漏延展层接触。短沟道效应被抑制并且源/漏结电容被降低。
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