公开(公告)号：CN101842878B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880105438.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：碳化硅基板(11)，其具有主面以及背面；半导体层(12)，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及背面欧姆电极层(1d)，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述背面欧姆电极层(1d)具有：反应层(1da)，其位于所述碳化硅基板的背面侧并含有钛、硅以及碳；氮化钛层(1db)，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。

公开(公告)号：CN102084483A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980100324.X

申请日：2009-07-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  林将志 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 半导体元件具备：在基板上形成的包含碳化硅的半导体层(10)；形成在半导体层(10)表面上的第1导电类型半导体区域(15)；在半导体层表面(10s)上包围第1导电类型半导体区域(15)的第2导电类型半导体区域(14)；以及具有与第1导电类型半导体区域(15)和第2导电类型半导体区域(14)接触的导电面(19s)的导电体(19)，在半导体层表面(10s)上，第1导电类型半导体区域(15)具有沿着第1轴(i)延伸的至少一个第1带状部分(60、61)，第1导电类型半导体区域(15)的沿着第1轴(i)的宽度(C1)大于导电面(19s)的沿着第1轴(i)的宽度(A1)，导电面(19s)的轮廓横切至少一个第1带状部分(60、61)。

公开(公告)号：CN100481497C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410062185.5

申请日：2004-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  萩尾正博 ,  泽田和幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。

公开(公告)号：CN101233615A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027399.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。

公开(公告)号：CN1802752A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015846.7

申请日：2004-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  高桥邦方 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件。在本发明的半导体元件中，设置在碳化硅基板上的n型碳化硅层，具有从(0001)面朝着〔11－20〕方向切割(offcut)的上面。并且，在沟道区域中，将栅电极和源电极设置成以沿切割(offcut)方向流动的电流为主的样子。在本发明中，在形成栅绝缘膜后，再在含V族元素的环境下进行热处理。这样一来，由于在碳化硅层和栅绝缘膜的界面上，界面能级密度降低，因此切割方向A的电子迁移率比与切割方向A垂直的方向的电子迁移率高。

公开(公告)号：CN1788335A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000359.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  北畠真 ,  山下贤哉 ,  内田正雄 ,  楠本修 ,  宫永良子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/046

Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。

公开(公告)号：CN1254026C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01135078.4

申请日：2001-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修

IPC: H04B17/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/105 ,  H01L29/157 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H03D7/125 ,  H03F2200/294

Abstract: 一种通信系统用仪器，包括：在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底(10)上，从下至上依次设置有：把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层(12a)和非掺杂层(12b)相互叠层在一起形成的第一叠层部(12)；把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层(13a)和非掺杂层(13b)相互叠层在一起形成的第二叠层部(13)。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且，由于非掺杂层中的杂质浓度较低，所以杂质离子的散乱减少，能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。

公开(公告)号：CN1484862A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803417.1

申请日：2002-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，具有存储型SiC－MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。

公开(公告)号：CN103069571B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201280002382.0

申请日：2012-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  庭山雅彦 ,  内田正雄 ,  工藤千秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。

公开(公告)号：CN102668094B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201180005084.2

申请日：2011-10-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体元件具备：第1导电型的半导体基板；半导体基板上的第1导电型的第1碳化硅半导体层；第1碳化硅半导体层内的第2导电型的体区域；体区域内的第1导电型的杂质区域；第1碳化硅半导体层上的第1导电型的第2碳化硅半导体层；第2碳化硅半导体层上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的栅电极；与杂质区域连接的第1欧姆电极；和半导体基板背面的第2欧姆电极。体区域包括第1体区域以及第2体区域，第1体区域的平均杂质浓度为第2体区域的平均杂质浓度的2倍以上，所述杂质区域的底面，位于比所述第1体区域的底面更深的位置。