公开(公告)号：CN102901565A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210235653.9

申请日：2012-07-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: G01J5/00

Abstract: 非制冷红外探测器及制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括衬底、热敏感单元，热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的厚度为50nm-5um，所述热敏感薄膜的材料为VOx1，或非晶硅，或钛酸锶钡(Bax2Sr1-x2)TiO3，或锆钛酸铅Pb(Zrx3Ti1-x3)O3，或掺镧锆钛酸铅(Pby1La1-y1)(Zrx4Ti1-x4)O3，或钽钪酸铅Pb(Tax5Sc1-x5)O3;其中，1

公开(公告)号：CN102778441A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210240799.2

申请日：2012-07-12

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: G01N21/35

Abstract: 具有弯管气室的高精度红外气体传感器，涉及电子元器件技术领域。本发明包括光腔气室、光源、光源端封闭装置、探测器、探测器端封闭装置，所述光腔气室[6]为弯管气室。本发明增加了有效吸收光程长度，进而提高了测量精度，使热释电探测器接收到的红外光线分布均匀，可以进一步提高NDIR气体传感器的测量精确度。

公开(公告)号：CN102903789B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210234659.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料；热敏感薄膜厚度为15~20um；3）在热敏感单元的表面制作红外吸收层；4）用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单，可以实现薄膜的大面积低温制备，满足与ROIC电路兼容的要求。

公开(公告)号：CN102820420A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210284424.6

申请日：2012-08-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: H01L37/02

Abstract: BST薄膜经时击穿的调控方法，属于电子元器件技术领域，本发明包括下述步骤：A、将带有BST薄膜的双电容结构的一个输入电极接地；B、对另一个输入电极施加方波偏压。本发明可以保持BST热释电红外探测器工作在较稳定的漏电流状态下，不会影响器件的可靠性。

公开(公告)号：CN102903789A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210234659.4

申请日：2012-07-09

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 复合材料红外探测器制备方法，属于电子材料与元器件技术领域。本发明包括下述步骤：1）制备衬底和绝热层，衬底的厚度为0.01-10mm；绝热层的厚度为100nm~50um；2）在绝热层上制备热敏感单元，所述热敏感单元包括热敏感薄膜和电极，热敏感薄膜的材料为PZT/PVDF复合热释电材料；热敏感薄膜厚度为15~20um；3）在热敏感单元的表面制作红外吸收层；4）用激光刻蚀的方法对热敏感薄膜和电极进行图形化。本发明工艺简单，可以实现薄膜的大面积低温制备，满足与ROIC电路兼容的要求。

公开(公告)号：CN102817003A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201210284436.9

申请日：2012-08-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 吴传贵 ,  蔡光强 ,  罗文博 ,  彭强祥 ,  孙翔宇 ,  柯淋 ,  张万里 ,  王小川

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08

Abstract: 薄膜材料倒筒靶溅射枪，属于真空技术领域，本发明包括带有阴极和阳极的腔壁，腔壁内为两端开口的空腔，腔壁外设置有冷却装置，腔壁的一个端口处设置有负离子吸收装置，所述负离子吸收装置位于空腔以外。本发明避免了脱落的靶材发生二次溅射，从而优化了薄膜的成膜质量和表面平整度。