公开(公告)号：CN111063800B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201911364219.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 帅垚 ,  梁翔 ,  王杰军 ,  乔石珺 ,  秦霞 ,  杨小妮

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。

公开(公告)号：CN111063800A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201911364219.9

申请日：2019-12-25

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 帅垚 ,  梁翔 ,  王杰军 ,  乔石珺 ,  秦霞 ,  杨小妮

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明涉及离子刻蚀、氧气退火与忆阻器领域，尤其涉及一种单晶LiNbO3薄膜忆阻器及其制备方法。本发明通过Ar+刻蚀技术轰击固体表面使表面原子溅射而被逐层剥离使LiNbO的厚度更进一步的降低，同时引入忆阻器所需的氧空位。代替现有技术采用真空退火工艺引入氧空位的手段，并同时降低阈值电压。并且通过氧气氛围下的退火以修复材料表面氧空位一类的缺陷，让引入的氧空位减少，调节材料表面氧空位浓度。最终本发明解决了单晶薄膜忆阻器阈值较高的问题，同时优化了器件的保持力和耐久力。