公开(公告)号：CN101305443B

公开(公告)日：2013-03-13

申请号：CN200680041821.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·林 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种离子植入器(110)，包含：离子源(112)，用以产生沿射束路径运动的离子束；以及真空室或植入室(130)，例如硅晶片这样的工件被放置在所述真空室或植入室内与所述离子束相交，通过离子束对工件的表面进行离子植入。衬垫具有内向表面，其限定抽空的内部区域的至少一部分，并且包含横越所述衬垫的表面而隔开的沟槽，从而在离子植入器的操作过程中捕获在所述内部区域里产生的污染物。

公开(公告)号：CN1771579A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200480009348.1

申请日：2004-03-31

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·里斯 ,  M·格拉夫 ,  T·帕里尔 ,  B·弗里尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/24

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30455

Abstract: 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外，本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。

公开(公告)号：CN100492584C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200480009348.1

申请日：2004-03-31

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： R·里斯 ,  M·格拉夫 ,  T·帕里尔 ,  B·弗里尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J27/24

CPC classification number: H01J37/3045 ,  H01J37/244 ,  H01J37/304 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/24578 ,  H01J2237/30455

Abstract: 本发明通过在离子注入过程中通过入射离子束角度检测器监控和修正角度误差而有利于半导体器件的制造。此外，本发明通过在进行离子注入工艺之前相对于入射离子束校准工艺圆盘而不测量晶片上的注入结果而有利于半导体器件的制造。

公开(公告)号：CN101305443A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200680041821.3

申请日：2006-11-10

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： P·林 ,  M·格拉夫

IPC: H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种离子植入器(110)，包含：离子源(112)，用以产生沿射束路径运动的离子束；以及真空室或植入室(130)，例如硅晶片这样的工件被放置在所述真空室或植入室内与所述离子束相交，通过离子束对工件的表面进行离子植入。衬垫具有内向表面，其限定抽空的内部区域的至少一部分，并且包含横越所述衬垫的表面而隔开的沟槽，从而在离子植入器的操作过程中捕获在所述内部区域里产生的污染物。