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公开(公告)号：CN104805405B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510150589.8
申请日：2015-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。
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公开(公告)号：CN104101451A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410339943.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双敏感源的声表面波传感器，属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括衬底基片，所述衬底基片为LGS衬底基片，衬底基片上设置有界面谐振器及AlN薄膜层，AlN薄膜层完全覆盖界面谐振器，AlN薄膜层上设置有表面谐振器，且表面谐振器在竖直方向的投影与界面谐振器的竖直投影重合，所述界面谐振器与表面谐振器皆为声表面波谐振器，声表面波谐振器中的金属薄膜电极的材质为耐高温金属。器件结构简单，能够同时对应力及温度进行有效监测，由于材质为LGS、AlN及耐高温金属，因而可适用于高温复杂环境，无源无线，稳定性强。本发明适用于对应力和温度同时进行监测。
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公开(公告)号：CN104990625A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510342196.7
申请日：2015-06-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波监测技术领域，提供一种谐振型声表面波传感器的无线测试电路，针对传统无线无源SAW传感器测试电路成本较高、检测速率慢、检测精度较的问题，本发明测试电路包括发射单元、接收单元、射频开关以及信号处理单元，其特性在于，所述发射单元包括依次连接的信号发生器和功率放大器，所述接收单元包括依次连接的低噪声放大器、功率探测器和低通滤波器，所述信号处理单元包括依次连接的A/D采集模块和数字信号处理器；发射单元和接收单元分别与射频开关连接，信号处理单元与接收单元连接。本发明能够有效简化电路结构、降低成本，同时有效提高检测电路的检测速率和检测精度。
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公开(公告)号：CN104805405A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510150589.8
申请日：2015-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种氮化铝压电薄膜及其制备方法，属于压电薄膜制备技术领域。该氮化铝压电薄膜，包括钛合金基片，所述钛合金基片上由下而上依次设置有氮化铝过渡层和氮化铝功能层，所述氮化铝过渡层中铝元素与氮元素的比例范围为1:1.3～1:1.5，氮化铝功能层中铝元素与氮元素的比例范围为1:0.9～1:1.1，氮化铝过渡层和氮化铝功能层的整体厚度范围为1.5～6μm，c轴取向，应力范围为50～500MPa。本发明采用同质过渡层技术，通过引入过渡层，提高了薄膜的附着性，克服了钛合金表面粗糙度大的不利影响，在与氮化铝晶格匹配度低的钛合金表面制备了高取向低缺陷的氮化铝薄膜。利用中频磁控溅射设备制备氮化铝薄膜，工艺简单易行，沉积速度快，成本低廉；适用于制备氮化铝压电薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104101451B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410339943.7
申请日：2014-07-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种双敏感源的声表面波传感器，属于电子功能材料与器件技术领域。该传感器包括衬底基片，所述衬底基片为LGS衬底基片，衬底基片上设置有界面谐振器及AlN薄膜层，AlN薄膜层完全覆盖界面谐振器，AlN薄膜层上设置有表面谐振器，且表面谐振器在竖直方向的投影与界面谐振器的竖直投影重合，所述界面谐振器与表面谐振器皆为声表面波谐振器，声表面波谐振器中的金属薄膜电极的材质为耐高温金属。器件结构简单，能够同时对应力及温度进行有效监测，由于材质为LGS、AlN及耐高温金属，因而可适用于高温复杂环境，无源无线，稳定性强。本发明适用于对应力和温度同时进行监测。
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公开(公告)号：CN104118844A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410334894.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤：首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期，降低实验成本。
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公开(公告)号：CN104990625B
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201510342196.7
申请日：2015-06-18
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于声表面波监测技术领域，提供一种谐振型声表面波传感器的无线测试电路，针对传统无线无源SAW传感器测试电路成本较高、检测速率慢、检测精度较的问题，本发明测试电路包括发射单元、接收单元、射频开关以及信号处理单元，其特性在于，所述发射单元包括依次连接的信号发生器和功率放大器，所述接收单元包括依次连接的低噪声放大器、功率探测器和低通滤波器，所述信号处理单元包括依次连接的A/D采集模块和数字信号处理器；发射单元和接收单元分别与射频开关连接，信号处理单元与接收单元连接。本发明能够有效简化电路结构、降低成本，同时有效提高检测电路的检测速率和检测精度。
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公开(公告)号：CN104118844B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410334894.8
申请日：2014-07-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种硅基背面减薄方法，涉及刻蚀工艺。该方法包括以下步骤：首先，配合使用生料带与硅胶，使得硅基片除背面待减薄区域之外的其它表面得到完全密封；其次，待硅胶充分固化后，采用腐蚀液对硅基片背面待减薄区域进行腐蚀，使得硅基背面待减薄区域减薄至所需厚度；进而，减薄工艺完成后，去除生料带。由于硅胶及生料带成本低廉，安全性好，因此该方法有效克服现有技术中进行硅基减薄时保护其正面器件图形的方法成本高或使用局限性强的缺点，此外本方法适用于对不同尺寸的硅基减薄，尤其适用于实验室中应用，缩短实验周期，降低实验成本。
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公开(公告)号：CN106225948A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201610602402.8
申请日：2016-07-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/26
CPC classification number: G01K11/265
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域，具体为一种双声表面波温度传感器及其设计方法。本发明通过将两个SAW谐振器设计集成于同一块压电基片上；两个SAW谐振器IDT的垂线互为夹角a，20°≤a≤160°，主体结构之间不相互接触。本发明所制成的双SAW温度传感器能实现全温度范围内即基片所能承受温度对温度的测量，并显著提高传感器谐振频率随温度变化的线性度。
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