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公开(公告)号：CN109524363A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201710840250.X
申请日：2017-09-18
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提出了一种压接式子单元和制造其的方法，该压接式子单元具有塑料框，其具有上下贯彻的通孔；芯片单元，其具有从下到上依次设置的第一垫块、芯片和第二垫块，其中，第一垫块延伸到通孔内，芯片通过绝缘胶固定在塑料框的上表面上，该压接式子单元通过塑料框代替了需要灌注成型的绝缘胶框，其结构简单，尤其是，该结构的生产工艺简单，避免了使用额外的复杂的灌注成型模具，其生产效率大幅提高，另外，由于上述结构的塑料框通过绝缘胶与芯片单元粘附为一体，避免了高温导致的塑料框脱附问题，增加了子单元的使用安全性。
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公开(公告)号：CN108231714A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201611153311.7
申请日：2016-12-14
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其制作方法，功率模块包括：芯片，用于布置芯片的衬板，以及用于将芯片、衬板封装在液冷散热器上的封装外壳。衬板包括：陶瓷层、正面金属化层、背面金属化层和针翅状阵列。正面金属化层布置于陶瓷层的上表面，背面金属化层布置于陶瓷层的下表面。针翅状阵列位于陶瓷层的下表面，且针翅状阵列与陶瓷层为一体式结构。衬板通过焊接或烧结等方式设置在液冷散热器的上表面。本发明能够解决现有功率模块基板拱度控制难度大，模块散热效率低，密封不可靠而易引发漏液的技术问题。
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公开(公告)号：CN107706168A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610650357.3
申请日：2016-08-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/488 , H01L21/565 , H01L23/3171 , H01L23/3185
Abstract: 本发明提出了一种子单元结构和制造其的方法。该子单元结构包括：芯片；与芯片的至少部分发射极相接触的发射极金属垫块；与芯片的集电极相接触的集电极金属垫块；包覆式设置在芯片的与发射极金属垫块和集电极金属垫块接触的表面之外的表面上的用于绝缘的绝缘胶框。该子单元结构结构简单，零件数目少，大大简化了封装模块的复杂程度，提高了生产效率。
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公开(公告)号：CN107240571A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710323534.1
申请日：2017-05-10
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L25/072 , H01L21/68 , H01L23/16
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片，包括该芯片的子模组及压接式封装模块，芯片包括：终端区，以及位于终端区内的有效区，有效区内设置有发射极区和栅极区。栅极区包括栅极电极、栅极母线，以及位于栅极电极外周的若干个外围栅极，栅极电极位于外围栅极包围区域的中心，栅极电极与外围栅极通过栅极母线相连。外围栅极包围的区域被栅极母线分隔成大小相同的若干子区域，该子区域内布置有发射极电极。外围栅极之间设置有断点，断点以中心和/或轴对称分布，位于外围栅极包围区域内和外围栅极外的发射极区通过断点连通。本发明能够解决现有模块难以实现各子模组间界面的均衡接触，以及结构和工艺复杂，成品率难以提高，难以实现批量制造的技术问题。
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公开(公告)号：CN206931600U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720774531.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开一种压接式IGBT模块，涉及电力电子技术领域，用于提高压接式IGBT模块的生产效率。所述压接式IGBT模块包括壳体，壳体上设有发射极和集电极；发射极和集电极之间设有至少一个IGBT子单元，且发射极面向IGBT子单元的表面设置PCB板，PCB板与IGBT子单元的栅极连接；发射极开设有引线柱容置通孔，引线柱容置通孔内设置栅极引线柱，且引线柱容置通孔与栅极引线柱绝缘；栅极引线柱靠近PCB板的一端与PCB板连接，栅极引线柱远离PCB板的一端悬空在引线柱容置通孔内。本实用新型提供的压接式IGBT模块用于半导体集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN205752165U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620659669.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN216564964U
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202122871932.1
申请日：2021-11-22
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H02M7/5387 , H02J7/34
Abstract: 本实用新型公开了一种充放电电路和逆变器，包括机械式直流断路器、母线电容子电路和放电子电路；所述机械式直流断路器包括主触点和辅助触点；所述主触点串接在母线上，所述辅助触点串接在所述放电子电路中；所述放电子电路与所述母线电容子电路并联连接；当所述放电电路处于放电状态时，所述主触点断开，带动所述辅助触点闭合状态，所述母线电容子电路经由所述放电子电路放电；当所述放电电路处于充电状态时，所述主触点闭合，带动所述辅助触点断开，所述母线对所述母线电容子电路进行充电。本实用新型能够降低动作延迟、提高了效率、减少误动作、提高放电电路的可靠性。
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公开(公告)号：CN222802733U
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202421523586.5
申请日：2024-06-28
Applicant: 中车株洲电力机车研究所有限公司 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于轨道交通设备的技术领域，具体涉及了一种牵引变流器。本申请通过一种牵引变流器，包括：箱体、预充电电路、变流器主体器件和冷却风机；所述箱体内的一侧设置有预充电腔室，所述预充电腔室内设置有预充电电路；所述箱体内的另一侧设置有L型的主体腔室，所述主体腔室的一端与所述预充电腔室相邻；所述变流器主体器件布置在所述L型的主体腔室中，且所述变流器主体器件的一端与所述预充电电路连接，另一端与机车连接；所述箱体内还设置有冷却腔室，所述冷却腔室位于所述预充电腔室和所述主体腔室之间；所述冷却风机设置在所述冷却腔室中。本申请的设备降低了风道长度，提升了变流器的集成度，降低了变流器的车长尺寸。
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公开(公告)号：CN205723548U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620667076.4
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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