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公开(公告)号：CN109359734A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811245921.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组)，使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值，并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响，从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。
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公开(公告)号：CN105514268A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510957045.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发属于CMOS超大规模集成电路中的非挥发存储器的改性及其制造技术领域，具体涉及一种高开关比阻变存储器及其制备方法。该高开关比阻变存储器，自上而下依次包括顶电极、阻变材料层、底电极、粘接层、衬底。阻变材料层为三层同质结的金属氧化物构成，且该三层同质结金属氧化物结构的中间层氧空位浓度大于两边层。衬底采用表面热氧了一层SiO2的Si衬底。本发明通过控制三层同质结的生长氧分压，从而导致它们的氧空位浓度不同，能够是氧空位更易发生移动，以得到较高的开关比，从而使得不同信息间的存储状态更好地区分开，进而避免串扰现象。
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公开(公告)号：CN118095383A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410235527.6
申请日：2024-03-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明属于忆阻器神经网络计算领域，具体涉及一种基于忆阻器的神经元自适应阈值调节方法。本发明引入忆阻器和传感器协同调控人工神经元的阈值，通过传感器接受外界刺激，传感器接受到外界刺激时自适应的向忆阻器施加电刺激，忆阻器接受到电刺激后发生电阻变化，忆阻器上的分压也发生变化，从而实现神经元阈值依据外界环境变化的自适应调控；本发明彻底解决了当前人工神经元阈值难以依据外界变化而进行自适应调控的问题，使得神经形态计算芯片中的人工神经元具备灵活性和环境适应性，进而使之能够适应更为复杂多变的场景。
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公开(公告)号：CN116129961A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310127702.5
申请日：2023-02-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: G11C13/00 , G06F18/241
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种对忆阻交叉阵列器件电阻状态的设置方法。本发明通过依次采用电导分类法和逐次逼近法对大规模忆阻交叉阵列的各目标忆阻单元的电阻状态进行设置；其中电导分类法通过先设置小电导后设置大电导可以减小对周围忆阻单元的影响；逐次逼近法通过施加至少两轮电压幅值依次减小的写脉冲信号，可将忆阻单元较为准确地设置于目标阻值附近，同时在设置过程中充分利用SET方向的良好线性度，避免了RESET过程存在突变时带来的不利影响。本发明以逐次逼近的方式更精确地设置到目标阻态Rtarget，并减小了阻态设置过程中对其他忆阻单元的影响；尤其适用于在基于忆阻交叉阵列的神经网络运算。
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公开(公告)号：CN109657787A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106098937A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610704333.1
申请日：2016-08-22
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理制备金属氧化物薄膜阻变存储器的方法，属于电子薄膜与元器件技术领域。存储器件结构包括：基片、下电极、掺氟金属氧化物以及上电极。该器件利用一种较为新颖的等离子体处理方法，方便可控的制备出缺陷分布均匀的金属氧化物阻变功能层。该层在电场作用下能够方便快速的实现导电通道的形成和断开切换，即器件的低阻状态和高阻状态。同时，具有超低的工作电压。上电极通过掩膜的方法制备，可以极大地缩小器件尺寸，提高集成密度。经过测试发现，用此方法制备出的器件，性能优异。综上所述，在本发明中，我们实现了一种简单、可控、高效切低成本的制备高性能、小尺寸的阻变型存储器的方法。且性能一致性较好，为将来的大面积阻变阵列生产提供了一个可行方法，有极大地应用前景。
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公开(公告)号：CN105181621A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510528726.7
申请日：2015-08-26
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，提出了一种全集成红外气体传感器，由微型气室与集成模块键合构成，其中，集成模块包括硅衬底以及硅衬底上的红外光源、红外探测器和信号处理电路；微型气室由上、下硅片键合构成，所述上硅片开设气孔，所述下硅片开设V型微槽、与上硅片及其气孔组合形成光腔，V型微槽两端开设红外光源窗口和红外敏感元窗口；所述红外光源、红外探测器分别与红外光源窗口、红外敏感元窗口对应设置。本发明微型气室采用上、下硅片键合的结构设计，有效减小气室体积；且蛇形的V型微槽能够增加光程长度、提高测量精度；即本发明提供全集成红外气体传感器具有体积小、测量精度高、制备成本低的优点。
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公开(公告)号：CN116259577A
公开(公告)日：2023-06-13
申请号：CN202310273677.1
申请日：2023-03-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L21/768 , H01L21/44
Abstract: 本发明属于电子薄膜与元器件技术领域，具体为一种刻蚀通孔引出薄膜器件下电极的方法。本发明通过在薄膜器件下电极使用高选择比的金属材料形成保护层来保护薄膜器件下电极，防止刻蚀通孔时对下电极造成损伤；由于保护层区域和材料的设计，在刻蚀时可以使得通孔的形状更加精确，且能够更好的控制刻蚀速率和刻蚀深度。本发明极大的降低刻蚀对薄膜器件下电极的损伤，大幅提高了刻蚀通孔的完整性与稳定性，极大地降低了工艺系统误差对加工精度的影响，提高了容错率，可广泛的应用在薄膜器件制造领域，特别是要求高精度通孔的薄膜器件的制造领域。
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公开(公告)号：CN109359734B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811245921.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组)，使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值，并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响，从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。
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公开(公告)号：CN111076770A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911248554.2
申请日：2019-12-09
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01D21/02
Abstract: 本发明属于电子信息材料与元器件MEMS微细加工领域，具体涉及一种传感元件与忆阻器结合的多模态智能传感器。本发明通过在传感单元阵列中的每一个像素点中集成多种不同的传感单元，从同一角度同时探测不同物理量的分布；将传感单元阵列与忆阻器阵列结合，通过忆阻器阵列来完成人工神经网络的计算，从而在传感器端对传感单元阵列的信号进行初步的智能识别与判断，实现人工智能的功能，从而极大地减少传感器与中央处理器之间的数据传输量和次数，进而减少后续应用的计算时间与能耗，同时使某些由于传输条件的原因无法实现大量多次传感器与中央处理器之间数据传输而无法实现的功能得以实现。
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