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公开(公告)号:CN106840056A
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201611233408.9
申请日:2016-12-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01B17/04
CPC classification number: G01B17/04
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域,具体为一种基于硅酸镓镧的双声表面波应变传感器及其设计方法。本发明通过在同一块LGS基片上关于欧拉角为(0°,138.5°,90°)对称的两个切向上分别制作一个声表面波谐振器,利用两个谐振器温度频率特性相同的特点,从而制成双SAW应变传感器,旨在消除SAW应变传感器在应变测试的过程中温度对于它的影响。本发明所设计的双SAW应变传感器能将应变从温度的影响中分离出来,极大地减小了温度对于应变测试所造成的影响,可以在任何基片能承受的温度范围内,实现对应变的准确测量。
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公开(公告)号:CN106225948A
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201610602402.8
申请日:2016-07-27
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01K11/26
CPC classification number: G01K11/265
Abstract: 本发明属于声表面波传感器的设计领域,具体为一种双声表面波温度传感器及其设计方法。本发明通过将两个SAW谐振器设计集成于同一块压电基片上;两个SAW谐振器IDT的垂线互为夹角a,20°≤a≤160°,主体结构之间不相互接触。本发明所制成的双SAW温度传感器能实现全温度范围内即基片所能承受温度对温度的测量,并显著提高传感器谐振频率随温度变化的线性度。
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