公开(公告)号：CN105223647A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510742396.1

申请日：2015-11-04

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈鑫 ,  盛振 ,  仇超 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/126

CPC classification number: G02B6/126

Abstract: 本发明提供一种偏振分束旋转器及其设计方法，包括：串联的双层梯形模式转换器以及反向锥形耦合器；双层梯形模式转换器将横磁波零阶模式转化为横电波一阶模式，反向锥形耦合器将横电波一阶模式转化为横电波零阶模式。选定第一梯形波导和第二梯形波导的宽度，根据波导长度与模式转换效率的关系，确定第一梯形波导和第二梯形波导的长度；选定第三梯形波导和第四梯形波导的宽度，根据波导长度与模式转化损耗的关系，确定反向锥形耦合器的长度。本发明通过参数优化实现大工作带宽，高转换效率、高制作容差等特性，可以用于提高单纤三向复用器的实用性，此外，制作方法简单，与标准硅光子加工工艺过程兼容，具有较大的实用价值和应用前景。

公开(公告)号：CN102790054B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201110126394.1

申请日：2011-05-16

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  卞剑涛 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H01L29/205 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/76 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66431 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02647 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材料。的制备方法包括：制备体硅衬底上的锗半导体层；在锗半导体层上制备III-V族半导体材料层；进行第一次光刻，将图形化窗口刻蚀至锗层以形成凹槽；在所述凹槽中制备侧墙；采用选择性外延制备锗薄膜；进行化学机械研磨以获得锗和III-V族半导体材料共平面的异质集成半导体结构；去除侧墙及紧靠侧墙处的缺陷锗层部分；实现锗和III-V族半导体材料之间的隔离；通过形成MOS结构来制备包含锗沟道PMOS和III-V沟道NMOS的高性能CMOS器件。

公开(公告)号：CN104795101A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510232640.X

申请日：2015-05-08

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  何伟伟 ,  罗杰馨 ,  王曦

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明提出了一种半刷新机制的双端口静态随机存储器单元，至少包括：单稳态锁存器及连接于所述单稳态锁存器的传输门；单稳态锁存器包括上拉管及下拉管；传输门包括第一获取管、第二获取管、第三获取管及第四获取管。本发明相对传统双端口静态随机存储器单元而言，其单元晶体管数量较少，从而可以提高双端口静态随机存储器单元密度；相对传统动态随机存储器单元而言，可以减少刷新次数；本单元不要求上拉管与下拉管之间尺寸匹配，只需要第一获取管与第三获取管匹配，第二获取管与第四获取管匹配即可，这样可以有利于减少先进工艺下由于单元内部晶体管尺寸失配而造成电学性能下降问题；另外，其工艺与传统普通CMOS逻辑工艺相兼容，故可以降低成本。

公开(公告)号：CN103165511B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201110418133.7

申请日：2011-12-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 姜海涛 ,  张苗 ,  狄增峰 ,  卞剑涛 ,  王曦

IPC: H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实现GOI材料的制备，且制备出的GOI材料具有高纯度、低缺陷的特点。本方法工艺简单，适合工业生产。

公开(公告)号：CN102842496B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201210376814.6

申请日：2012-09-28

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 张苗 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  狄增峰 ,  王曦

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合物外延层。此外，本发明的制备工艺简单，成本低，有利于推广使用。

公开(公告)号：CN103021815B

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201210575658.6

申请日：2012-12-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 狄增峰 ,  母志强 ,  薛忠营 ,  陈达 ,  张苗 ,  王曦

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供一种混合共平面衬底结构及其制备方法，所述混合共平面衬底结构包括硅衬底及形成与所述硅衬底上的若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述硅衬底表面或所述硅衬底内；所述第一区域包括锗硅缓冲层及位于其上的应变硅层或弛豫的锗层；所述第二区域的材料为锗或III-V族化合物。本发明利用SiGe缓冲层技术、刻蚀工艺以及图形衬底外延等技术制备低缺陷密度、高晶体质量的锗、III-V族材料或者应变硅混合共平面的衬底结构，能同时提升不同类型MOS（PMOS或NMOS）器件的性能，在光电集成领域也有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102879858B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210419042.X

