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公开(公告)号：CN108517559A
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201810184340.2
申请日：2018-03-07
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于离子注入的应用领域，具体为一种基于蒙特卡洛模拟辅助控制离子注入时间的方法。本发明以SRIM为基础，模拟氩离子注入钛酸锶晶体，将每个单位时间作为一个分段，结合反复迭代计算来控制离子注入的时间或剂量等因素精确控制氧空位浓度，得出具有实验意义的控制时间。解决了SRIM模拟不能设置时间参数的问题，通过将时间切分为每一个单位时间，以单位时间连续推进求解，最终得到了一条时间与非晶化层厚度的关系，能辅助实际实验过程中对离子注入剂量的控制。避免了实验中仅仅依靠实验者的经验而决定注入的时间，是一套具有实际实验意义的模拟计算方法。
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公开(公告)号：CN107121035B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201710506529.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于火工品领域，具体涉及一种高能量转换率复合含能薄膜桥。该高能量转换率复合含能薄膜桥(爆炸箔)，从下至上依次包括基片、金属膜桥和含能薄膜层，还包括聚四氟乙烯PTFE薄膜层和二个电极焊盘。金属膜桥设置在基片之上，其上方直接接触的为一聚四氟乙烯薄膜层；含能薄膜层最少一层，且与金属膜桥不直接接触；聚四氟乙烯薄膜层最少一层，位于金属膜桥上方，不同聚四氟乙烯薄膜层之间不直接接触，结构上通过含能薄膜层隔开；二个电极焊盘分别与聚四氟乙烯薄膜层和含能薄膜层两端实现电接触，置于金属膜桥之上。本发明具有体积小、起爆能量低、能量转换率高的优异效果。
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公开(公告)号：CN107605713A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201711017409.4
申请日：2017-10-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种大流量的无阀微泵，属于流体机械领域。本发明通过设计收缩/扩散管的窄口宽度为与主腔体连接口的最小长度；以及控制泵膜使主腔体体积改变的方向与压缩管和扩散管在一个平面内。有助于在扩散/收缩管出口处形成湍流，减少液体回流，提高微泵工作输出效率；泵体材料选用玻璃或金属的易加工材料。相比现有技术，本发明的加工成型和装配方便；减少液体不必要的回流，大幅提高微泵工作效率，提升流量。
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公开(公告)号：CN107267944A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710542699.8
申请日：2017-07-05
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜电阻应变计技术领域，提供一种具有温度自补偿的高温薄膜半桥式电阻应变计及制备方法，适用于原位温度不宜直接测得或者温度处于动态波动的高温环境。本发明半桥式电阻应变计，包括从下向上依次层叠的镍基合金基底、缓冲层、绝缘层、功能层及保护层，功能层由两个相同结构的图形化应变敏感单元构成，两个图形化应变敏感单元相互垂直设置、共同构成一个半桥式结构；将该薄膜半桥式电阻应变计接入惠斯通桥式电路中，能够有效的自补偿测试过程中由于温度波动(变化)引起的视应变误差以及敏感层电阻漂移所引起的漂移应变误差，从而提高应变计的测试精度和准确度；另外，其制备工艺简单、制备成本低、利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107201502A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710311816.X
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: Y02T50/6765 , C23C14/35 , C23C14/0664 , C23C14/08 , C23C14/185 , C23C14/5806 , G01M15/00
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，提供一种带自愈合复合防护层的高温薄膜传感器及其制备方法，用以实现传感器微型化、薄膜化应用；本发明薄膜传感器由自下而上依次设置的衬底、薄膜传感器敏感功能层和自愈合复合防护层所构成，其中，所述自愈合复合防护层的结构自下而上依次为YSiO/HfSiBCN周期性多层膜结构，防护层的最下层以及最上层均为YSiO低氧扩散系数层。本发明采用具有周期性多层膜结构的自愈型复合防护层，YSiO低氧扩散系数层和HfSiBCN自愈合层交替沉积形成“层层设防”的抗氧化防护体系，从而使薄膜传感器能够在600℃～1500℃高温条件下能够长时间工作，具有耐高温、耐腐蚀、抗氧化、响应迅速等优点。
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公开(公告)号：CN104876231B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：CN201510249584.0
申请日：2015-05-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B33/20
Abstract: 一种La3Ga5SiO14薄膜的制备方法，属于薄膜材料制备领域。包括以下步骤：1)以硝酸镓、硝酸镧作为前驱物，硅酸四乙酯提供硅源，柠檬酸作为螯合剂，乙醇作为溶剂配制前驱体溶胶；2)将前驱体溶胶涂覆于基片上，放入管式炉内150～200℃热处理60～90min；3)将前驱体溶胶涂覆于上步得到的基片上，放入管式炉内300～400℃热处理60～90min；4)交替进行步骤2)、步骤3)的操作，完成4～20次旋涂和热处理后，将基片放入管式炉内，在1200～1300℃热处理1～5h，冷却，即在基片上得到LGS薄膜。本发明工艺简单，成本低廉，降低了对实验环境的要求，且得到的LGS薄膜表面致密。
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公开(公告)号：CN106872917A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710123217.5
申请日：2017-03-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01R33/20
Abstract: 本发明公开了一种测试磁性材料铁磁共振线宽面内分布的方法及系统，涉及磁性材料参数测试技术领域。本发明能够克服现有技术中微波探针尖端在测试磁性材料中形成微波磁场很弱的缺点，本发明通过增强微波探针的尖端在磁性材料中形成的微波磁场，使得矢量网络分析仪获得更强的返回信号，进而能够用于测试更薄的磁性薄膜的铁磁共振线宽；本发明能够通过分析磁性薄膜样品各区域的铁磁共振线宽的差异进一步反映磁性薄膜的均匀性，相比于传统的光学测试方法具有快速、简便的优势。
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公开(公告)号：CN104805405B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510150589.8
申请日：2015-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN106098937A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610704333.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。
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