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公开(公告)号：CN113544815A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202080019602.5
申请日：2020-03-10
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H01L27/11582 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/36
Abstract: 本发明的半导体晶圆具备表面，所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。
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公开(公告)号：CN113544815B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202080019602.5
申请日：2020-03-10
IPC: H01L21/02 , H01L21/306 , H10B43/27 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/36
Abstract: 本发明的半导体晶圆具备表面，所述表面具有至少一个包含内壁面的槽。槽的内壁面露出。
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公开(公告)号：CN110137078B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN201910048651.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。抑制在蚀刻后残留的部分变成多孔质。实施方式的蚀刻方法包括：在半导体基板(1)的表面形成包含凸部(3)的凹凸结构；对上述表面中的上述凸部(3)的上表面选择性地形成包含贵金属的催化剂层(6)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻液(7)，基于上述贵金属的作为催化剂的作用将上述半导体基板(1)进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN112635410A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202010579237.5
申请日：2020-06-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种可靠性高的功率模块。功率模块具备：基板，具有第一面；多个电极板，设于所述第一面；半导体芯片，设于所述第一面上；导线，与所述半导体芯片和一个所述电极板连接；金属部件，与一个所述电极板连接；端子板；第一树脂层，在内部配置有所述半导体芯片与所述导线的连接部；以及第二树脂层，设于所述第一树脂层上，弹性率比所述第一树脂层的弹性率低。所述端子板具有：接合部，与所述金属部件的上表面相接，并沿着所述上表面延伸；弯曲部，从所述接合部朝向上方弯曲；以及引出部，被从所述弯曲部引出到外部。所述第二树脂层在内部配置有所述弯曲部，所述接合部的下表面距所述第一面的长度比所述连接部距所述第一面的长度长。
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公开(公告)号：CN110137078A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910048651.0
申请日：2019-01-18
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/306 , H01L21/308
Abstract: 本发明的实施方式涉及蚀刻方法、半导体芯片的制造方法及物品的制造方法。抑制在蚀刻后残留的部分变成多孔质。实施方式的蚀刻方法包括：在半导体基板(1)的表面形成包含凸部(3)的凹凸结构；对上述表面中的上述凸部(3)的上表面选择性地形成包含贵金属的催化剂层(6)；和向上述催化剂层(6)供给蚀刻液(7)，基于上述贵金属的作为催化剂的作用将上述半导体基板(1)进行蚀刻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116013910A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202210223013.X
申请日：2022-03-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/07 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/495
Abstract: 本发明的课题在于提供使产生于密封树脂的裂纹可视化，并能够进行客观的评价的半导体装置及其制造方法。本发明的解决课题的手段在于，半导体装置具备：基板；半导体芯片，被设于所述基板上；密封树脂，将所述基板以及所述半导体芯片覆盖；以及斑点图案，被设于所述基板以及所述半导体芯片中的至少一个与所述密封树脂的界面。
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公开(公告)号：CN119695021A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410270745.3
申请日：2024-03-11
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/498 , H01L23/29
Abstract: 课题在于，提高半导体装置的耐久性。解决手段在于，半导体装置(100)具备：半导体元件(2)，载放在绝缘基板(1)上，在表面(2a)具有电极(21)；键合引线(3)，与电极(21)接合，对半导体元件(2)进行电连接；以及第1树脂材料(4)，覆盖电极(21)与键合引线(3)的接合部(31)。接合部(31)包括电极(21)与键合引线(3)未被接合的非接合区域(32)。
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公开(公告)号：CN118841375A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410192061.6
申请日：2024-02-21
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式涉及半导体装置、半导体模块及半导体模块的制造方法。实施方式的半导体模块提供一种半导体装置，该半导体装置包含半导体元件、设置于所述半导体元件上的表面电极和连接于所述表面电极上的键合线，并具有：第1密封部件，设置为将所述表面电极和所述键合线的接合部覆盖；第2密封部件，设置为将所述表面电极中没有由所述第1密封部件密封的部分覆盖；以及第3密封部件，设置为将所述第1密封部件及所述第2密封部件覆盖。
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公开(公告)号：CN111540603B
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202010082333.9
申请日：2020-02-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够容易地增大平均设置面积的电容的技术。实施方式的电容器(1)具备：导电基板，具有第1主面、第2主面及从上述第1主面的边缘一直延伸到上述第2主面的边缘为止的端面，在上述第1主面上设置有1个以上的凹部；导电层，将上述第1主面和上述1个以上的凹部的侧壁及底面覆盖；电介质层，夹在上述导电基板与上述导电层之间；第1外部电极(70c)，包括与上述端面对置的第1电极部(70c3)，与上述导电层电连接；及第2外部电极(70d)，包括与上述端面对置的第2电极部(70d3)，与上述导电基板电连接。
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