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公开(公告)号：CN1774962A
公开(公告)日：2006-05-17
申请号：CN200480010291.7
申请日：2004-04-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川徹
IPC: H05K3/12
CPC classification number: H05K3/125 , H05K1/092 , H05K2203/013 , Y10T428/24909 , Y10T428/24917 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供了一种输出溶液，所述输出溶液在基体表面没有预先形成互补的憎水区的情况下，能够在该基体的表面上形成扩散得到抑制的图样，以及提供形成所述图样的方法等。更具体地说，提供了一种例如使用喷墨法在基体表面上形成扩散得到抑制的图样的输出溶液等。用于在基体表面上形成图样的所述输出溶液包括具有氟烷基链的有机分子作为第一图样形成材料，并且所述输出溶液具有20达因/厘米或更大的表面张力。
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公开(公告)号：CN1501968A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN02807886.1
申请日：2002-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C09K3/18 , B05D7/24 , C09D5/16 , C09D185/00 , C09D183/08 , B05D5/00 , B41J2/135 , B32B27/00
CPC classification number: C09D183/14 , B05D1/185 , B05D5/083 , B32B27/08 , B41J2/14 , B41J2/1433 , B41J2/16 , B41J2/1606 , B41J2/162 , B41J2/164 , C09K3/18 , Y10T428/31663
Abstract: 一种在固体基材(2)上形成的疏水膜(1)，其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)且在中间部含烃链的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)的分子(B)，且由上述分子(A)和上述分子(B)形成聚合物膜。该聚合物膜与基材表面通过硅氧烷键(－Si－O－)共价键合，表面被疏水性高的氟化碳链覆盖，因此防止碱离子的侵入。据此，提供具有即使长时间接触碱性的墨也不被破坏的疏水膜的喷墨头和喷墨式记录装置。
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公开(公告)号：CN1781197A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011692.4
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供压电元件(1)，通过依次层叠下部电极(2)、压电体膜(3)和上部电极(4)而构成。对该压电元件(1)的上部电极(4)的表面进行暴露在锆化合物(6)中的处理。
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公开(公告)号：CN1187596C
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN01803884.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01Q60/42 , Y10S977/877
Abstract: 本发明提供扫描探针显微镜的探针，所述探针具有近位端和远位尖端部，该远位尖端部具有朝向固定的样品的尖端面，其中在至少尖端面上叠加有一个单分子层，在该尖端面上的最外层的单分子层中或最外层的单分子层上，放置有具有化学传感器功能或催化功能的分子。本发明还提供扫描探针显微镜的探针，所述探针具有含有导电性聚合物的被覆层，该被覆层中含有选自无机催化剂和有机催化剂的催化剂。本发明还提供具有上述探针的扫描探针显微镜，以及使用这种扫描探针显微镜的分子加工法。
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公开(公告)号：CN1395681A
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN01803884.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01Q60/42 , Y10S977/877
Abstract: 本发明提供扫描探针显微镜的探针，所述探针具有近位端和远位尖端部，该远位尖端部具有朝向固定的样品的尖端面，其中在至少尖端面上叠加有一个单分子层，在该尖端面上的最外层的单分子层中或最外层的单分子层上，放置有具有化学传感器功能或催化功能的分子。本发明还提供扫描探针显微镜的探针，所述探针具有含有导电性聚合物的被覆层，该被覆层中含有选自无机催化剂和有机催化剂的催化剂。本发明还提供具有上述探针的扫描探针显微镜，以及使用这种扫描探针显微镜的分子加工法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100411752C
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200510083543.5
申请日：2002-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D7/24 , C09D183/00 , C09D5/16 , B41J2/135
CPC classification number: B41J2/16 , B05D1/185 , B05D5/083 , B32B27/08 , B41J2/14 , B41J2/1433 , B41J2/1606 , B41J2/162 , B41J2/164 , C09D183/14 , C09K3/18
Abstract: 一种在固体基材(2)上形成的疏水膜(1)，其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)且在中间部含烃链的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(-Si-O-)的分子(B)，且由上述分子(A)和上述分子(B)形成聚合物膜。该聚合物膜与基材表面通过硅氧烷键(-Si-O-)共价键合，表面被疏水性高的氟化碳链覆盖，因此防止碱离子的侵入。据此，提供具有即使长时间接触碱性的墨也不被破坏的疏水膜的喷墨头和喷墨式记录装置。
