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公开(公告)号:CN109830469A
公开(公告)日:2019-05-31
申请号:CN201910138681.0
申请日:2013-08-05
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
摘要: 本发明涉及一种半导体封装件。半导体封装件包括基板、阻挡层及框体。基板具有一上表面且包括至少一接垫。阻挡层形成于芯片接垫上。框体形成于基板的上表面的边缘区,框体具有一凹部,凹部露出阻挡层。
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公开(公告)号:CN104009023B
公开(公告)日:2017-08-08
申请号:CN201410069420.5
申请日:2014-02-27
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/552 , H01L23/367 , H01L21/50
CPC分类号: H01L23/60 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/3121 , H01L23/3675 , H01L24/17 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/12042 , H01L2924/15313 , H01L2924/181 , H01L2924/19015 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/81
摘要: 本发明涉及一种具有热增强型共形屏蔽的半导体封装及相关方法,半导体封装包括衬底、裸片、第一金属层、第二金属层及任选晶种层。封装主体位于所述衬底上且至少部分地包覆所述裸片。所述晶种层设置于所述封装主体上,且所述第一金属层设置于所述晶种层上。所述第二金属层设置于所述第一金属层以及所述衬底的侧向表面上。所述第一金属层及所述第二金属层形成外部金属罩,所述外部金属罩提供散热及电磁干扰(EMI)屏蔽。
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公开(公告)号:CN103441081B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310399828.4
申请日:2013-09-05
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要: 本发明是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。该半导体组合结构包括一基板、至少一导体、一挡墙部及一第一芯片。该基板具有至少一电性连接处。该导体位于该电性连接处上。该挡墙部用以顶抵该导体。该第一芯片具有至少一凸块。该第一芯片大致垂直该基板,且该凸块接触该导体。藉此,该凸块与该导体间的接合可靠度可提高,以确保该第一芯片与该基板间的电性连接。
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公开(公告)号:CN104347558A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201310336851.9
申请日:2013-08-05
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L2224/16225
摘要: 本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片阻挡层、元件阻挡层、芯片及框体。基板具有上表面且包括芯片接垫及元件接垫。芯片阻挡层形成于芯片接垫上。元件阻挡层形成于元件接垫上。芯片对应芯片接垫的区域设于基板上并电性连接于芯片接垫。框体形成于基板的上表面的边缘区,框体具有一凹部,凹部露出芯片及元件阻挡层。
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公开(公告)号:CN102832182B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201210331419.6
申请日:2012-09-10
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号: H01L23/552 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/18161 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体封装件,包括一承载板、一第一芯片、一第一半导体封装结构及一第一封胶体。承载板,具有一第一表面及与第一表面相对而设的一第二表面。第一芯片设于第一表面上,且电性连接于承载板。第一半导体封装结构,设于第一表面上且邻近第一芯片。第一封胶体邻接于第一表面,且覆盖第一芯片及第一半导体封装结构。第一封胶体具有一阶梯状结构,阶梯状结构位于第一芯片及第一半导体封装结构之间。
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公开(公告)号:CN102856296A
公开(公告)日:2013-01-02
申请号:CN201210357830.0
申请日:2012-09-24
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/498 , H01L23/36
CPC分类号: H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 一种堆迭式半导体封装件包括第一半导体封装件、第二半导体封装件、第一横向散热件、第二横向散热件及直立散热件。第一半导体封装件具有外侧面及上表面。第二半导体封装件堆迭于第一半导体封装件的上表面上且具有上表面及外侧面。第一横向散热件设于第一半导体封装件的上表面与第二半导体封装件之间。第二横向散热件设于第二半导体封装件的上表面上。直立散热件连接于第一横向散热件且沿着第一半导体封装件的外侧面及第二半导体封装件的外侧面延伸。
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公开(公告)号:CN2370566Y
公开(公告)日:2000-03-22
申请号:CN99200740.2
申请日:1999-01-20
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/00
CPC分类号: H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 本实用新型涉及电子元件封装装置,使之体积小,粘合好。球格阵列积体电路封装装置,其包含一基板,一导体层,一凹陷区及一球体;基板包含一上表面,一下表面及孔;其特征是:该孔从上表面贯穿至下表面,并由第一薄膜及第二薄膜分别覆盖该上表面及下表面,导体层置孔内并形成一内衬;凹陷区设于第二薄膜、位于孔正下方,孔内置一垫片;球体焊接于凹陷区底部的垫片并沉入第二薄膜上的凹陷区内。用于电子元件封装。
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公开(公告)号:CN203932048U
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201420288753.2
申请日:2014-05-30
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/31 , H01L23/13
CPC分类号: H01L2224/16227 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15313 , H01L2924/1815 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025
摘要: 本实用新型涉及一种半导体封装结构,所述半导体封装结构包括:柔性衬底、至少一止档层、至少一电子元件及封装材料。所述柔性衬底具有第一表面、第一区段及至少一弯折区段。所述至少一止档层设置于所述第一表面上及所述至少一弯折区段。所述至少一电子元件设置于所述柔性衬底的所述第一表面且在所述第一区段。封装材料包覆所述柔性衬底的所述第一表面及所述至少一电子元件,封装材料包括至少一开口,形成于所述至少一止档层的相对位置上,以显露所述至少一止档层。
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公开(公告)号:CN2370567Y
公开(公告)日:2000-03-22
申请号:CN99200744.5
申请日:1999-01-20
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/00
摘要: 一种半导体封装的基板,基板表面上设有具有一注胶区域供注胶注入的焊接罩,薄膜黏贴于该基板的注胶区域上。该基板设有球格阵列集成电路。该基板的注胶位置位于注胶周围。该薄膜的非金属材料可为胶带、高分子化合物,也可为金属薄膜或非金属薄膜。在制造球格阵列集成电路的基板时,本实用新型应用在封装电子元件的注胶位置与基板之间,用以隔绝封胶与基板表面在注胶位置上发生直接接触的可剥离隔绝垫层的构造。
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公开(公告)号:CN2370565Y
公开(公告)日:2000-03-22
申请号:CN99200739.9
申请日:1999-01-20
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC分类号: H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/00014
摘要: 本实用新型涉及电子元件封装装置。使之省导线、传输快。电子元件堆叠装置,其包含一基板、一上坑穴、一下坑穴、一上电子元件、一下电子元件及导线,其特征是;基板上表面及下表面间设一金属层;上坑穴从上表面贯穿至金属层,并形成上坑穴底部;下坑[穴从下表面贯穿至金属层并形成下坑穴底部;上电子元件置于上坑穴底部的金属层并覆盖一第一封胶体;下电子元件置于下坑穴底部的金属层并覆盖一第二封胶体。用于电子设备。
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