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公开(公告)号：CN111146331A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010253658.9
申请日：2020-04-02
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 本发明提供了一种线性霍尔芯片的封装结构及封装方法，属于传感器封装技术领域，包括：金属基板框架，其上开设有一个凹槽；线性霍尔芯片，安装于金属基板框架上，其中，线性霍尔芯片上设置有一个霍尔元件，且该霍尔元件与凹槽的位置相对应。本发明提供了一种线性霍尔芯片的封装结构及封装方法，抑制和降低由于磁通密度变化而引起的涡电流效应，提高霍尔电流传感器的带宽，降低输出响应时间和输出误差。
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公开(公告)号：CN107356890A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710462378.7
申请日：2017-06-19
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R33/07
CPC classification number: G01R33/07
Abstract: 本发明公开了一种基准可调的可编程线性霍尔传感器芯片，其包括霍尔盘、斩波放大器、基准电压控制电路、可调增益放大器、静态输出控制电路，霍尔盘感应磁场信号将其转化为霍尔电压信号，通过斩波放大器，消除失调，进入可调增益放大器，通过基准电压控制电路控制斩波放大器的基准电压，通过增益调整电路控制可调增益放大器的增益，通过零点调整电路控制调节静态输出控制电路的零点输出。本发明的优点在于：1、不仅可以实现内部基准的输出，而且可以允许外部基准的输入，实现静态输出电压跟随外部基准电压。2、能够实现静态输出电压的一致性，解决了由于制作工艺误差而导致的输出电压不同的问题。3、能够精确控制增益大小。
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公开(公告)号：CN118762737B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411240561.9
申请日：2024-09-05
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路，设置有电源隔离控制电路单元、熔丝电路单元以及地线隔离控制电路单元；电源隔离控制电路单元和地线隔离控制电路单元分别与熔丝电路单元连接。该带隔离功能的熔丝可编程控制电路在使用时通过电源隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程电源的隔离和地线隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程地线的隔离，避免芯片在上电过程中或使用过程中受电源毛刺干扰被异常熔断，提高熔丝编程的可靠性。
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公开(公告)号：CN118858737A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411349801.9
申请日：2024-09-26
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种异形母排电流传感器及其电流测试方法，包括母排本体、内凹切口槽以及差分磁敏感芯片，内凹切口槽包括第一内切口和第二内切口，第二内切口沿母排本体的宽度方向对母排本体做减薄处理。本发明在内凹切口槽形成与磁敏感芯片相对应的阶梯结构，可以适应母排本体电流流通时电流分布高低频不同所产生的影响，解决带宽减少的问题，本发明还具有较好的通流能力和较小的位置误差，以增强电流检测的效果。
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公开(公告)号：CN118393408B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410855624.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118762737A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411240561.9
申请日：2024-09-05
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种带隔离功能的熔丝可编程控制电路，设置有电源隔离控制电路单元、熔丝电路单元以及地线隔离控制电路单元；电源隔离控制电路单元和地线隔离控制电路单元分别与熔丝电路单元连接。该带隔离功能的熔丝可编程控制电路在使用时通过电源隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程电源的隔离和地线隔离控制电路单元对电源隔离控制电路单元中编程地线的隔离，避免芯片在上电过程中或使用过程中受电源毛刺干扰被异常熔断，提高熔丝编程的可靠性。
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公开(公告)号：CN118434265B
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410890900.1
申请日：2024-07-04
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种单芯片集成3D霍尔器件及制备方法，其中单芯片集成3D霍尔器件设置有：STI隔离槽、第一P型埋层、第二P型埋层、N型电极、氧化层、第三P型阱和金属层。该单芯片集成3D霍尔器件包括有4个第一N型电极和1个第二N型电极，其中4个第一N型电极中在检测垂直磁场时互相垂直的电极互为偏置电极和霍尔电压检测电极，在检测水平磁场时4个第一N型电极代表X或Y方向电流，当有垂直于电流方向的平行磁场穿过时，沿另一个垂直方向会产生感应电势，集中在第二N型电极，从而检测到Y或X方向磁场感应产生的霍尔电压。该器件在P型硅晶圆衬底中形成，其霍尔有源功能区的最大尺寸仅在30μm～50μm范围内，因此其尺寸非常小。
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公开(公告)号：CN118393408A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410855624.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
Abstract: 一种集成磁芯及水平型霍尔元件的集成芯片及其制备方法，通过晶圆键合方式将两片磁通聚集器分别与霍尔ASIC芯片对准，然后分别晶圆键合至霍尔ASIC芯片的上表面和下表面，形成一体化的集成芯片；在每片磁通聚集器中均设置有磁通聚磁薄膜，在水平型霍尔ASIC芯片设置有水平型霍尔元件。本发明通过磁通聚集器与霍尔ASIC芯片形成一体化的集成芯片，其中磁通聚磁薄膜能起到汇聚磁感应线、放大被检测磁场强度，实现与铁磁芯相同的功能。该集成芯片无需使用大块铁磁芯，能够实现霍尔电流检测芯片的微型化；实磁通聚磁薄膜与水平型霍尔元件的微米级精对准，明显优于目前磁铁芯装配的对齐精度。
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公开(公告)号：CN117133743A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311386811.5
申请日：2023-10-25
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/495 , H10N52/80
Abstract: 本发明公开了一种减弱涡流效应的焊盘、引线框架及传感器封装结构，应用于半导体制备领域，该焊盘包括：第一焊盘部件和第二焊盘部件，第一焊盘部件和第二焊盘部件设置在芯片放置区域的相邻的两侧，且第一焊盘部件和第二焊盘部件导连，以使第一焊盘部件和第二焊盘部件，对芯片放置区域在相邻的两侧形成包围。本发明中通过将焊盘设置为沿芯片相邻的两侧布置，能够进一步减少金属框架内形成闭合涡流回路，削弱反向磁场的影响，进而提高传感器检测的灵敏度以及检测精度，同时通过减少金属焊盘的面积，在封装芯片时提高芯片与塑封体的接触面积，进而降低结构产生的应力，避免产生分层现象，提高了结构的稳固性。
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公开(公告)号：CN116068239A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310325433.3
申请日：2023-03-30
Applicant: 宁波中车时代传感技术有限公司
IPC: G01R1/04 , G01R15/20 , G01R19/00 , B29C45/00 , B29C45/14 , B29C71/02 , H10N52/00 , H10N52/80 , H10N52/01
Abstract: 本发明提供了一种电流传感器的封装结构及封装工艺，该电流传感器的封装结构安装有具有开口的磁芯和磁敏感器件，包括基体，其上设置有第一安装部与第二安装部以及设于两者之间的第一连接部，其中，第一安装部用于安装磁芯，且磁芯的开口端穿过第一连接部朝第二安装部方向延伸并与第二安装部形成容纳腔，磁敏感器件安装于容纳腔内，分别与磁芯和第二安装部连接；涂抹层，设置于基体、磁芯以及磁敏感器件三者之间，对基体与磁芯以及磁敏感器件三者之间连接处的缝隙进行填充，实现基体与磁芯以及磁敏感器件之间的无间隙连接。本发明提供的一种电流传感器的封装结构及封装工艺，适用于大电流检测、性能稳定且可批量生产的电流传感器。
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