公开(公告)号：CN102544027A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110418419.5

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 桧垣欣成 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78669 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及具有包括薄膜晶体管(TFT)的电路的半导体器件及其制造方法。本发明的目的是连接用两种不相容的膜(ITO膜和铝膜)构成的引线、电极等，同时不增大该引线的横截面面积，并且即使屏幕尺寸变得更大也能够实现低功耗。本发明提供了一种包括上层和下层的双层结构，下层宽度大于上层宽度。第一导电层是用Ti和Mo构成的，第二导电层是用铝(纯净的铝)构成的，第二导电层具有低电阻且位于第一导电层上。从上层的端部突出来的那部分下层与ITO接合。

公开(公告)号：CN102347454A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110278735.7

申请日：2004-06-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  乡户宏充 ,  土屋薰

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5246 ,  H01L23/564 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L33/44 ,  H01L51/5237 ,  H01L2227/323 ,  H01L2251/5323 ,  H05B33/04 ,  H05B33/14 ,  Y10T428/24777

Abstract: 本发明的目的是提供一种可靠性高的显示器件及其制作方法，该显示器件的结构能够阻断从密封区域侵入的导致显示器件特性产生退化的水分或氧。本发明的显示器件及其制作方法的特征是：显示器件包括的显示部分是将在一对衬底之间使用有机发光材料的EL元件排列而形成的；其中，所述显示部分形成在绝缘层上，该绝缘层形成在其中一方的衬底上；所述一对衬底借助包围所述显示部分外围且形成于所述绝缘层上的密封材料被键合(bonding)；所述绝缘层中的至少一层由有机树脂材料形成；所述显示部分的外围包括第一区域和第二区域；所述第一区域的所述绝缘层具有被保护膜覆盖的开口部分，并且所述密封材料和所述开口部分及保护膜连接而形成；所述第二区域的所述绝缘层的外边缘部分被保护膜或密封材料覆盖。

公开(公告)号：CN101615628B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200910160481.1

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H01L51/54

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明涉及一种显示器件。一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN102005449A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN201010263823.5

申请日：2010-08-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  细羽幸 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/49 ,  H01L21/77 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/477 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02664 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。

公开(公告)号：CN101997003A

公开(公告)日：2011-03-30

申请号：CN201010246753.2

申请日：2010-08-04

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  坂田淳一郎 ,  坂仓真之 ,  及川欣聪 ,  冈崎健一 ,  丸山穗高

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L21/385 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/127 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L33/0041 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。

公开(公告)号：CN1719311B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200510083582.5

申请日：2005-07-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/133 ,  G02F1/1343 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L27/3248 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/5221 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明的目的是提供一种显示器件，该显示器件可以防止因电流不断流到像素中而发生的亮点缺陷，或可以抑制因电流集中到像素的一部分而引起的给周边像素带来的影响。本发明的显示器件包括用于提供电流的布线和与该布线电连接的像素电极，其中，所述像素电极由多个不同的导电膜的叠层构成，并且至少在所述布线和所述像素电极电连接的区域中所述像素电极具有窄幅区域。另外，多个不同的导电膜可以由例如金属膜和透明导电膜的叠层构成。

公开(公告)号：CN1700825B

公开(公告)日：2010-05-12

申请号：CN200510073702.3

申请日：2005-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  大沼英人 ,  安西彩 ,  坂仓真之 ,  乡戶宏充

IPC: H01L51/50 ,  H05B33/08 ,  H05B33/02 ,  H05B33/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/5262

Abstract: 本发明的目的在于提供一种发光器件，其中使得取决于观察发射的光所通过的表面的角度的发射光谱的变化减小。本发明的发光器件包括形成在衬底上的第一绝缘层、形成在第一绝缘层上的第二绝缘层以及形成在第二绝缘层上的半导体层。另外，形成栅绝缘层以覆盖第二绝缘层和半导体层。栅电极形成在栅绝缘层上。形成第一层间绝缘层以覆盖栅绝缘层和栅电极。开口形成在第一层间绝缘层、栅绝缘层和第二绝缘层中。形成第二层间绝缘层以覆盖第一绝缘层和开口。发光元件形成在开口上。

公开(公告)号：CN101609827A

公开(公告)日：2009-12-23

申请号：CN200910150549.8

申请日：2009-06-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  千田章裕 ,  永田贵章 ,  坂仓真之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/14 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07745 ,  G06K19/07747 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0775 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L27/1218 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0366 ,  H05K3/002 ,  H05K3/4069 ,  H05K3/4644 ,  H05K2203/1163 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/49169 ,  H01L2924/00

Abstract: 发明的目的在于提供一种无需在纤维体中打贯穿孔而可以在预浸料的内部形成导电区域的方法。发明提供一种布线衬底包括：有机树脂层和纤维体，其中所述纤维体浸渗有所述有机树脂层，以及浸渗在所述纤维体中的通过溶解所述有机树脂层而形成的布线，其中所述布线露出在所述有机树脂层的两个表面并以所述纤维体位于所述布线中的方式穿过所述纤维体。发明还提供一种半导体装置，其中以使凸块接触于所述布线的方式，将具有所述凸块的集成电路芯片贴合到所述布线衬底。

公开(公告)号：CN100539247C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510080932.2

申请日：2005-06-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 乡户宏充 ,  松原友惠 ,  坂仓真之

IPC: H01L51/54 ,  H05B33/22 ,  H05B33/08 ,  H05B33/26 ,  H05B33/12

CPC classification number: H01L51/5262 ,  H01L27/3244

Abstract: 一种能够容易地改善视角特性的有源矩阵显示器件。在向其上制作薄膜晶体管的衬底的方向发射光的有源矩阵显示器件中，当关注由从发光元件发射的光在用来制作薄膜晶体管的膜上反射所引起的多重干涉时，借助于将反射膜形成为具有基本上λ/2的光学厚度，能够大幅度降低对多重干涉的影响，而不损失薄膜晶体管的功能。

公开(公告)号：CN1822384A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：CN200610009053.5

申请日：2006-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂仓真之 ,  野田刚司 ,  桑原秀明 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/822 ,  C23C14/22

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/0011 ,  H01L51/5052 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5218 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 本发明提供一种在制造有源矩阵型发光器件时，能够在比常规更短的时间内实现以低成本和高成品率制造的结构和方法。在本发明中，作为和在有源矩阵型发光器件的像素部分上排列的TFT的半导体层连接或电连接而形成的金属电极采用叠层结构，而且对该金属电极进行部分地蚀刻。然后，该部分地被蚀刻了的金属电极用作发光元件的第一电极，并在其上形成缓冲层、含有机化合物的层和第二电极。