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公开(公告)号：CN1843067A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200580000825.2
申请日：2005-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川徹
CPC classification number: C25D5/022 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/30 , C23F1/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H05K3/061 , H05K2201/015 , H05K2201/0239 , H05K2203/013 , H05K2203/0582 , H05K2203/0585 , H05K2203/122
Abstract: 本发明的金属图形是在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形(13’)，在金属图形(13’)的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n－：n为自然数)的被吸附的单分子膜，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜(18)。该金属图形是通过如下的步骤得到：在金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n－：n为自然数)的单分子膜，在上述单分子膜的表面涂布溶解了具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子的溶液，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(－SH)或二硫基(－SS－)的分子，从而形成遮蔽膜，使蚀刻液与上述金属膜表面接触，对没有上述遮蔽膜的金属区域进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN1762610A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510083543.5
申请日：2002-04-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B05D5/00 , B05D7/24 , C09D183/00 , C09D5/16 , B41J2/135
CPC classification number: B41J2/16 , B05D1/185 , B05D5/083 , B32B27/08 , B41J2/14 , B41J2/1433 , B41J2/1606 , B41J2/162 , B41J2/164 , C09D183/14 , C09K3/18
Abstract: 一种在固体基材(2)上形成的疏水膜(1)，其含有在两末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)且在中间部含烃链的分子(A)、和在一个末端有氟化碳链且在另一个末端有至少一个以上的硅氧烷键(－Si－O－)的分子(B)，且由上述分子(A)和上述分子(B)形成聚合物膜。该聚合物膜与基材表面通过硅氧烷键(－Si－O－)共价键合，表面被疏水性高的氟化碳链覆盖，因此防止碱离子的侵入。据此，提供具有即使长时间接触碱性的墨也不被破坏的疏水膜的喷墨头和喷墨式记录装置。
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公开(公告)号：CN100574563C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200580000825.2
申请日：2005-01-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 中川徹
CPC classification number: C25D5/022 , C23F1/02 , C23F1/14 , C23F1/18 , C23F1/30 , C23F1/40 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/32139 , H01L51/0019 , H01L51/0022 , H05K3/061 , H05K2201/015 , H05K2201/0239 , H05K2203/013 , H05K2203/0582 , H05K2203/0585 , H05K2203/122
Abstract: 本发明的金属图形是在衬底表面上通过蚀刻形成的金属图形(13’)，在金属图形(13’)的金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n-：n为自然数)的被吸附的单分子膜，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(-SH)或二硫基(-SS-)的分子，从而形成遮蔽膜(18)。该金属图形是通过如下的步骤得到：在金属膜表面形成含有氟代烷基链(CF3(CF2)n-：n为自然数)的单分子膜，在上述单分子膜的表面涂布溶解了具有巯基(-SH)或二硫基(-SS-)的分子的溶液，在构成上述单分子膜的分子间渗入具有巯基(-SH)或二硫基(-SS-)的分子，从而形成遮蔽膜，使蚀刻液与上述金属膜表面接触，对没有上述遮蔽膜的金属区域进行蚀刻。
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公开(公告)号：CN100407468C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200480011692.4
申请日：2004-09-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B41J2/14233 , B41J2/161 , B41J2/1626 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , H01L41/1876 , H01L41/316 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供压电元件(1)，通过依次层叠下部电极(2)、压电体膜(3)和上部电极(4)而构成。对该压电元件(1)的上部电极(4)的表面进行暴露在锆化合物(6)中的处理。
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