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公开(公告)号:CN1692504A
公开(公告)日:2005-11-02
申请号:CN200380100562.3
申请日:2003-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明涉及热电器件及其制造方法与红外线传感器,在基板上,按照如下顺序,依次形成:由包含从Ti、Co、Ni、Mg、Fe、Ca、Sr、Mn、Ba、Al及它们的氧化物群中选择的至少一种添加物的贵金属构成的第1电极层;厚度为0.5~5μm、化学成分是用分子式(Pb(1-y)Lay)Ti(1-y/4)O3(0<y≤0.2=或(Pb(1-y)Lay)(ZrxTi(1-x))(1-y/4)O3(0<x≤0.2或0.55≤x<0.8、0<y≤0.2)表示的钙钛矿型结晶构造的热电体层;以及,第2电极层形成,作成热电器件。
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公开(公告)号:CN1483225A
公开(公告)日:2004-03-17
申请号:CN01816412.9
申请日:2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L41/08
CPC classification number: H01L41/1876 , B41J2202/03 , H01L41/0477 , H01L41/29 , H01L41/316
Abstract: 本发明涉及控制电介质薄膜的结晶取向性并可以使电气特性等各种特性最佳化的电介质薄膜元件。该电介质薄膜元件(10)具有衬底(11)、形成在该衬底(11)上的第一电极(12)、形成在第一电极(12)上的电介质薄膜(13)、形成在该电介质薄膜(13)上的第二电极(14)并且它是在加热所述衬底(11)的状态下制成的。作为所述衬底(11)的材料,使用有一定热膨胀系数的材料,根据衬底(11)的热膨胀系数来控制该电介质薄膜(13)的结晶取向性。
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公开(公告)号:CN1468321A
公开(公告)日:2004-01-14
申请号:CN01816814.0
申请日:2001-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01G25/006 , C01P2002/34 , H01L41/094 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 一种能够得到大的压电位移的压电薄膜。该压电薄膜的化学成分表示为:Pb1+a(ZrxTi1-x)O3+a(注:0.2≤a≤0.6,0.50≤x≤0.62)。该压电薄膜的结晶构造,是由其构成元素的氧离子、钛离子、锆离子的一部分缺少的具有离子缺少的钙钛矿型的柱状结晶领域(24)、和没有离子缺少的化学计量成分的钙钛矿型的柱状结晶领域(25)的混合体所构成。根据该压电薄膜的构成,因为由于具有离子缺陷的钙钛矿型的柱状结晶领域(24),能够缓和结晶内的残留压缩应力,所以,能够得到大的压电位移(位移量)。
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公开(公告)号:CN1121999A
公开(公告)日:1996-05-08
申请号:CN95101916.3
申请日:1995-02-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01D5/24 , G01P15/125 , H01L49/02
CPC classification number: G01P15/0922 , G01P15/0802 , H01L41/0478 , H01L41/0815 , H01L41/313 , Y10T29/42 , Y10T29/4981
Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12,利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4,然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15,将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上,将接续电极19连接后,通过整体进行水洗处理,除去KBr基板1。
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公开(公告)号:CN100462234C
公开(公告)日:2009-02-18
申请号:CN200480001113.8
申请日:2004-04-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2002/14491
Abstract: 一喷墨头单元,包括:一喷头(2),其中形成各包括许多喷嘴孔的多个喷嘴阵列(2a、2b、2c、2d),墨从喷嘴孔被喷射;一喷头座,喷头(2)被安装在喷头座上;以及扁平电缆(4a、4b),其是通过用绝缘膜包裹许多传输线柔性地形成的,扁平电缆中传输线被暴露的一端在喷嘴阵列(2a、2b)和喷嘴阵列(2c、2d)之间的安装部分(7a、7b)中被固定在喷头(2)上,从而传输用于驱动喷头的喷墨信号。
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公开(公告)号:CN101355134A
公开(公告)日:2009-01-28
申请号:CN200810135194.0
申请日:2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明涉及压电元件、喷墨头、角速度传感器及其制法和喷墨式记录装置,压电元件具备第一电极层、压电体层和第二电极层,第一电极层由选自钴、镍、铁、锰及铜的至少一种金属与贵金属构成,压电体层由钙钛矿型氧化物构成,在第一电极层与压电体层间设有由优先取向于立方或正方晶系的(100)或(001)面的钙钛矿型氧化物构成的取向控制层,该控制层的第一电极层侧的部分为:(100)或(001)面取向的区域存在于位于第一电极层中取向控制层侧的表面部的所述至少一种金属上,且与层厚方向垂直的截面中的所述(100)或(001)面取向区域的面积从第一电极层侧向着压电体层侧变大,所述至少一种金属,在第一电极层以控制取向控制层的成长方向的方式形成图案。
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公开(公告)号:CN100345320C
公开(公告)日:2007-10-24
申请号:CN02807189.1
申请日:2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0815 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/49401
Abstract: 在压电元件中,在基板(11)上设置附着层(12),在该附着层(12)上设置由含有钛或氧化钛的贵金属构成的第1电极层(14),在该第1电极层(14)上设置优先取向(100)面或(001)面的取向控制层(15)。该取向控制层(15)中的第1电极层(14)侧的表面附近部的结构为:(100)面或(001)面取向的区域存在于位于第1电极层(14)中的取向控制层(15)侧的表面部的钛或氧化钛上且上述区域在垂直于层厚方向的截面上的面积从第1电极层(14)侧向相反侧变大。于是,在该取向控制层(15)上设置优先取向(001)面的压电体层(16)。
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公开(公告)号:CN1781197A
公开(公告)日:2006-05-31
申请号:CN200480011692.4
申请日:2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供压电元件(1),通过依次层叠下部电极(2)、压电体膜(3)和上部电极(4)而构成。对该压电元件(1)的上部电极(4)的表面进行暴露在锆化合物(6)中的处理。
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公开(公告)号:CN1498428A
公开(公告)日:2004-05-19
申请号:CN02807189.1
申请日:2002-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L41/0815 , B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1623 , B41J2/1646 , B41J2002/14491 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/1876 , H01L41/316 , Y10T29/49401
Abstract: 在压电元件中,在基板(11)上设置附着层(12),在该附着层(12)上设置由含有钛或氧化钛的贵金属构成的第1电极层(14),在该第1电极层(14)上设置优先取向(100)面或(001)面的取向控制层(15)。该取向控制层(15)中的第1电极层(14)侧的表面附近部的结构为:(100)面或(001)面取向的区域存在于位于第1电极层(14)中的取向控制层(15)侧的表面部的钛或氧化钛上且上述区域在垂直于层厚方向的截面上的面积从第1电极层(14)侧向相反侧变大。于是,在该取向控制层(15)上设置优先取向(001)面的压电体层(16)。
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公开(公告)号:CN1471181A
公开(公告)日:2004-01-28
申请号:CN03149264.9
申请日:2003-06-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01P15/0922 , B41J2/14233 , B41J2/14282 , B41J2002/1425 , B41J2202/03 , G01C19/5607 , H01L41/0477 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/0973 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 一种压电元件(20),在硅基板(1)上形成第一电极层,该第一电极层由从钴、镍、铁、锰及铜的组中选择的至少一种金属与贵金属的合金构成,在该第一电极层(2)上形成由菱面体晶系或正方晶系的钙钛矿型氧化物(PZT等)构成的压电体层(3),使该压电体层(3)优先取向于(001)面。
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