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公开(公告)号：CN111128760A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911379301.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法不使用临时键合胶，直接在基板上方设置介电层，芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序，达到减少了封装的工序，减少了芯片的漂移；此外，所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层，有利于基板后续与固化芯片结构分离，同时因为介电层与隔离层结合力不高，介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装，不会出现内部应力不均的现象，能降低了芯片封装结构内部应力，也有利于避免出现翘曲的现象，提高了芯片封装结构的封装效率和质量。
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公开(公告)号：CN110277324B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201910577684.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/31 , H01L21/607 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了扇出型模块超声封装工艺、设备以及结构，其中扇出型模块超声封装工艺包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；对未固化的所述注塑层进行超声驰豫。在该扇出型模块超声封装工艺中，在依次执行平铺临时键合层、放置芯片和注塑形成注塑层后，在注塑层未固化之前，对注塑层采用了超声驰豫，以通过超声驰豫，对注塑层达到释放应力，并减少翘曲的效果，提高了封装质量与可靠性。
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公开(公告)号：CN110277324A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910577684.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/56 , H01L21/67 , H01L23/31 , H01L21/607 , H01L23/488
Abstract: 本发明公开了扇出型模块超声封装工艺、设备以及结构，其中扇出型模块超声封装工艺包括如下步骤：沿封装体堆叠方向，在基台的顶面平铺有临时键合层，在所述临时键合层顶面间隙放置多个模块，从所述模块顶部注塑以形成包围所述模块的注塑层，且使所述注塑层的底面与所述临时键合层相粘结；对未固化的所述注塑层进行超声驰豫。在该扇出型模块超声封装工艺中，在依次执行平铺临时键合层、放置芯片和注塑形成注塑层后，在注塑层未固化之前，对注塑层采用了超声驰豫，以通过超声驰豫，对注塑层达到释放应力，并减少翘曲的效果，提高了封装质量与可靠性。
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公开(公告)号：CN111048423A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911382345.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构，其制备方法经步骤S1-步骤S9，制备出一种扇出封装结构，该扇出封装结构包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；导电层包括：第一导电层；芯片设置于密封层内，芯片设有凸点；凸点向上露出于密封层的上表面；密封层的上表面覆盖有保护层，保护层对应于凸点的位置设有通孔，Ti层分别位于各凸点的上表面，第一导电层设置于各Ti层的上表面；凸球安装于各导电层的上表面，Ti层和导电层均位于通孔内下方，凸球的头部外露于通孔。本设计能节约封装成本,制作更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，高芯片性能，减小封装体积。
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公开(公告)号：CN110120355A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910446517.6
申请日：2019-05-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/56 , H01L21/60 , B23K26/382 , B23K26/067
Abstract: 一种降低扇出型封装翘曲的方法，在扇出型封装的注塑步骤后，在注塑材料固化前，在封装体指定位置打出应力释放孔或者应力释放槽阵列。本发明根据上述内容提出一种降低扇出型封装翘曲的方法，通过在封装体指定位置预制应力释放孔或者应力释放槽阵列，从而阻断注塑材料冷却收缩过程中的横向应力传递路径，达到控制内应力，进而减少封装结构翘曲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109865485A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910168114.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本申请公开了一种微小物体定向移动方法，通过将微小物体浮于溶液中，其中，所述溶液中溶解有表面活性物质；激发所述溶液中的所述表面活性物质，以便所述微小物体发生定向移动。本申请中将微小物体浮于溶有表面活性物质的溶液中，激发溶液中的表面活性物质，表面活性物质被激发后，导致表面能发生变化，而对于被激发以外的区域，表面能并未发生改变，由于溶液中被激发的区域和被激发以外的区域的表面能并不相等，溶液便发生定向流动，进而带动微小物体发生定向移动。
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公开(公告)号：CN109865485B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910168114.X
申请日：2019-03-06
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本申请公开了一种微小物体定向移动方法，通过将微小物体浮于溶液中，其中，所述溶液中溶解有表面活性物质；激发所述溶液中的所述表面活性物质，以便所述微小物体发生定向移动。本申请中将微小物体浮于溶有表面活性物质的溶液中，激发溶液中的表面活性物质，表面活性物质被激发后，导致表面能发生变化，而对于被激发以外的区域，表面能并未发生改变，由于溶液中被激发的区域和被激发以外的区域的表面能并不相等，溶液便发生定向流动，进而带动微小物体发生定向移动。
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公开(公告)号：CN111048425A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911379309.5
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 一种芯片扇出封装方法，在载板上覆盖一层临时键合层，在临时键合层上沉积一层薄Cu作为种子层，将薄Cu刻蚀成图案形成图案化Cu层；在图案化Cu层上压合一层介电层，再将芯片以凸点朝下的方向，即朝向载板的方向热压入介电层并固定在载板对应位置；进行注塑处理形成注塑层；固化后撕除临时键合层和载板；使用激光打孔或等离子清洗的方式，清除Cu凸点上的介电层，使Cu凸点暴露，通过化学沉铜方法，填充芯片凸点与Cu种子层的空隙使其连接；在最表面覆盖干膜并进行曝光显影和图形电镀处理，形成所需厚度的再布线线路层；同时可以采用铜箔和图形刻蚀代替Cu作为种子层沉积和图形电镀工艺，提高高厚度再布线层的成型效率，解决注塑过程芯片发生漂移问题。
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公开(公告)号：CN111128760B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911379301.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法不使用临时键合胶，直接在基板上方设置介电层，芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序，达到减少了封装的工序，减少了芯片的漂移；此外，所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层，有利于基板后续与固化芯片结构分离，同时因为介电层与隔离层结合力不高，介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装，不会出现内部应力不均的现象，能降低了芯片封装结构内部应力，也有利于避免出现翘曲的现象，提高了芯片封装结构的封装效率和质量。
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