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公开(公告)号：CN105896013A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201610273865.4
申请日：2016-04-28
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01P3/084 , H01P11/003
Abstract: 本发明公开了一种硅基悬置微带线结构及其制作方法，主要解决现有技术中太赫兹波传输损耗大以及太赫兹悬置微带线加工精度低的问题。该悬置微带线结构包括悬置的微带线(1),硅基片(4)，空气腔(5)以及金属地板层(6)其中硅片(4)，包括上硅基片(41)和下硅基片(42)；金属地板层(6)位于上硅基片(41)与下硅基片(42)之间；微带线(1)制备在苯并环丁烯(BCB)光刻胶层(2)上，该BCB光刻胶层(2)与上硅基片(41)之间生长有氮化硅层(3)；空气腔(5)刻蚀在上硅基片(41)之中,并处于微带线(1)的正下方。本发明具有低损耗，结构简单，易于加工的优点，可用于太赫兹波段的有源和无源电路。
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公开(公告)号：CN104465913A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410696211.3
申请日：2014-11-26
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0075 , H01L33/32 , H01L2933/0008 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I-V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一InAlN势垒层、第一GaN主量子阱层、第二GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、第二GaN隔离层和n+GaN发射极欧姆接触层；辅体部分有环形电极、圆形电极和钝化层。环形电极在n+GaN集电极欧姆接触层上方，圆形电极在n+GaN发射极欧姆接触层上方，钝化层在环形和圆形电极上方。本发明能有效提高器件功率、降低功耗并改善可重复性，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN101414627A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810232528.6
申请日：2008-12-01
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。
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公开(公告)号：CN116960154A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311054555.X
申请日：2023-08-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种复合势垒层结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，晶体管包括：从下至上依次层叠设置的衬底层、未掺杂缓冲层、未掺杂沟道层、未掺杂隔离层、delta‑doping平面掺杂层、复合势垒层；分别设置于第一势垒子层和第二势垒子层上的第一帽层和第二帽层；设置于第一帽层上的源极；设置于第二帽层上的漏极；设置于部分第二未掺杂势垒层上的栅极；还包括源极金属互联、漏极金属互联和栅极金属互联以及钝化层。本发明将栅极直接设置在第二未掺杂势垒层上，使栅极直接与第二未掺杂势垒层接触，从而提高肖特基势垒，进而提高器件的击穿电压；同时这种结构减小了栅极与沟道层的距离，从而增加栅控效应。
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公开(公告)号：CN116798855A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310751770.9
申请日：2023-06-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
Inventor： 常娟雄 , 王一 , 黄永 , 杨林安 , 卢灏 , 邵语嫣 , 陈兴 , 吴勇 , 王东 , 陆俊 , 王亦飞 , 台运涛 , 何祺伟 , 张畅 , 解靖飞 , 龚子刚 , 薛荣宇
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓外延层的制备方法，该方法包括如下步骤：在衬底上生长第一氮化铝掩膜层，第一氮化铝掩膜层内包含若干第一氮化铝柱；在第一氮化铝掩膜层上生长第二氮化铝掩膜层，第二氮化铝掩膜层中的第二氮化铝柱为在第一氮化铝柱上成核生长，且相邻第二氮化铝柱之间的间距随着远离第一氮化铝柱逐渐减小；第二氮化铝掩膜层的生长温度高于第一氮化铝掩膜层的生长温度；在第二氮化铝掩膜层上生长氮化镓外延层；将氮化镓外延层自衬底上剥离。本发明中的方法，能够有效减少了衬底向外延层贯穿的穿透位错，缓解氮化镓外延冷却过程中的拉应力，且实现难度较低、时间较短、成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113644136A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110688273.X
申请日：2021-06-21
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/864 , H01L21/329 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种基于横向结构的雪崩二极管及其制备方法，所述方法包括：按照第一生长参数，基于衬底层生长N极性GaN层；按照第二生长参数，基于所述N极性GaN层生长n型AlxGa1‑xN势垒层，以得到AlxGa1‑xN/GaN异质结；对所述AlxGa1‑xN/GaN异质结进行刻蚀操作，以在所述n型AlxGa1‑xN势垒层两侧刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，以及在所述N极性GaN层和所述n型AlxGa1‑xN势垒层上方刻蚀出第三凹槽，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽使所述AlxGa1‑xN/GaN异质结形成台面结构；在所述第一凹槽和所述第二凹槽中进行蒸发溅射处理，以得到肖特基接触电极和欧姆接触电极。本发明制备的所述二极管能够利用较高的载流子迁移率和饱和漂移速度，提高工作频率，提高二极管的应用范围。
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公开(公告)号：CN110085682A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910365950.7
申请日：2019-05-05
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/88 , H01L21/328
Abstract: 本发明提供一种共振隧穿二极管及其制作方法。所述共振隧穿二极管包括依次设置的n型GaN衬底层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一Al、N、Ga、N分层结构混合势垒层、GaN量子阱层、第二Al、N、Ga、N混合势垒层、第二GaN隔离层、n+GaN发射极欧姆接触层、环形电极、圆形电极和钝化层；所述Al、N、Ga分层结构混合势垒层包括Al层、N层和Ga层。本发明能够消除随机合金AlGaN势垒中Al组分分布不均造成的漏电现象。
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公开(公告)号：CN104681721B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201510117491.2
申请日：2015-03-15
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于notch结构的GaN耿氏二极管及其制作方法，主要解决现有耿氏器件中渡越层位错浓度高、散热性差的问题。该二极管自下而上为：SiC衬底、AlN成核层、下n+GaN阴极欧姆接触层、AlGaN电子发射层、上n+GaN阴极欧姆接触层、GaN notch层、n‑GaN渡越层和n+GaN阳极欧姆接触层的多层结构，Al组分自下而上由0％线性渐变到20％。在下n+GaN阴极欧姆接触层的上方和SiC衬底的下方分别设有环形电极和衬底电极，n+GaN阳极欧姆接触层的上方为圆形电极，环形电极和圆形电极上方设有钝化层。本发明能显著降低位错浓度，减小“死区”长度，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN104465913B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201410696211.3
申请日：2014-11-26
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有双InGaN子量子阱的共振隧穿二极管，主要改善现有器件隧穿电流小、I‑V特性可重复性差的问题。其包括主体和辅体两部分，主体部分自下而上为：SiC衬底层、GaN外延层、n+GaN集电极欧姆接触层、第一GaN隔离层、第一InAlN势垒层、第一GaN主量子阱层、第二GaN主量子阱层、第二InAlN势垒层、第二GaN隔离层和n+GaN发射极欧姆接触层；辅体部分有环形电极、圆形电极和钝化层。环形电极在n+GaN集电极欧姆接触层上方，圆形电极在n+GaN发射极欧姆接触层上方，钝化层在环形和圆形电极上方。本发明能有效提高器件功率、降低功耗并改善可重复性，适用于太赫兹频段工作。
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公开(公告)号：CN104409495B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410660230.0
申请日：2014-11-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种直角栅场板异质结场效应晶体管及其制作方法，主要解决现有场板技术在实现高击穿电压时工艺复杂的问题。其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(11)，其中钝化层(8)内设有凹槽(9)，钝化层(8)与保护层(11)之间淀积有直角栅场板(10)，直角栅场板(10)靠近栅极一侧边缘与凹槽靠近栅极一侧边缘对齐，该直角栅场板与栅极(7)电气连接，且下端完全填充在凹槽(9)内。本发明具有工艺简单、击穿电压高、场板效率高、可靠性高和成品率高的优点。(5)、台面(6)、栅极(7)、钝化层(8)和保护层
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