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公开(公告)号：CN105990288B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201510050087.8
申请日：2015-01-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭示一种半导体衬底及其制造方法，其中衬底包括：具有第一表面和第二表面的绝缘层；和第一导电线路层，第一导电线路层邻近绝缘层的第一表面，并且第一导电线路层包含第一部分和第二部分，第一部分包含接垫，其中第一部分的表面与第二部分的表面不共平面。本发明还揭示一种半导体封装结构，其包含上述半导体衬底。
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公开(公告)号：CN104576596A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310512035.9
申请日：2013-10-25
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49827 , H01L21/4857 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H05K1/113 , H05K3/007 , H05K3/4682 , H05K2201/09227 , H05K2201/09563 , H05K2201/09772 , H05K2201/10674 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体基板及其制造方法，半导体基板包括介电层、线路层、第一保护层、数个第一导电柱、输出入接垫、电性接点层及第二保护层。介电层具有相对的第一表面与第二表面。线路层内埋于介电层并从第一表面露出。第一保护层覆盖第一线路层的一部分并具有数个露出该第一线路层的其余部分的开孔。第一导电柱形成于开孔内，第一导电柱与第一保护层重叠于整个第一线路层。输出入接垫对应地形成于第一导电柱上。电性接点层突出于第二表面形成。第二保护层覆盖介电层的第二表面并露出部分电性接点层。其中，第一保护层的体积与第二保护层的体积的差异介于30%至50%之间。
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公开(公告)号：CN102117752A
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN201110026533.3
申请日：2011-01-25
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L21/50 , H01L23/495
CPC classification number: H01L21/561 , H01L21/4821 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/49582 , H01L23/49861 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/32245 , H01L2224/32257 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明公开一种引脚框架封装结构及其制作方法。该封装结构包括一具有一第一中心块、多个第一金属块、一第二中心块以及多个第二金属块的金属片、一第一饰面层以及一第二饰面层、至少一配置于金属片上的芯片以及一包覆芯片的封装体。封装结构可还包括至少一作为走线布局之用的区域块。由此这些线路区域块可无疑地排列于芯片侧，可有效减短导线长度且可依据产品需求而提供较好设计灵活性；此外，介电层的应用可有效提高封装强度；并且还可简化制作工艺步骤与增加产品可靠度。
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公开(公告)号：CN101819951A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010177535.8
申请日：2010-05-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 一种基板及应用其的半导体封装件与其制造方法。基板包括图案化线路层、第一介电保护层、第二介电保护层、金属支撑层及金属遮蔽层。图案化线路层具有相对的第一面与第二面。第一面具有数个第一接点，第二面具有数个第二接点。第一介电保护层形成于第一面上并露出该些第一接点。第二介电保护层形成于第二面上并露出该些第二接点。金属支撑层埋设于第二介电保护层内以强化基板的结构强度。金属遮蔽层夹设于金属支撑层与图案化线路层之间。
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公开(公告)号：CN100349289C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200410011889.X
申请日：2004-09-24
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/94 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装构造包含一芯片、多个接垫延伸线路、多个导通孔、一外盖、及多个金属线路。该芯片具有一有源表面、一相对的背面、一光学元件配置于该有源表面上、及多个接垫配置于该有源表面上。该接垫延伸线路电性连接于该接垫。该导通孔贯穿该芯片，且电性连接于该接垫延伸线路。该外盖粘着于该芯片的该有源表面上。该多个金属线路配置于该芯片的该背面，电性连接于该多个导通孔，并界定多个焊垫。本发明的半导体封装构造及其制造方法，具有较高的封装效率，并克服先前技术中的许多限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104332417B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201410409688.9
申请日：2011-05-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种内埋式半导体封装件的制作方法。该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。
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公开(公告)号：CN105990288A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510050087.8
申请日：2015-01-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/31 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/49838 , H01L21/4846 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/49894 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明揭示一种半导体衬底及其制造方法，其中衬底包括：具有第一表面和第二表面的绝缘层；和第一导电线路层，第一导电线路层邻近绝缘层的第一表面，并且第一导电线路层包含第一部分和第二部分，第一部分包含接垫，其中第一部分的表面与第二部分的表面不共平面。本发明还揭示一种半导体封装结构，其包含上述半导体衬底。
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公开(公告)号：CN102214626B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201110139369.7
申请日：2011-05-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/498 , H01L25/00 , H01L21/768 , H01L21/60
CPC classification number: H01L25/16 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L2224/04105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/15153 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种内埋式半导体封装件及其制作方法，该半导体封装件包括具有电性接点的半导体元件、上方图案化导电层、介于上方图案化导电层与半导体元件之间的介电层、第一内层电性连接层、下方图案化导电层、导通孔以及第二内层电性连接层。介电层具有暴露出电性接点的第一开口以及从下方图案化导电层延伸至上方图案化导电层的第二开口。第一内层电性连接层从电性接点延伸至上方图案化导电层且填充于第一开口中。第二开口具有暴露出上方图案化导电层的上部分以及暴露出下方图案化导电层的下部分。导通孔位于第二开口的下部分。第二内层电性连接层填充于第二开口的上部分。
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公开(公告)号：CN101819960A
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN201010177532.4
申请日：2010-05-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/13 , H01L23/14 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/4824 , H01L2224/73215 , H01L2924/15311 , H01L2924/3025 , H01L2924/00
Abstract: 一种基板及应用其的半导体封装件与其制造方法。基板包括图案化线路层、第一介电保护层、金属遮蔽层、金属支撑层及第二介电保护层。图案化线路层具有沟槽及相对的第一面与第二面。沟槽从第一面贯穿至第二面。第一面具有数个第一接点及数个第二接点且该些第一接点邻近于沟槽。第一介电保护层形成于第一面上并露出第一接点及第二接点。第二介电保护层形成于第二面上并露出沟槽。金属支撑层埋设于第一介电保护层内，而金属遮蔽层夹设于金属支撑层与图案化线路层之间。
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公开(公告)号：CN101783332A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200910002512.0
申请日：2009-01-16
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种线路板，包括一介电层、一线路层以及一绝缘层。线路层配置于介电层上，具有一焊垫区与一走线区。绝缘层配置于线路层上且覆盖走线区，其中焊垫区的厚度小于走线区的厚度。
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