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公开(公告)号：CN118504652B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202410519825.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了机器人运动决策的离线强化学习方法及控制方法，本发明通过将集成的部分与强化学习训练部分解耦，放入反探索奖励建模的部分，从而大幅度了离线强化学习算法训练时间成本并且极大降低了对算力设备的要求。本发明通过集成式的随机网络蒸馏方法对训练中输入的状态‑动作对进行预测并计算出对应的反探索奖励，通过利用神经网络自身的泛化性来约束智能体探索，无需控制散度约束的力度，避免了超参数设置不当带来的约束过强或者过弱的问题。
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公开(公告)号：CN105514268A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510957045.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发属于CMOS超大规模集成电路中的非挥发存储器的改性及其制造技术领域，具体涉及一种高开关比阻变存储器及其制备方法。该高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层、衬底。阻变材料层为三层同质结的金属氧化物构成，且该三层同质结金属氧化物结构的中间层氧空位浓度大于两边层。衬底采用表面热氧了一层SiO2的Si衬底。本发明通过控制三层同质结的生长氧分压，从而导致它们的氧空位浓度不同，能够是氧空位更易发生移动，以得到较高的开关比，从而使得不同信息间的存储状态更好地区分开，进而避免串扰现象。
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公开(公告)号：CN102903789A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210234659.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料；热敏感薄膜厚度为15~20um；3）在热敏感单元的表面制作红外吸收层；4）用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单，可以实现薄膜的大面积低温制备，满足与ROIC电路兼容的要求。
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公开(公告)号：CN102817003A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210284436.9
申请日：2012-08-10
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 薄膜材料倒筒靶溅射枪，属于真空技术领域，本发明包括带有阴极和阳极的腔壁，腔壁内为两端开口的空腔，腔壁外设置有冷却装置，腔壁的一个端口处设置有负离子吸收装置，所述负离子吸收装置位于空腔以外。本发明避免了脱落的靶材发生二次溅射，从而优化了薄膜的成膜质量和表面平整度。
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公开(公告)号：CN106910822A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201710163651.6
申请日：2017-03-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种阻变薄膜存储器及其制备方法。本发明通过控制离子注入的区域进而在与光刻掩膜一致的图形范围内引入缺陷，将在阻变行为中起关键作用的导电细丝的生长控制在预定范围内，从而大大提高阻变单元阻变性能的可控性和不同阻变单元之间性能的一致性。而且离子注入区域的形状、大小、数量和位置均可调控，以便在未注入区域实现其它功能。本发明可以很好地调控阻变单元的性能，提升阻变单元阻变的性能，同时提高同一薄膜上不同阻变单元的一致性，可以制备出性能优越可控、制作工艺简单、一致性好的具有广泛应用性的导电细丝型阻变存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118504652A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410519825.8
申请日：2024-04-28
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了机器人运动决策的离线强化学习方法及控制方法，本发明通过将集成的部分与强化学习训练部分解耦，放入反探索奖励建模的部分，从而大幅度了离线强化学习算法训练时间成本并且极大降低了对算力设备的要求。本发明通过集成式的随机网络蒸馏方法对训练中输入的状态‑动作对进行预测并计算出对应的反探索奖励，通过利用神经网络自身的泛化性来约束智能体探索，无需控制散度约束的力度，避免了超参数设置不当带来的约束过强或者过弱的问题。
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公开(公告)号：CN105006499A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510381720.1
申请日：2015-06-30
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/09 , H01L31/0203 , H01L31/024 , H01L31/02
CPC classification number: H01L31/09 , H01L31/02 , H01L31/0203 , H01L31/024
Abstract: 本发明属于电子材料与元器件技术领域，提供一种基于FPC柔性衬底的全集成热补偿型热释电红外探测器，包括：器件外壳、器件底座、设置在底座上的电路板；所述电路板为FPC柔性电路板，该电路板上表面集成有场效应管和双元敏感元，所述双元敏感元中每一个敏感元由从下往上依次设置在电路板上的下电极、复合材料层和上电极构成，且双元敏感元上电极相连接；所述双元敏感元中其中一个敏感元还包括设置在上电极上的红外吸收层、构成热释电红外敏感元，其下电极与所述场效应管的栅极相连接；另一个则成为热释电补偿敏感元，其下电极作为探测器的接地端。该热补偿型热释电红外单元探测器具有性能优越、制作简单、生产成本低、生产效率高的优点。
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公开(公告)号：CN102903789B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210234659.4
申请日：2012-07-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料；热敏感薄膜厚度为15~20um；3）在热敏感单元的表面制作红外吸收层；4）用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单，可以实现薄膜的大面积低温制备，满足与ROIC电路兼容的要求。
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公开(公告)号：CN106098937A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610704333.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。
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