公开(公告)号：CN1942091B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200610141623.6

申请日：2006-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  楠本直人

IPC: H05K13/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81192

Abstract: 本发明的目的在于提供一种拾取装置，其可以在防止粘结薄膜上的芯片受到损伤的情况下拾取芯片。此外，本发明的另一目的在于提供一种拾取装置，其以高成品率拾取粘结薄膜上的芯片。本发明的拾取装置包括：固定于支撑体、且保持附着有芯片的薄膜的框体；在旋转或移动的同时推压薄膜的没有附着芯片的面的推压单元；在用推压单元推压薄膜的同时或之后，夹持芯片的夹持单元；以及使夹持单元移动的移动器。

公开(公告)号：CN1873950B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200610088624.9

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  G06K19/077

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L27/1214

Abstract: 提供一种低成本和薄厚度的薄膜集成电路，不像常规玻璃基板或单晶硅基板，该薄膜集成电路适于大规模生产，以及一种薄膜集成电路装置或具有该薄膜集成电路的IC芯片的结构和工艺。半导体装置的制造方法包括以下步骤：在硅基板的一个表面上形成第一绝缘薄膜、在该第一绝缘薄膜上形成至少具有两个薄膜集成电路的层、形成覆盖该具有薄膜集成电路的层的树脂层、形成覆盖该树脂层的薄膜、研磨硅基板的形成具有薄膜集成电路的层的一个表面的背面，并抛光硅基板的研磨的表面。

公开(公告)号：CN101057327B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580038084.7

申请日：2005-11-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L25/00 ,  G06K19/077 ,  H01L21/56 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01Q1/2208 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01Q7/00 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/49018 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了一种用于ID芯片等的天线，其天线不平坦性已被平整化；还揭示了一种具有这种带平面的天线的IC芯片。这有利于制造带天线的集成电路。通过使导电膜11、树脂膜13、集成电路12和树脂膜14叠在一起而形成的层叠体被卷了起来，使得树脂膜14在外面。然后，通过加热使树脂膜13、14软化，便使层叠体形成卷形。通过沿着使卷曲的导电膜31看起来处于横截面中的那个方向对该卷曲的层叠体进行切割，便形成了由卷曲的导电膜11构成的带天线的IC芯片。

公开(公告)号：CN101479747A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200780023459.1

申请日：2007-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 道前芳隆 ,  青山智幸 ,  高桥秀和 ,  山田大干 ,  荻田香 ,  楠本直人

IPC: G06K19/077 ,  G06K19/07 ,  D21H21/48 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: D21H21/48 ,  B32B29/00 ,  D21H27/32 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 实现嵌有能无线通信的半导体器件的纸，其包括该半导体器件的部分的不均匀性不突出，且该纸是薄的，具有小于或等于130μm的厚度。半导体器件设置有电路部分和天线，且该电路部分包括薄膜晶体管。电路部分和天线与在制造期间所用的衬底分离，并介于柔性基片和密封层之间并被保护。该半导体器件可弯曲，且该半导体器件自身的厚度小于或等于30μm。该半导体器件在造纸工艺中被嵌入纸内。

公开(公告)号：CN100419950C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510005697.2

申请日：1995-09-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 中岛节男 ,  山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/423 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/093

Abstract: 在制造一种薄膜晶体管中，在一个衬底上形成一个非晶硅膜之后，通过利用含有作为促进硅结晶的金属元素的镍的溶液(乙酸镍溶液)的旋涂和通过热处理来形成一个硅化镍层。该硅化镍层选择地被构图以便形成岛状硅化镍层。非晶硅膜被构图。在移动激光器时辐照激光，以致于从硅化镍层被形成的区域产生晶体生长，和获得一个等效于单晶(单域区)的区域。

公开(公告)号：CN101057327A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200580038084.7

申请日：2005-11-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 楠本直人 ,  鹤目卓也

IPC: H01L25/00 ,  G06K19/077 ,  H01L21/56 ,  G06K19/07

CPC classification number: H01Q1/2208 ,  G06K19/07749 ,  H01L23/49855 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/82102 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01Q7/00 ,  Y10T29/49016 ,  Y10T29/49018 ,  H01L2924/00

Abstract: 揭示了一种用于ID芯片等的天线，其天线不平坦性已被平整化；还揭示了一种具有这种带平面的天线的IC芯片。这有利于制造带天线的集成电路。通过使导电膜11、树脂膜13、集成电路12和树脂膜14叠在一起而形成的层叠体被卷了起来，使得树脂膜14在外面。然后，通过加热使树脂膜13、14软化，便使层叠体形成卷形。通过沿着使卷曲的导电膜31看起来处于横截面中的那个方向对该卷曲的层叠体进行切割，便形成了由卷曲的导电膜11构成的带天线的IC芯片。

公开(公告)号：CN1964011A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146346.8

申请日：2006-11-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥秀和 ,  楠本直人

IPC: H01L21/603 ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 ,  G06K19/077

CPC classification number: B32B41/00 ,  B32B2309/12 ,  B32B2309/72 ,  B32B2519/02 ,  H01L21/67144 ,  H01L21/6835 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028

Abstract: 本发明的技术方案是：在压力检测薄膜上设置衬底；在衬底上选择性地设置元件组，以使提供在衬底上且用作天线的导电膜与提供在元件组且用作凸块的导电膜重叠；通过施加压力压合衬底和元件组，使形成在衬底上的导电膜和提供在元件组且用作凸块的导电膜电连接；以及当压合时，通过由压力检测薄膜检测施加到元件组的压力值和压力分布，并且基于检测的压力值和压力分布来控制当压合时施加的压力。

公开(公告)号：CN1942091A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610141623.6

申请日：2006-09-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山田大干 ,  楠本直人

IPC: H05K13/00 ,  H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67132 ,  H01L21/67144 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L24/95 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81192

Abstract: 本发明的目的在于提供一种拾取装置，其可以在防止粘结薄膜上的芯片受到损伤的情况下拾取芯片。此外，本发明的另一目的在于提供一种拾取装置，其以高成品率拾取粘结薄膜上的芯片。本发明的拾取装置包括：固定于支撑体、且保持附着有芯片的薄膜的框体；在旋转或移动的同时推压薄膜的没有附着芯片的面的推压单元；在用推压单元推压薄膜的同时或之后，夹持芯片的夹持单元；以及使夹持单元移动的移动器。本发明的选择图为图1A至1C。

公开(公告)号：CN1244161C

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN01137433.0

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。

公开(公告)号：CN1619771A

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN200410097810.X

申请日：1995-09-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  楠本直人 ,  寺本聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02672 ,  G02F1/13454 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3221 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757

Abstract: 在制造薄膜晶体管的方法中，添加含有用于促进硅晶化的金属元素的溶液，使其与非晶硅膜接触，然后通过加热处理形成硅化物层。而且，通过蚀刻硅化物层形成了作为晶体生长核的区之后，照射激光同时加热处理。结果，从作为晶体生长核的区，在非晶硅膜中完成晶体生长，从而形成对应于单晶的单畴区。此外，在添加溶液之前，可以对非晶硅膜进行等离子体处理。