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公开(公告)号：CN101925979A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200880125692.5
申请日：2008-11-21
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L21/203 , C30B25/06 , H01L33/00
CPC classification number: C30B29/403 , C30B23/02 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/06 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/30111 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的III族氮化物半导体的制造方法具有如下溅射工序：在配置有基板及含有Ga元素的靶材的腔室内，通过反应性溅射法在前述基板上形成单晶的III族氮化物半导体，所述溅射工序具有：第1溅射工序，使所述基板的温度为温度T1，进行前述III族氮化物半导体的成膜；第2溅射工序，将所述基板的温度降温至比前述温度T1低的温度T2，继续进行前述III族氮化物半导体的成膜。
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公开(公告)号：CN101874306A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200880117594.7
申请日：2008-09-09
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/12 , H01L33/025 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/1305 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供使用反应溅射法在基板上形成缓冲层，可在该缓冲层上生长结晶性良好的III族氮化物半导体的具有优异的发光特性的III族氮化物半导体发光元件及其制造方法以及灯，所述III族氮化物半导体发光元件是在由蓝宝石形成的基板(11)上层叠至少含有III族氮化物化合物的缓冲层(12)，并在该缓冲层(12)上顺次层叠n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)而成，缓冲层(12)是采用反应溅射法形成的，缓冲层(12)含有氧，且缓冲层(12)中的氧浓度为1原子％以下。
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公开(公告)号：CN100568562C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680032456.X
申请日：2006-09-05
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/0095 , H01L33/32 , H01L33/42
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有优良的光输出效率，且仅仅需要很低的驱动电压(Vf)。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件包括在衬底上由氮化镓基化合物半导体形成和依次层叠的n型半导体层、发光层和p型半导体层，并且正电极和负电极被设置为分别与所述p型半导体层和所述n型半导体层接触，其中，p型杂质和氢原子共存于其中的区域存在于与所述正电极接触的所述p型半导体层中，并且所述正电极的至少与所述p型半导体层接触的部分由n型导电透光材料形成。
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公开(公告)号：CN101517759A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200780035629.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。
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公开(公告)号：CN101438429A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200780016568.0
申请日：2007-05-08
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/303 , C23C16/0272 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/02403 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/16 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是在异种基板上稳定地得到层叠了良好结晶性的III族氮化物化合物半导体层的III族氮化物化合物半导体叠层结构体。本发明的III族氮化物化合物半导体叠层结构体，其特征在于，在基板上具备由III族氮化物化合物半导体形成的第一层和与该第一层邻接的由III族氮化物化合物半导体形成的第二层，该第一层含有晶界面清晰的柱状晶，其密度为1×103个/μm2～1×105个/μm2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100481539C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200580003365.9
申请日：2005-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓化合物半导体多层结构，用于制造氮化镓化合物半导体发光器件，所述器件在低电压下工作，同时维持令人满意的发光输出。所述发明的氮化镓化合物半导体多层结构包括衬底以及形成在所述衬底上的n型层、有源层和p型层，所述有源层被夹在所述n型层与所述p型层之间，并且所述有源层包括厚部分和薄部分，其中所述有源层具有平坦的下表面(在所述衬底侧上)和不平坦的上表面，以形成所述厚部分和所述薄部分。
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公开(公告)号：CN1943047A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200580011658.1
申请日：2005-03-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L33/025 , H01L33/32 , H01S5/3054 , H01S5/32341 , Y02E10/544
Abstract: 一种氮化镓基半导体器件具有p型层，所述p型层是包含p型杂质并呈现p型导电性的氮化镓化合物半导体层。所述p型层包括顶部部分和位于所述顶部部分下的内部部分。所述内部部分包含所述p型杂质元素和与之结合的氢。
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公开(公告)号：CN101517759B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200780035629.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供生产率优异、并具有优异的发光特性的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法以及III族氮化物化合物半导体发光元件和灯。该III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法，是在基板(11)上至少层叠由III族氮化物化合物形成的中间层(12)，并在该中间层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具有对基板(11)进行等离子处理的预处理工序、和继该预处理工序之后的、采用溅射法在基板(11)上形成中间层(12)的溅射工序。
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公开(公告)号：CN102113140A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980130253.8
申请日：2009-06-03
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00 , C23C16/34 , C30B29/38 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02458 , C23C14/022 , C23C14/0617 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2924/181 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的是提供一种生产率优异并且具有优异的发光特性的Ⅲ族氮化物半导体发光元件的制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件以及灯。本发明提供的制造方法是在基板(11)上层叠包含Ⅲ族氮化物化合物的缓冲层(12)，在该缓冲层(12)上依次层叠具有基底层(14a)的n型半导体层(14)、发光层(15)和p型半导体层(16)的方法，具备：对基板(11)进行等离子体处理的预处理工序；继预处理工序之后，在基板(11)上通过至少将金属Ga原料和含有V族元素的气体用等离子体活化而使其反应，以AlXGa1-XN(0≤X＜1)的组成形成缓冲层(12)的缓冲层形成工序；和在缓冲层(12)上形成基底层(14a)的基底层形成工序。
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公开(公告)号：CN100568561C
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200680024176.4
申请日：2006-06-30
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种氮化镓基化合物半导体发光器件，其具有为获得优良的光提取效率而配置的反射性正电极。本发明的氮化镓基化合物半导体发光器件在衬底上具有氮化镓基化合物半导体层结构，所述氮化镓基化合物半导体层结构包括n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中设置在所述p型半导体层上的正电极是反射性正电极，所述反射性正电极包括透明材料层和形成在所述透明材料层上的反射性金属层。
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