公开(公告)号：CN101689565B

公开(公告)日：2011-06-08

申请号：CN200980000533.7

申请日：2009-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供采用裁切半导体基板(11)形成的半导体元件，各单元(10)具备：形成在裁切半导体基板(11)的表面上的第1半导体层(12)；形成在第1半导体层(12)上、具有露出第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)的至少一部分的开口部(16e)的第2半导体层(16)；位于第2半导体层(16)的开口部(16e)、具有与第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)接触的导电面(19s)的第1导电体(19)；以及形成在第2半导体层(16)上、具有与第2半导体层(16)的开口部(16s)对应的开口部(18e)的第2导电体(17)，在与裁切半导体基板(11)表面平行的面中，沿着裁切方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值大于沿着与裁切方向垂直的方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值。

公开(公告)号：CN101578705B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880001207.3

申请日：2008-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  宇都宫和哉 ,  楠本修

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明的半导体装置包括：具有碳化硅半导体层的碳化硅半导体基板；设置在前述碳化硅半导体层中、并含有p型杂质的p型杂质区；与前述p型杂质区电连接的p型欧姆电极；与前述p型杂质区邻接地设置在前述碳化硅半导体层中、且含有n型杂质的n型杂质区；和与前述n型杂质区电连接的n型欧姆电极，前述p型欧姆电极含有镍、铝、硅和碳的合金，前述n型欧姆电极含有钛、硅和碳的合金。

公开(公告)号：CN101842878B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200880105438.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：碳化硅基板(11)，其具有主面以及背面；半导体层(12)，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及背面欧姆电极层(1d)，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述背面欧姆电极层(1d)具有：反应层(1da)，其位于所述碳化硅基板的背面侧并含有钛、硅以及碳；氮化钛层(1db)，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。

公开(公告)号：CN101842878A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN200880105438.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/47 ,  H01L29/78 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/45 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/872

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：碳化硅基板(11)，其具有主面以及背面；半导体层(12)，其形成于所述碳化硅基板的主面；以及背面欧姆电极层(1d)，其形成于所述碳化硅基板的背面，所述背面欧姆电极层(1d)具有：反应层(1da)，其位于所述碳化硅基板的背面侧并含有钛、硅以及碳；氮化钛层(1db)，其位于所述碳化硅基板的背面的相对侧。

公开(公告)号：CN101548387B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200880000863.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供一种碳化硅半导体元件及其制造方法，形成在碳化硅基板(11)上的栅电极(18)具有：硅下层(18A)以及由设置在硅下层(18A)上的第一金属与硅的化合物构成的硅化物上层(18B)。源电极(1as)含有与第一金属硅化物不同的第二金属硅化物，所述源电极(1as)与形成在碳化硅基板(11)表面上的n型源极区域及p+区域接触。硅下层(18A)的侧面由绝缘物覆盖。

公开(公告)号：CN101689565A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200980000533.7

申请日：2009-05-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  宇都宫和哉 ,  桥本浩一

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/338 ,  H01L29/12 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/812 ,  H01L23/544 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7828 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供采用裁切半导体基板(11)形成的半导体元件，各单元(10)具备：形成在裁切半导体基板(11)的表面上的第1半导体层(12)；形成在第1半导体层(12)上、具有露出第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)的至少一部分的开口部(16e)的第2半导体层(16)；位于第2半导体层(16)的开口部(16e)、具有与第1导电区域(15)以及第2导电区域(14)接触的导电面(19s)的第1导电体(19)；以及形成在第2半导体层(16)上、具有与第2半导体层(16)的开口部(16s)对应的开口部(18e)的第2导电体(17)，在与裁切半导体基板(11)表面平行的面中，沿着裁切方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值大于沿着与裁切方向垂直的方向的第2半导体层(16)和第2导电体(18)的长度差的绝对值。

公开(公告)号：CN101578705A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200880001207.3

申请日：2008-07-18

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 林将志 ,  宇都宫和哉 ,  楠本修

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/0485 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明的半导体装置包括：具有碳化硅半导体层的碳化硅半导体基板；设置在前述碳化硅半导体层中、并含有p型杂质的p型杂质区；与前述p型杂质区电连接的p型欧姆电极；与前述p型杂质区邻接地设置在前述碳化硅半导体层中、且含有n型杂质的n型杂质区；和与前述n型杂质区电连接的n型欧姆电极，前述p型欧姆电极含有镍、铝、硅和碳的合金，前述n型欧姆电极含有钛、硅和碳的合金。

公开(公告)号：CN101548387A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200880000863.1

申请日：2008-08-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  宇都宫和哉 ,  林将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/78 ,  Y10S438/931

Abstract: 提供一种碳化硅半导体元件及其制造方法，形成在碳化硅基板(11)上的栅电极(18)具有：硅下层(18A)以及由设置在硅下层(18A)上的第一金属与硅的化合物构成的硅化物上层(18B)。源电极(1as)含有与第一金属硅化物不同的第二金属硅化物，所述源电极(1as)与形成在碳化硅基板(11)表面上的n型源极区域及p+区域接触。硅下层(18A)的侧面由绝缘物覆盖。