公开(公告)号：CN110462971A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201880020825.6

申请日：2018-03-28

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 末吉太树 ,  井上真弥 ,  津田尚 ,  小田高司 ,  伊藤郁 ,  山川秀司 ,  椿井大五 ,  水谷道 ,  太田康之

IPC: H02J50/10 ,  H01F27/28 ,  H01F38/14 ,  H02J7/00

Abstract: 无线电力传输系统具备：送电装置，其具备振荡电路和送电线圈构件，该振荡电路用于产生具有1MHz以上且5MHz以下的频率的电力，在该送电线圈构件中流过电力；以及受电装置，其具备能够通过由送电线圈构件产生的磁场来进行发电的受电线圈构件。受电线圈构件是具备绝缘层和配置于绝缘层的一个面的第一线圈图案的片状线圈。第一线圈图案由布线形成，布线沿着第一线圈图案的径向彼此隔开规定的间隔地进行配置。

公开(公告)号：CN102637651B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201210031499.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  高本尚英 ,  松村健

IPC: H01L23/29

CPC classification number: C09D171/08 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/562 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31511 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以在抑制半导体装置制造时的工序数增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的保护层形成用薄膜。本发明的保护层形成用薄膜是用于在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上形成保护层的保护层形成用薄膜，将支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层依次层叠，热固性树脂层的熔融粘度为1×102Pa·S以上且小于2×104Pa·S、并且粘合剂层的剪切弹性模量为1×103Pa以上2×106Pa以下的温度存在于50～120℃的温度范围内。

公开(公告)号：CN102637589B

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201210031292.6

申请日：2012-02-13

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  高本尚英 ,  松村健

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L23/293 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/10 ,  H01L24/81 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种可以在抑制工序数的增加的同时、防止半导体晶片所具有的低介电常数材料层的裂纹的半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置的制造方法具备：在形成有低介电常数材料层的带有凸点的晶片上，将依次层叠支撑基材、粘合剂层和热固性树脂层而成的保护层形成用薄膜以热固性树脂层作为贴合面贴合的工序；将支撑基材和粘合剂层从热固性树脂层上剥离的工序；加热热固性树脂层而使之固化，形成保护层的工序；以及；将带有凸点的晶片与保护层一起切片的工序。

公开(公告)号：CN104349882A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380028479.3

申请日：2013-05-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  松冈裕介 ,  大野博文 ,  中林克之

IPC: B29C43/24 ,  B29C47/08 ,  B29K105/16 ,  B29L7/00

CPC classification number: B29C43/24 ,  B29C47/08 ,  B29K2105/16 ,  B29L2007/002

Abstract: 本发明提供一种片材的制造方法，使用具备一对齿轮(32)的齿轮结构体(4)，使含有粒子和树脂成分的组合物一边沿齿轮(32)的旋转轴线方向(A1)变形一边搬送。其后，一边利用支承辊(51)支承并搬送组合物，一边使之通过支承辊(51)、与相对于支承辊(51)设有间隙(50)地对置配置的突出部(63)之间的间隙(50)，来制造片材(7)。

公开(公告)号：CN104349881A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380027864.6

申请日：2013-05-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 丰田英志 ,  小田高司 ,  松冈裕介 ,  大野博文 ,  中林克之

IPC: B29C43/24 ,  B29C47/08 ,  B29K105/16 ,  B29L7/00

CPC classification number: B29C47/364 ,  B29C47/6031 ,  B29C47/6037 ,  B29C47/6056 ,  B29C47/6093 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种卷筒状片材(60)，其含有粒子及树脂成分，粒子的配合比例超过30体积％。另外，卷筒状片材(60)利用变形搬送工序及间隙通过工序制造，所述变形搬送工序是使用具备一对齿轮(32)的齿轮结构体(4)，使含有粒子和树脂成分的组合物一边沿齿轮(32)的旋转轴线方向变形一边搬送，所述间隙通过工序是在变形搬送工序之后，一边利用移动辊(51)支承并搬送片材(7)，一边使之通过移动辊(51)与突出部(63)之间的间隙。

公开(公告)号：CN103035582A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210356985.2

申请日：2012-09-21

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  盛田浩介 ,  丰田英志

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L24/20 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够提高生产效率和半导体装置的制造设计的自由度的半导体装置的制造方法。本发明为具备半导体芯片的半导体装置的制造方法，其包括：准备在第1主面形成有导通构件的半导体芯片的工序；准备在透射放射线的支撑体上依次层叠有放射线固化型粘合剂层和第1热固化型树脂层的支撑结构的工序；以所述第1热固化型树脂层和所述半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1热固化型树脂层上配置多个半导体芯片的工序，以覆盖所述多个半导体芯片的方式在所述第1热固化型树脂层上层叠第2热固化型树脂层的工序；以及从所述支撑体侧照射放射线而使所述放射线固化型粘合剂层固化，由此在所述放射线固化型粘合剂层和所述第1热固化型树脂层之间进行剥离的工序。

公开(公告)号：CN102842541A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210204695.6

申请日：2012-06-18

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 小田高司 ,  高本尚英 ,  千岁裕之

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L24/27 ,  C09J7/22 ,  C09J7/30 ,  C09J2201/36 ,  C09J2201/606 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/326 ,  C09J2433/00 ,  C09J2461/00 ,  C09J2463/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/8191 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/15787 ,  Y10T428/2826 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供能够容易且准确地对经三维安装的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜。本发明的层叠膜是用于对通过连接用构件而电连接的半导体元件间的空间进行填充的层叠膜，所述层叠膜具备在基材上层叠有粘合剂层的切割片和层叠在上述粘合剂层上的固化性膜，上述固化性膜在50～200℃下的最低熔融粘度为1×102Pa·s以上1×104Pa·s以下。

公开(公告)号：CN101853793A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010149352.5

申请日：2010-03-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 吉田直子 ,  小田高司 ,  森田成纪

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02319 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01044 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法。具有至少布线部和绝缘部的布线电路层(2)以使得该层(2)能够从金属支撑衬底(1)被剥离的方式形成在衬底(1)上，布线电路层的顶表面和底表面(20A，20B)是粘合表面。在布线电路层(2)的第一粘合表面(20A)中暴露第一连接导体部(21)，其可与晶片状态的第一半导体元件(3)的电极31连接。在布线电路层(2)层压在并连接到元件(3)后，金属支撑衬底(1)从布线电路层(2)被剥离以产生半导体器件(4)。另一个元件可以连接到剥离后暴露的另一个粘合表面(20B)。