公开(公告)号：CN113644136A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202110688273.X

申请日：2021-06-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  胡啸林 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/864 ,  H01L21/329 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明公开了一种基于横向结构的雪崩二极管及其制备方法，所述方法包括：按照第一生长参数，基于衬底层生长N极性GaN层；按照第二生长参数，基于所述N极性GaN层生长n型AlxGa1‑xN势垒层，以得到AlxGa1‑xN/GaN异质结；对所述AlxGa1‑xN/GaN异质结进行刻蚀操作，以在所述n型AlxGa1‑xN势垒层两侧刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，以及在所述N极性GaN层和所述n型AlxGa1‑xN势垒层上方刻蚀出第三凹槽，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽使所述AlxGa1‑xN/GaN异质结形成台面结构；在所述第一凹槽和所述第二凹槽中进行蒸发溅射处理，以得到肖特基接触电极和欧姆接触电极。本发明制备的所述二极管能够利用较高的载流子迁移率和饱和漂移速度，提高工作频率，提高二极管的应用范围。

公开(公告)号：CN114566545A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202210116370.6

申请日：2022-02-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  陈尧 ,  岳航博 ,  胡啸林 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/10 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂In0.7Ga0.3As主沟道、第二未掺杂In0.22Ga0.78As副沟道、未掺杂InAlAs隔离层、delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持高In组分沟道的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。

公开(公告)号：CN114582973A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210116368.9

申请日：2022-02-07

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 杨林安 ,  陈尧 ,  胡啸林 ,  岳航博 ,  马晓华 ,  郝跃

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种平面掺杂磷化铟基高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、未掺杂InP副沟道、下delta‑doping层、未掺杂InGaAs沟道、未掺杂InAlAs隔离层、上delta‑doping层、未掺杂InAlAs势垒层、n+InGaAs源极帽层、n+InGaAs漏极帽层、源极电极、漏极电极、钝化层和栅极电极。本发明能够提高InP基HEMT的击穿电压，并保持较高的输出特性和截止频率，提高晶体管均匀性和重复性的稳定性，能够满足InP基电子器件在低功耗低噪声、数字电路领域的应用要求。