申请日：2012-10-26

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 盛振 ,  凌伟 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/293 ,  H04J14/02

Abstract: 本发明提供一种具有光栅的单纤三向复用器。该单纤三向复用器至少包括：用于接入第一波长及第二波长的光波信号的输入波导；用于接入第三波长的光波信号的上传波导；第一输出波导；第二输出波导；及多模波导耦合器；该多模波导耦合器用于分离所述第一波长信号及第二波长信号，并使两者分别由第一输出波导及第二输出波导输出；此外，该多模波导耦合器所具有的光栅，能反射所述第三波长的光波信号，并使该光波信号由输入波导输出。优选地，输入波导、上传波导、第一输出波导、第二输出波导及多模波导耦合器均通过对半导体基底的刻蚀来形成。本发明的优点包括：结构紧凑小巧，且制作工艺与CMOS工艺完全兼容，无需复杂工艺，加工成本低。

公开(公告)号：CN102904159B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201210418410.9

申请日：2012-10-26

Applicant: 江苏尚飞光电科技有限公司 ,  中科院南通光电工程中心 ,  中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 盛振 ,  王智琪 ,  甘甫烷 ,  武爱民 ,  王曦 ,  邹世昌

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/024 ,  H01S5/22

Abstract: 本发明提供一种基于BCB（苯并环丁烯）键合工艺的混合集成激光器及其制作方法，所述混合集成激光器包括具有硅衬底、埋氧层及硅波导结构的SOI基光波导芯片、BCB覆层、具有底接触层、有源层、隧道结及顶接触层的Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、贯穿所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层、BCB覆层及埋氧层的热沉通孔、填充于所述热沉通孔内的多晶硅热沉；结合于所述Ⅲ-Ⅴ族激光器外延层表面且具有电极通孔的氮化硅隔离层以及电极结构。本发明采用BCB键合工艺实现了SOI硅基光波导芯片与Ⅲ-Ⅴ族激光器的单片集成，并且引入多晶硅热沉结构以提高激光器的性能。本发明可作为硅基光源器件，为硅基光集成芯片提供片上光源。

公开(公告)号：CN104409503A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410674653.8

申请日：2014-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42356

Abstract: 本发明提出了一种多叉指栅极结构MOSFET的版图设计，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区及漏区，体接触区为第一多叉指栅极结构及第二多叉指栅极结构共用。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容。相比较普通的体接触器件，其有源区的利用率高，在相同总的栅宽条件下，体接触区域面积减小了一半，可以集成度提高。因为中间体区为两侧有源区公用，金属连线所占面积降低，可以降低寄生电容。在不增加布线难度的情况下实现两侧栅极的并联，减小了栅极电阻。在不增加布线难度的情况下实现两侧漏极的并联，减小了漏极电阻。器件版图结构该设计方法在射频电路领域具有一定的应用价值。

公开(公告)号：CN104362174A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201410675314.1

申请日：2014-11-21

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈静 ,  吕凯 ,  罗杰馨 ,  柴展 ,  何伟伟 ,  黄建强 ,  王曦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提出了一种SOI动态阈值晶体管，包括半导体衬底、第一多叉指栅极结构、第二多叉指栅极结构、体接触区、源区、漏区及第一接触孔；栅极通过第一接触孔与体接触区相连接。通过采用体接触区公用的方法，可以提高体接触区利用率，降低寄生电容，同时，采用多边连接的方式，可以实现较低的栅电阻。当器件处于截止状态时，器件阈值较高，泄露电流低，当器件处于开启状态时，由于体效应的影响，器件阈值电压降低，电流增大。因此器件可以具有陡峭的亚阈值斜率和较大的饱和电流，同时，器件工作电压低，十分适用于低功耗应用。采用本发明的设计方法，可以改善寄生电阻电容，在射频应用领域具有一定的应用价值。