公开(公告)号：CN1121999A

公开(公告)日：1996-05-08

申请号：CN95101916.3

申请日：1995-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  林重德 ,  高山良一 ,  平尾孝 ,  服部益三

IPC: G01D5/24 ,  G01P15/125 ,  H01L49/02

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P15/0802 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/313 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。

公开(公告)号：CN1249544A

公开(公告)日：2000-04-05

申请号：CN99120864.1

申请日：1999-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 堀尾泰彦 ,  竹内孝之 ,  服部益三 ,  长谷裕之

IPC: H01P1/36 ,  H01P1/38 ,  H03H7/52

CPC classification number: H01P1/387

Abstract: 本发明涉及一种非互易电路元件,通过利用至少具有铁氧体(34)、传输线(31、32和33)以及电容器(21)的电路装置,在单一方向上发送信号,或循环发送信号,并具有:将信号传送至一外部单元和传送来自一外部单元信号的至少两个外部输入/输出端(11和12),以及用于接地的至少一个外部接地端(13、14和15),其中,外部接地端中至少之一(13)设置在至少一组外部输入/输出端(11和12)之间。

公开(公告)号：CN1198358C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN99120864.1

申请日：1999-09-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 堀尾泰彦 ,  竹内孝之 ,  服部益三 ,  长谷裕之

IPC: H01P1/36 ,  H01P1/38 ,  H03H7/52

CPC classification number: H01P1/387

Abstract: 本发明涉及一种非互易电路元件，通过利用至少具有铁氧体(34)、传输线(31、32和33)以及电容器(21)的电路装置，在单一方向上发送信号，或循环发送信号，并具有：将信号传送至一外部单元和传送来自一外部单元信号的至少两个外部输入/输出端(11和12)，以及用于接地的至少一个外部接地端(13、14和15)，其中，外部接地端中至少之一(13)设置在至少一组外部输入/输出端(11和12)之间。

公开(公告)号：CN1088918C

公开(公告)日：2002-08-07

申请号：CN95101916.3

申请日：1995-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 鸟井秀雄 ,  鎌田健 ,  林重德 ,  高山良一 ,  平尾孝 ,  服部益三

IPC: H01L49/02

CPC classification number: G01P15/0922 ,  G01P15/0802 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/313 ,  Y10T29/42 ,  Y10T29/4981

Abstract: 本发明旨在提供小型、轻量、精度高且成本低的加速度传感元件及热电式红外线传感元件等薄膜传感元件。在平板型KBr基板1的表面利用等离子体MOCVD法形成以基板表面垂直方向为结晶取向(100)方向的岩盐式晶体结构氧化物膜12，利用溅射法在其表面外延生长PZT膜4，然后在其表面形成Ni-Cr电极膜15，将上述多层膜反转后用粘接剂20粘接到中央有穿通的空间部分的传感器基板7上，将接续电极19连接后，通过整体进行水洗处理，除去KBr基板1。