公开(公告)号：CN101971286A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980102279.1

申请日：2009-01-16

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 留德米拉·史东 ,  朱利安·G·布雷克 ,  岱尔·K·史东 ,  罗·S·希瑞史盖

IPC: H01J37/30 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本设备包括配置于真空室的界面的衬层。一构件位于真空式内以定义该界面。该衬层配置成用以保护工件免受污染，或是用以避免因原子或离子植入界面所引起的界面产生气泡。在一些实施例中，衬层可由真空室中的界面丢弃以及移除并以新的衬层取代。在一些实施例中，此衬层可为具有粗糙面的聚合物，以碳为基质或是由纳米管构成。

公开(公告)号：CN100468604C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN01818486.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： E·R·哈林顿 ,  V·M·本维尼斯特 ,  M·A·格拉夫 ,  R·D·拉斯梅尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J37/30 ,  H01J3/40

CPC classification number: H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种用于禁止污染粒子与离子束(16)一起传输的系统包括一个电场发生器(12、14)，用于产生相对于离子束(16)的行进路径(20)的电场(28)。位于电场(28)的一个区域内并且位于离子束(16)中的粒子(66)充电至与离子束(16)相匹配的极性，以便使得电场(28)可以推动带电粒子(66)移出离子束(16)。

公开(公告)号：CN101310360A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200680042530.6

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·里斯 ,  S·康德拉腾科 ,  乐金久 ,  L·万赖特 ,  G·蔡

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/006 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/26513

Abstract: 在离子注入工艺中通过引入气体而减轻污染和改变表面特性的方法和系统。一种用于离子注入工艺的污染减轻或表面改变系统，包含：气体源(209)、控制器(204)、阀(210)以及处理室(111)。该气体源传送气体给该阀，该气体为大气气体或反应气体而且受控于该控制器。该阀设置在该处理室的上或附近，并且以可控制的方式来调整被传送至该处理室的气体的流速和/或组成。该处理室固定目标装置例如目标晶片，并且使该气体与离子束反应而减轻该目标晶片的污染，和/或改变该处理环境或该目标装置的既有性质以变更其物理或化学状态或特性。该控制器根据存在于该离子束内的污染物、或是不存在该污染物的情形、以及总压或分压分析来选择与调整该气体的组成以及流速。

公开(公告)号：CN101203933A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680013410.3

申请日：2006-03-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 方子韦 ,  理查·艾波 ,  文森特·丹龙 ,  维克拉姆·辛区 ,  哈勒德·M·波辛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。

公开(公告)号：CN1311509C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN01818276.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： E·R·哈林顿 ,  V·M·本维尼斯特 ,  M·A·格拉夫 ,  R·D·拉斯梅尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J37/30 ,  H01J3/40

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于抑制污染物微粒随离子束(44)的传输的系统(10)，所述系统(10)包括：一对电极(14、16)，所述电极(14、16)提供离子束(44)从中行进的相反的电场(26、28、30、32)。当微粒(60)行进过第一电场(26、28)时，离子束(44)中所携带的微粒(60)被带以与离子束(44)极性相匹配的电荷。下游电极(16)提供具有另一个电场(30、32)，以便于排斥带正电荷的微粒(60)远离射束行进方向的下游。

公开(公告)号：CN1473346A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01818276.3

申请日：2001-08-21

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： E·R·哈林顿 ,  V·M·本维尼斯特 ,  M·A·格拉夫 ,  R·D·拉斯梅尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J37/30 ,  H01J3/40

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J3/40 ,  H01J37/026 ,  H01J37/3002 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种用于抑制污染物微粒随离子束(44)的传输的系统(10)，所述系统(10)包括：一对电极(14、16)，所述电极(14、16)提供离子束(44)从中行进的相反的电场(26、28、30、32)。当微粒(60)行进过第一电场(26、28)时，离子束(44)中所携带的微粒(60)被带以与离子束(44)极性相匹配的电荷。下游电极(16)提供具有另一个电场(30、32)，以便于排斥带正电荷的微粒(60)远离射束行进方向的下游。

公开(公告)号：CN108140523A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680059372.9

申请日：2016-11-04

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 尼尔·K·科尔文 ,  哲-简·谢

IPC: H01J27/02 ,  H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J27/022 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明公开一种离子源内衬(204)，包括具有暴露表面的衬板。所述衬板包括通孔以及环绕该通孔且自暴露表面向外延伸的唇缘(234)并且可选地包括凹部，该凹部具有自暴露表面凹陷且环绕通孔的第二表面。本发明进一步公开一种电弧腔室(202)，包括：所述离子源内衬以及具有轴部(218)和头部(250)的电极(208)，例如推斥极(248)，其中，该电极穿过所述通孔并界定衬板与轴部之间的环状间隙；以及离子源，该离子源包括电弧腔室，其中，该电弧腔室具有主体，该主体界定内部区域(212)，其中所述暴露表面暴露于所述电弧腔室内生成的电浆，以及其中，电极与主体电性隔离。唇缘(234)大体上防止微粒污染物(248’)进入环状间隙(206)。

公开(公告)号：CN104091767B

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201410289586.8

申请日：2014-06-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 田慧

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3005 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/2445 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705 ,  H01J2237/31711

Abstract: 本发明公开了一种离子注入的监控方法，涉及半导体领域，能够准确地监控离子注入的剂量是否达到预定要求，有效避免衬底的本征电阻波动造成监测结果超限的缺陷，提高监测准确性，改善了器件的性能和良品率。所述离子注入的监控方法包括：a、提供监控片，并在监控片上形成部分覆盖的掩膜层；b、进行离子注入制程，对监控片进行预定剂量的杂质离子注入，监控片上未被掩膜层覆盖区域为杂质注入区域，被掩膜层覆盖区域为杂质未注入区域；c、剥离监控片上的掩膜层；d、对监控片进行氧化处理；e、分别测试监控片上杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度，根据杂质注入区域和杂质未注入区域的氧化层厚度比值，监测离子注入的杂质剂量。

公开(公告)号：CN104637764A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410645296.2

申请日：2014-11-11

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/08

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备：电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。

公开(公告)号：CN101305443B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200680041821.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·林 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种离子植入器(110)，包含：离子源(112)，用以产生沿射束路径运动的离子束；以及真空室或植入室(130)，例如硅晶片这样的工件被放置在所述真空室或植入室内与所述离子束相交，通过离子束对工件的表面进行离子植入。衬垫具有内向表面，其限定抽空的内部区域的至少一部分，并且包含横越所述衬垫的表面而隔开的沟槽，从而在离子植入器的操作过程中捕获在所述内部区域里产生的污染物。