公开(公告)号：CN106024682B

公开(公告)日：2020-07-21

申请号：CN201610034741.0

申请日：2016-01-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  松原功幸

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 一种等离子处理装置，对保持于输送载体的基板进行等离子处理，输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板保持于保持片，等离子处理装置具备：反应室；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，保持片的外周部与工作台接触前，静电吸附机构开始向电极部施加电压，或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极，在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。

公开(公告)号：CN107204274B

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN201710091541.3

申请日：2017-02-20

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  伊藤彰宏

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 一种等离子体处理方法以及等离子体处理装置，在对保持在保持片的基板进行等离子体处理时，提高产品的成品率。等离子体处理方法包括：载置工序，将保持了基板的保持片载置在设置于等离子体处理装置的载置台；以及固定工序，将保持片固定在所述载置台。还包括：判定工序，在固定工序之后，判定所述保持片与所述载置台的接触状态是否良好；以及等离子体蚀刻工序，在判定工序中判定为接触状态良好的情况下，在载置台上使基板的表面暴露于等离子体，从而对所述基板进行蚀刻。

公开(公告)号：CN106024565B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201610032763.3

申请日：2016-01-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  松原功幸

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

Abstract: 一种等离子处理装置，具备：反应室；使反应室中产生等离子的等离子产生部；配置在反应室的内部，搭载具备基板、保持片和框架的输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的支撑部，在将输送载体搭载于工作台时，1)保持片的外周部与工作台接触后，静电吸附机构向电极部施加电压，电压的施加包含使电压的绝对值增减的操作，上述操作结束后，或2)保持片与工作台接触后，升降机构在工作台附近使支撑部分别上升及下降1次以上，支撑部的上升及下降结束后，且保持片的外周部与工作台接触后，等离子产生部产生等离子。

公开(公告)号：CN104143508B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201410113648.X

申请日：2014-03-25

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 西崎展弘 ,  针贝笃史 ,  岩井哲博 ,  广岛满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：室(11)；在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7)，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31)；和驱动机构(38)，其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置，所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。

公开(公告)号：CN107591321A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710546105.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  广岛满 ,  针贝笃史 ,  松原功幸 ,  伊藤彰宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31138

Abstract: 提供一种元件芯片的制造方法。半导体芯片的制造方法包括：准备半导体晶片，所述半导体晶片具备露出有凸块的表面、表面的相反侧的背面、形成有凸块的多个元件区域、以及划分元件区域的分割区域；在半导体晶片的表面沿着凸块通过喷涂法对包含掩模的原料的液体进行喷雾；在半导体晶片的表面形成被覆凸块并且具有使所述分割区域露出的开口的掩模；将半导体晶片的表面暴露于第一等离子体，在凸块被掩模被覆的状态下，对露出在该开口的分割区域进行蚀刻，直至到达背面，从而将半导体晶片单片化。

公开(公告)号：CN107452596A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710361407.0

申请日：2017-05-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  伊藤彰宏 ,  高野克巳 ,  广岛满

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/11 ,  H01L24/14 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/13022 ,  H01L21/02013 ,  H01L21/02016 ,  H01L2221/6834

Abstract: 一种元件芯片的制造方法，不使生产性下降地抑制等离子体对凸块的劣化及损伤的同时对基板进行单片化。包括：准备工序，准备具备具有凸块的第一面及第二面且具备由分割区域划分的多个元件区域的基板；凸块埋入工序，在第一面粘合具有粘合层的保护带，至少将凸块的头顶部埋入到粘合层；薄化工序，在凸块埋入工序后，在第一面粘合了保护带的状态下磨削第二面；掩模形成工序，在薄化工序后，在第二面形成掩模；保持工序，使第一面与用框架支承的保持带对置，使保持带保持基板；载置工序，在掩模形成工序及保持工序后，将基板经由保持带载置在等离子体处理载置台；单片化工序，在载置工序后，对分割区域从第二面至第一面进行等离子体蚀刻。

公开(公告)号：CN107039344A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201710057126.6

申请日：2017-01-23

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 针贝笃史 ,  置田尚吾 ,  松原功幸

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L23/49811 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3171 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2924/15323 ,  H01L21/56 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/8102 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81815

Abstract: 一种元件芯片的制造方法、电子部件安装构造体及其制造方法，能够抑制安装过程中的导电性材料的爬升。在对具有多个元件区域且元件面被绝缘膜覆盖的基板进行分割而制造多个元件芯片的元件芯片的制造方法中使用的等离子体处理工序中，将基板暴露于第一等离子体，从而将基板分割为元件芯片，成为使具备第一面、第二面以及侧面的元件芯片彼此隔开间隔保持在载体上且使侧面和绝缘膜露出的状态。然后，将元件芯片暴露于第二等离子体，从而将露出的侧面中的与绝缘膜相接的区域部分地除去而形成凹陷部，并通过第三等离子体从而用保护膜覆盖凹陷部，抑制安装过程中导电性材料向侧面爬升。

公开(公告)号：CN106024682A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610034741.0

申请日：2016-01-19

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  针贝笃史 ,  松原功幸

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01J37/32

Abstract: 一种等离子处理装置，对保持于输送载体的基板进行等离子处理，输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板保持于保持片，等离子处理装置具备：反应室；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，保持片的外周部与工作台接触前，静电吸附机构开始向电极部施加电压，或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极，在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。

公开(公告)号：CN105140094A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510271217.0

申请日：2015-05-25

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 松原功幸 ,  针贝笃史 ,  广岛满

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/67 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供等离子处理装置及方法，使得保持片在除电处理中不易受到热损伤。等离子处理装置具备：处理室(5)；等离子源(9)，在处理室(5)内产生等离子体；搬运载体(4)，具有保持基板(2)的保持片(6)和以包围基板(2)的方式安装在保持片(6)上的框架(7)；工作台(11)，设置在处理室(5)内，在载置有搬运载体(4)的载置区域具有气体供给孔(29)；静电吸附部(22a)，设置在工作台(11)内，对搬运载体(4)进行静电吸附；及气体供给部(31)，通过经由工作台(11)的气体供给孔(29)供给气体，来辅助搬运载体(4)从工作台(11)脱离。

公开(公告)号：CN115136283A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202080096277.2

申请日：2020-12-04

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 置田尚吾 ,  伊藤彰宏 ,  针贝笃史

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/461

Abstract: 电子部件的清洁方法具备：准备工序，准备具备被保护膜覆盖的第1面、所述第1面的相反侧的第2面、位于所述第1面与所述第2面之间的侧壁、和附着于所述侧壁的附着物的电子部件；和侧壁清洁工序，清洁所述电子部件的所述侧壁，所述侧壁清洁工序具备：沉积工序，使用第1等离子，在所述保护膜以及所述附着物的表面沉积第1膜；和去除工序，使用第2等离子，将所述附着物的至少一部分同沉积于所述附着物的表面的所述第1膜一起去除，在所述侧壁清洁工序中，交替重复多次所述沉积工序和所述去除工序，以使得所述保护膜残存。据此，能在减少给电子部件带来的伤害的同时清洁侧壁。