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公开(公告)号：CN104966777A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510093244.3
申请日：2015-03-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0075 , H01L33/385 , H01L33/54 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体发光装置及其制造方法。实施方式的半导体发光装置中，第一电极及第二电极在半导体层的第二侧的半导体层。第一绝缘膜覆盖着半导体层的第二侧。在第一绝缘膜与第一配线部之间，设置着第一配线部与第二配线部之间所设置的第二绝缘膜的一部分。
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公开(公告)号：CN102270721B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201110159444.6
申请日：2011-06-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/647 , H01L33/0079 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/62 , H01L33/642 , H01L2924/0002 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，半导体发光器件包括发光单元、第一和第二导电构件、绝缘层、密封构件和光学层。发光单元包括半导体堆叠体以及第一和第二电极。半导体堆叠体包括第一和第二半导体层以及发光层，并且具有在第二半导体层侧的主表面。第一和第二电极分别连接到主表面侧的第一和第二半导体层。第一导电构件连接到第一电极并且包括覆盖第二半导体层的一部分的第一柱状部分。绝缘层设置在第一柱状部分和第二半导体层的所述部分之间。密封构件覆盖导电构件的侧表面。光学层设置在其它主表面上。
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公开(公告)号：CN102190279B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110057139.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H01L29/84 , H01L2224/11
Abstract: 根据一个实施例，半导体装置包括：基板；设置于基板上的有机绝缘膜；形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜；中空密封结构，其被形成于无机绝缘膜上，并且将MEMS元件密封于其里面，同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间；被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔；导电构件，其被充填入贯通孔内，并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。
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公开(公告)号：CN102270709A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201010283884.8
申请日：2010-09-13
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/0075 , H01L33/486 , H01L2224/16 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光装置的制造方法，具有：在衬底上层积具有发光层的半导体层并形成第一构造体的工序；在半导体层上形成第一电极及第二电极的工序；在半导体层上形成与第一电极导通的第一金属柱和与第二电极导通的第二金属柱的工序；在第一金属柱及第二金属柱之间埋入树脂的工序；以及，将衬底从半导体层剥离，形成通过树脂支承半导体层，并在树脂的与半导体层相反的一侧成为凸起的第二构造体的工序。
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公开(公告)号：CN101417783B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200810170096.0
申请日：2008-10-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B3/0078 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , H03H9/1057 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种微型机械装置及其制造方法，该装置具备：基板；搭载于上述基板上，具有通过电场作用变形的机构，使电气特性伴随该变形而变化的微型机械；包含无机材料，设置在上述基板的主面上，隔着收容有气体的中空部覆盖上述微型机械，并且具有连通上述中空部与外部的开口形状部的内侧无机密封膜；包含有机材料，形成于上述内侧无机密封膜上，填塞上述开口形状部的有机密封膜；以及包含具有比上述有机材料低的透湿性的无机材料，形成于上述有机密封膜上以覆盖上述有机密封膜的外侧无机密封膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101417783A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810170096.0
申请日：2008-10-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B81C1/00293 , B81B3/0078 , B81C2203/0136 , B81C2203/0145 , H03H9/1057 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种微型机械装置及其制造方法，该装置具备：基板；搭载于上述基板上，具有通过电场作用变形的机构，使电气特性伴随该变形而变化的微型机械；包含无机材料，设置在上述基板的主面上，隔着收容有气体的中空部覆盖上述微型机械，并且具有连通上述中空部与外部的开口形状部的内侧无机密封膜；包含有机材料，形成于上述内侧无机密封膜上，填塞上述开口形状部的有机密封膜；以及包含具有比上述有机材料低的透湿性的无机材料，形成于上述有机密封膜上以覆盖上述有机密封膜的外侧无机密封膜。
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公开(公告)号：CN113544815B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080019602.5
申请日：2020-03-10
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H10B43/27 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/36
Abstract: 本发明的半导体晶圆具备表面，所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。
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公开(公告)号：CN110137078B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910048651.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。抑制在蚀刻后残留的部分变成多孔质。实施方式的蚀刻方法包括：在半导体基板(1)的表面形成包含凸部(3)的凹凸结构；对上述表面中的上述凸部(3)的上表面选择性地形成包含贵金属的催化剂层(6)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻液(7)，基于上述贵金属的作为催化剂的作用将上述半导体基板(1)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112542314B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010914347.2
申请日：2020-09-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及电容器。提供一种能够实现较大的电容量且不易产生翘曲的电容器。实施方式的电容器具备：导电基板(CS)，具有第一主面与第二主面，所述第一主面包含多个副区域(A1a、A1b)，在所述多个副区域(A1a、A1b)的各个设置分别具有沿一个方向延伸的形状且在宽度方向上排列的多个凹部(TR1a、TR1b)或凸部(WM1a、WM1b)，所述多个副区域的一个以上(A1a)与所述多个副区域的其他一个以上(A1b)的所述多个凹部或凸部的长度方向不同；导电层，覆盖所述多个凹部的侧壁及底面或者所述多个凸部的侧壁及上表面；以及电介质层，夹设于所述导电基板与所述导电层之间。
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公开(公告)号：CN110137078A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910048651.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。抑制在蚀刻后残留的部分变成多孔质。实施方式的蚀刻方法包括：在半导体基板(1)的表面形成包含凸部(3)的凹凸结构；对上述表面中的上述凸部(3)的上表面选择性地形成包含贵金属的催化剂层(6)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻液(7)，基于上述贵金属的作为催化剂的作用将上述半导体基板(1)进行蚀刻。
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