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公开(公告)号：CN104729961B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201510140140.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 该发明公开了一种各向异性导电膜中粒子的检测方法，应用于COG、FOG制程中的ACF粒子自动光学检测方法,特别涉及检测压制的导电粒子。该方法根据粒子图像的灰度及位置特征，进行特征合并，再通过梯度场的量化，避开了大量的数据运算，在运算速度上完全能跟上实际的生产节拍。本方法检测正确率很高，能取代人工的电气检测和显微镜检测，可以广泛应用于COG和FOG生产中的自动光学检测。
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公开(公告)号：CN103955080A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410176077.4
申请日：2014-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/13
Abstract: 该发明一种采用多摄像头的液晶屏缺陷检测采图装置，属于液晶缺陷检测领域，特别是针对高分辨率的液晶屏缺陷的检测。该发明通过将多个低像素的摄像头采用阵列的方式设置在同一基座上，替代传统方法采用单个高像素摄像头检测液晶屏的缺陷，检测过程中该发明装置的各个摄像头只需要拍摄检测液晶屏的一小部分，然后将所有摄像头拍摄的图像拼接起来，形成整个液晶屏的图像，再检测液晶屏的缺陷，从而具有采集图像清晰、成本低、扩展性高、图像采集快、适用于高分辨率液晶屏检测的效果。
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公开(公告)号：CN109657787A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811552899.2
申请日：2018-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种二值忆阻器的神经网络芯片。本发明利用忆阻器具有的开关比，即存在高低两种阻态，与二值化神经网络结合起来以在不同材料的忆阻器上完成存储和运算，并将其与中央处理器结合，以提高神经网络的计算效率和速度。除执行神经网络算法外，本发明还可利用二值化神经网络架构进行类似于FPGA的现场编程；即输入经过特殊编码处理的数据流，对照其应输出结果按照二值化神经网络的方法进行现场学习，当正确率达到100％时即停止学习，该网络即可执行对应功能。
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公开(公告)号：CN105072330B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201510423786.2
申请日：2015-07-17
Applicant: 电子科技大学
IPC: H04N5/232
Abstract: 本发明公开了一种线阵相机的自动调焦方法，属于图像采集领域，特别涉及一种线阵相机的调焦方法。首先改变拍摄物体与相机之间的距离，同时用线阵相机对目标图像进行采集；分析采集到的每一帧图像，通过对图像像素点的值的大小进行分析，如果图像为全黑或者全白，则图像不符合要求，重新进行采集；其次将整个距离变化过程获得所有图像拼接为一幅图像；对拼接图像进行灰度化处理、去噪处理、增强处理；最后计算该图像中最清晰的位置，该位置对应的物体被采集图像时的位置即为最佳拍摄位置。本发明对比现有技术有成本低、速度快、计算量小的优点。
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公开(公告)号：CN111063800B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201911364219.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111063800A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201911364219.9
申请日：2019-12-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。
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公开(公告)号：CN109359734A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811245921.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组)，使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值，并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响，从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。
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公开(公告)号：CN104952081B
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201510424823.1
申请日：2015-07-20
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于极值差分统计特征的COG偏移检测方法，属于数字图像处理领域，具体涉及一种COG检测方法。本发明根据BUMP引脚压合区域的灰度梯度及位置特征，进行特征重组，再通过区域梯度场的量化，避开了大量的数据运算，在运算速度上完全能跟上实际的生产节拍。采用最小二乘法拟合多组计算数据，本方法检测正确率很高，能取代人工的电气检测和显微镜检测，可以广泛应用于COG生产中的自动光学检测。
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公开(公告)号：CN104729961A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510140140.3
申请日：2015-03-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N15/00
Abstract: 该发明公开了一种各向异性导电膜中粒子的检测方法，应用于COG、FOG制程中的ACF粒子自动光学检测方法,特别涉及检测压制的导电粒子。该方法根据粒子图像的灰度及位置特征，进行特征合并，再通过梯度场的量化，避开了大量的数据运算，在运算速度上完全能跟上实际的生产节拍。本方法检测正确率很高，能取代人工的电气检测和显微镜检测，可以广泛应用于COG和FOG生产中的自动光学检测。
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公开(公告)号：CN109359734B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201811245921.9
申请日：2018-10-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明涉及计算机与电子信息技术领域，具体涉及一种基于忆阻器单元的神经网络突触结构及其调节方法。本发明将多个忆阻器单元级联在一起作为一个电子突触(即级联忆阻器单元组)，使用一种加权的映射规则将其电阻值映射到神经网络中的突触权值，并采用全调节或分步调节的方式来避免神经网络在学习过程中因忆阻器无法精确调节所带来的影响，从而使各类神经网络均可在基于忆阻器的系统上正常运行。本发明解决了电阻值到突触权值的映射问题与忆阻单元阻值变化的不确定性问题。
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