公开(公告)号：CN101414636B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810232530.3

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  杨翠 ,  郝跃 ,  过润秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、源场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该源场板与源极电气连接，该漏场板与漏极电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的功率器件。

公开(公告)号：CN101414627A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810232528.6

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  杨翠 ,  过润秋 ,  杨林安

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型源－漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101414625B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810232525.2

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  杨翠 ,  过润秋 ,  马晓华 ,  张进成 ,  张金风

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种槽栅型栅-漏复合场板高电子迁移率晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、槽栅(7)、钝化层(8)、栅场板(9)、漏场板(11)和保护层(12)，该漏场板(11)与漏极(5)电气连接，该槽栅(7)与栅场板(9)电气连接，其中，势垒层(3)上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(10)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101414622B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200810232524.8

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  毛维 ,  过润秋 ,  杨翠

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于源场板和漏场板的复合场板异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、栅极(6)、钝化层(7)、源场板(8)、漏场板(10)和保护层(11)，该源场板(8)与源极(4)电气连接，该漏场板(10)与漏极(5)电气连接，其中，源场板(8)与漏场板(10)之间的钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(9)。每个浮空场板大小相同，处于浮空状态，且按照等间距的方式分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上一次工艺完成。本发明具有成品率高、可靠性好和输出功率高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101414628B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810232534.1

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  毛维 ,  过润秋 ,  杨翠

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种凹槽Γ栅高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(7)、Γ栅(9)和保护层(11)，该势垒层(3)上开有第一凹槽(6)，该钝化层(7)上开有第二凹槽(8)，其中，钝化层(7)上淀积有n个浮空场板(10)，n≥1，与Γ栅构成复合的栅场板结构。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自Γ栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与Γ栅通过一次工艺完成。本发明具有成品率高、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。

公开(公告)号：CN101414633B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200810232518.2

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  毛维 ,  过润秋 ,  马晓华 ,  张进成 ,  杨翠

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型复合栅场板高电子迁移率器件，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘介质层、绝缘槽栅、钝化层、栅场板和保护层，势垒层上开有凹槽，绝缘槽栅位于凹槽上部的绝缘介质层上，栅场板位于钝化层的上面，绝缘槽栅与栅场板电气连接，其中，钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同，相互独立，相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自栅场板到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与栅场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、频率特性好、稳定性强和击穿电压高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。

公开(公告)号：CN101414627B

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200810232528.6

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  郝跃 ,  杨翠 ,  过润秋 ,  杨林安

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层，所述的源场板与源极电气连接，所述的漏场板与漏极电气连接，其中：源极上部和漏极上部，以及源极和漏极之间的势垒层上部淀积有绝缘介质层；源场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板。每个浮空场板大小相同、相互独立，处于浮空状态，且按照等间距的方式均匀分布于源场板与漏场板之间。n个浮空场板与源场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和击穿电压高的优点，可制作基于宽禁带化合物半导体材料异质结的大功率器件。

公开(公告)号：CN101414637B

公开(公告)日：2010-08-25

申请号：CN200810232537.5

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  杨翠 ,  郝跃 ,  过润秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘交叠栅异质结场效应晶体管，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、钝化层(8)、交叠栅(10)和保护层(12)，该势垒层上开有第一凹槽(6)，该钝化层上开有第二凹槽(9)，其中，钝化层上交叠栅与漏极之间淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自交叠栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与交叠栅通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的微波功率器件。

公开(公告)号：CN101414635B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810232529.0

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 毛维 ,  杨翠 ,  郝跃 ,  过润秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、绝缘介质层(7)、绝缘槽栅(8)、钝化层(9)、栅场板(10)、漏场板(12)和保护层(13)，该漏场板(12)与漏极(5)电气连接，该栅场板(10)与绝缘槽栅(8)电气连接，其中，势垒层上开有凹槽(6)；栅场板与漏场板之间的钝化层上淀积有n个浮空场板(11)。每个浮空场板大小相同且相互独立，且按照等间距的方式分布于栅场板与漏场板之间。n个浮空场板与栅场板和漏场板在钝化层上通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性强和输出功率高的优点，可制作大功率器件。

公开(公告)号：CN101414624B

公开(公告)日：2010-06-30

申请号：CN200810232531.8

申请日：2008-12-01

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郝跃 ,  过润秋 ,  毛维 ,  杨翠

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种Γ栅异质结场效应晶体管及其制作方法，该器件自下而上包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(10)，该钝化层(6)上开有凹槽(7)，其中，钝化层(6)上Γ栅(8)与漏极(5)之间淀积有n个浮空场板(9)，n≥1，构成复合的栅场板结构。每个浮空场板大小相同，相互独立，且相邻两浮空场板之间的间距按照浮空场板排列自Γ栅到漏极方向的个数依次递增。n个浮空场板处于浮空状态，并与Γ栅通过一次工艺完成。本发明具有工艺简单、可靠性好、稳定性强、频率特性好和输出功率高的优点，可制作基于III-V族化合物半导体异质结结构的高频大功率器件。