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公开(公告)号：CN109599411A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811491491.9
申请日：2018-12-07
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L27/15
Abstract: 一种用于Micro-LED巨量转移的可控分散方法及转移方法，包括分散平台，分散平台在旋转的同时进行升降或喷气，从而使放置在分散平台上的芯片做自由离心运动进而分散；a)芯片转移，将晶圆上的Micro-LED芯片转移到橡胶承载片上；b)自由离心动作，橡胶承载片固定于离心式分散平台上，平台转动的同时进行升降或喷气，使芯片进行离心分散，经过单次或数次分散，使芯片阵列达到所需间隔和排布；c)芯片转移，将橡胶承载片上的芯片与承载基板上的焊盘对准，将芯片转移到基板的焊盘上。本方案利用Micro-LED在分散平台做离心抛体运动的方式和倒装，实现巨量Micro-LED的可控分散与转移。
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公开(公告)号：CN120033092A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510092701.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/66
Abstract: 一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，包括以下步骤：S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合；S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息；S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合；S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合；S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合。本发明的目的在于提出一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，解决目前主流混合键合中铜凸块容易出现缺陷键合效果不好和键合温度高的问题。
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公开(公告)号：CN119890055A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202510071848.1
申请日：2025-01-16
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/50 , H01L23/373 , H01L23/367
Abstract: 本发明涉及热界面材料技术领域，公开一种自生成金属‑石墨烯复合热界面材料的加工方法，应用于芯片加工，将石墨烯及其衍生物、金属盐、陶瓷等高导热颗粒和还原剂加入水或醇类溶剂中，经过分散处理得到混合液A；加入硅脂或硅树脂中至少一种，分散处理得到浆料B；涂到待加工的芯片的散热表面，覆盖散热片，加热触发反应并保持至烘干，在烘干过程中溶剂挥发，金属生成在散热表面和散热片之间，直至溶剂完全挥发，散热片固定于芯片的散热表面。通过还原剂将金属盐还原成纳米金属颗粒，使得这些纳米金属颗粒填充在石墨烯网格间，形成纳米金属复合石墨烯热界面材料。
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公开(公告)号：CN119812018A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510001840.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种激光键合互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取一定规格的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片，并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，对准芯片与基板，使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用所述装置选取合适的激光参数，并施加压力和超声，控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。包括细节距互连和芯片固晶，同时实现更好性能、更高效率和更低成本的互连，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119812017A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510001831.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种无定向激光烧结互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取适配的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，使其形成芯片、互连材料和基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用激光焊接机选取合适的激光参数，并设定激光束的照射方向，同时施加压力和超声且控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。无定向激光烧结互连工艺，包括细节距互连和芯片固晶，可以减少基板翘曲现象的出现，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。
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公开(公告)号：CN114823470B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210435489.X
申请日：2022-04-24
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/683 , H10H20/85 , C09J7/24 , C09J7/30 , C09J7/40 , C09J161/06 , C09D175/04 , C09D123/00
Abstract: 本发明公开了一种分区域柔性拉伸膜及其制备方法和应用，涉及巨量转移技术领域。分区域柔性拉伸膜由上至下依次包括保护膜层、临时键合胶层和可拉伸衬底层，可拉伸衬底层的内部嵌有线性弹性变形体，线性弹性变形体由多个高分子弹性柱构成，多个高分子弹性柱的排布结构为横向线型排布、纵向线型排布和网格状排布中的任意一种；高分子弹性柱的原料为高分子弹性材料；可拉伸衬底层和线性弹性变形体的材料属性满足以下关系式：E2πd2＝(4～400)E1LT。在拉伸扩张过程中，本发明分区域柔性拉伸膜各位置的变形程度能够保持一致，不会出现应力和形变分布不均匀的问题，能够使得芯片间距均匀，解决了现有柔性承载膜在拉伸扩张过程中出现应力和形变分布不均匀的缺陷。
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公开(公告)号：CN119040805A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411168808.0
申请日：2024-08-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 一种固溶比可控的纳米金属固溶体的制备方法、系统和用途；制备方法，包括以下步骤：步骤(1)：火花烧蚀装置通入‑196～20℃的惰性气体，排空火花烧蚀装置的空气；金属电极靶材的电压范围为0.5～15KV，脉冲电流范围为0.5～25mA；步骤(2)：启动火花烧蚀装置使等离子体在惰性气体的冷却作用重组和无序排列，形成初始固溶体颗粒；改变制备方法的工艺参数来控制固溶体各金属元素的固溶度；工艺参数包括：电极位置、电源参数、靶材端面面积和惰性气体流速；步骤(3)：初始固溶体颗粒随惰性气体经出气管路流入收集装置，获得纳米金属固溶体材料。本方案解决了纳米金属固溶体材料容易污染、效率低、成本大和步骤繁琐的问题。
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公开(公告)号：CN114093771B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202111335833.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开微纳金属膏体填孔的紧实化处理方法及微孔填充工艺，其中的紧实化处理方法包括以下步骤：(1)通过抽真空让待填孔中的气体溢出，促使微纳金属膏体渗入至所述待填孔中；(2)通过外部仪器对样品基板或待填孔中的微纳金属膏体产生作用力，促使待填孔中的微纳金属膏体具有向待填孔底部移动的加速度，从而实现紧实化处理。本发明的紧实化处理方法实现对样品基板上的微纳金属膏体进行紧实化处理，让填充在待填孔中的微纳金属膏体能够更加贴合、紧致地填充在待填孔中，以提高通孔、盲孔(待填孔)的致密度以及热压烧结后的质量；本发明的微孔填充工艺，采用干湿混合填充的方式，有效提高待填孔的导电导热性能，解决孔洞和夹口问题。
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公开(公告)号：CN115223888B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202110427051.2
申请日：2021-04-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01L33/48
Abstract: 本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择承载膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向、Y方向拉伸承载膜，直至X方向、Y方向芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板的焊盘上；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片间距进行实时同步检测；对芯片间距存在偏差的区域，局部修正芯片在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片间距达到所需间距。本发明在拉伸扩张过程中，对芯片间距存在偏差的区域进行修正，使得所有芯片间距达到所需间距，实现芯片的均匀扩张和巨量精准转移。
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