一种自抗扰控制系统及方法

    公开(公告)号:CN107272421B

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN201710680479.1

    申请日:2017-08-10

    Abstract: 本发明公开了一种自抗扰控制系统,包括采取预报补偿措施的跟踪微分器TD‑T、微分器、扩张状态观测器ESO和非线性误差反馈控制律NLSEF,微分器不包括采取预报补偿措施的微分器,其中:TD‑T的输入端与原始信号输出单元连接,输出端与NLSEF的第一输入端连接,用于接收原始信号,并从原始信号提取出跟踪信号;微分器的输入端与原始信号输出单元连接,输出端与NLSEF的第二输入端连接,用于接收原始信号,并从原始信号提取出微分信号。本申请的自抗扰控制系统对跟踪信号进行相位补偿的同时还保证了微分信号的品质,从而进一步提高了自抗扰控制器的控制性能。本发明还提供了一种自抗扰控制方法,与上述系统具有相同的有益效果。

    一种核壳结构纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111687425B

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202010711907.4

    申请日:2020-07-22

    Abstract: 本发明涉及纳米材料技术领域,尤其涉及一种核壳结构纳米材料及其制备方法。本发明公开的制备方法向火花烧蚀装置内通入载气气源后,载气在高压脉冲下火花放电,高温火花将两个电极表面的材料烧蚀蒸发,形成两种原子团簇,随即冷凝形成纳米颗粒,经烧结、冷却,熔点高的纳米颗粒先凝结为核心,熔点低的纳米颗粒后凝结为壳层,形成核壳结构以降低能量保持稳定状态。该制备方法无需制备前驱体,工艺简单快捷且环保,降低生产成本,可连续生产,有利于实现工业化大规模生产;该制备方法制得的核壳颗粒纯度高、单分散性好、尺寸可控、且尺寸分布窄;该制备方法通过更换电极的材料可以制备得到不同类型的核壳材料,可应用于电子、生物医药、化工等领域。

    一种高性能复合材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN115229179A

    公开(公告)日:2022-10-25

    申请号:CN202210714280.7

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本发明公开了一种高性能复合材料及其制备方法和应用。本发明的高性能复合材料是采用石墨烯材料包覆纳米金属颗粒制成填充颗粒,再将填充颗粒与大粒径的金属颗粒混合烧结成制得。该高性能复合材料可应用在制成半导体封装材料、互连线路或热界面材料。本发明的方法在常温下就能实现石墨烯/纳米金属的有效包覆,结合紧密;同时,在低温低压下就能烧结得到高性能的复合材料。经石墨烯材料包覆后的纳米金属颗粒具有一定的石墨烯抗氧化能力,并且在与大粒径的金属颗粒混合烧结时能够提高烧结体的致密性,降低热膨胀系数,同时本发明利用石墨烯的超高面内热导性能进行高效传热,在低温低压条件下便可获得高性能、高导热的复合材料。

    一种可在线修整的剖槽电极微细放电加工装置及加工方法

    公开(公告)号:CN111215710B

    公开(公告)日:2021-09-24

    申请号:CN202010112428.0

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种可在线修整的剖槽电极微细放电加工装置及加工方法,涉及电加工技术领域,工作液系统包括工作槽、第一过滤器、第一高压泵和喷嘴,工作液系统一侧设有冷却液系统,冷却液系统包括冷却槽、第二过滤器和第二高压泵,冷却液系统一侧设有传动系统,传动系统包括伺服电机、电机主轴和高速轴承;电机主轴通过夹头与工具电极的一端连接,工具电极底部开设有凹槽,工具电极一侧设有用于修整工具电极的线电极。本发明突破现有颗粒增强金属基复合材料微细放电加工技术的瓶颈,同时新方法的工具电极具有可在线修整性,以及优异的排屑能力以及工作液的更新能力还有望突破现有金属基复合材料微细放电加工中高精度,高表面质量的制造瓶颈。

    面向正弦条纹的非线性自矫正结构光三维测量方法及系统

    公开(公告)号:CN113063371B

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202110308853.1

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明公开了面向正弦条纹的非线性自矫正结构光三维测量方法及系统,涉及光学三维测量技术领域。本发明根据系统非线性响应,提出一种新的直流分量的数学模型,基于该直流分量模型,调整三组正弦条纹各自的调制强度以及均值强度,建立关于非线性响应方程,计算得到每个像素各自的非线性相应参数,再利用非线性响应方程的反函数矫正条纹图像的灰度,将矫正后的条纹图像计算出包裹相位和解包裹相位,最后根据三角测距重建三维点云,建成待测物体的三维模型,完成待测物体的三维测量。实现无需增加投影时间以及庞大的矩阵求逆计算耗时,减少不同频率相位的非线性误差,因此本发明能同时提高包裹相位精度以及解包裹精度,实现高速、高精度的三维测量。

    面向正弦条纹的非线性自矫正结构光三维测量方法及系统

    公开(公告)号:CN113063371A

    公开(公告)日:2021-07-02

    申请号:CN202110308853.1

    申请日:2021-03-23

    Abstract: 本发明公开了面向正弦条纹的非线性自矫正结构光三维测量方法及系统,涉及光学三维测量技术领域。本发明根据系统非线性响应,提出一种新的直流分量的数学模型,基于该直流分量模型,调整三组正弦条纹各自的调制强度以及均值强度,建立关于非线性响应方程,计算得到每个像素各自的非线性相应参数,再利用非线性响应方程的反函数矫正条纹图像的灰度,将矫正后的条纹图像计算出包裹相位和解包裹相位,最后根据三角测距重建三维点云,建成待测物体的三维模型,完成待测物体的三维测量。实现无需增加投影时间以及庞大的矩阵求逆计算耗时,减少不同频率相位的非线性误差,因此本发明能同时提高包裹相位精度以及解包裹精度,实现高速、高精度的三维测量。

    用于难导电材料的离子/分子震荡放电加工装置及加工方法

    公开(公告)号:CN112809108A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202110020763.2

    申请日:2021-01-07

    Abstract: 本发明涉及材料加工技术领域,尤其公开了用于难导电材料的离子/分子震荡放电加工装置及加工方法,该方法不受工件材料的导电性的影响,只需要将工具电极与加工电源连通就可以产生放电,主轴转速控制系统控制工具电极转速,供液单元持续向难导电材料与工具电极间隙输送工作介质,高频/射频电源经进电系统向工具电极施加高频/射频电波,使得工作介质与工具电极连续产生离子/分子震荡并产生放电将难导电材料被熔融蚀除。反馈控制系统根据力传感器的力信号对旋转主轴位置进行调整,使得工具电极和难导电材料之间的加工间隙保持在预定值实现持续进行加工。能够对难导电材料进行孔加工、平面加工、三维形状加工等,提升加工精度及加工质量。

    一种可在线修整的剖槽电极微细放电加工装置及加工方法

    公开(公告)号:CN111215710A

    公开(公告)日:2020-06-02

    申请号:CN202010112428.0

    申请日:2020-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种可在线修整的剖槽电极微细放电加工装置及加工方法,涉及电加工技术领域,工作液系统包括工作槽、第一过滤器、第一高压泵和喷嘴,工作液系统一侧设有冷却液系统,冷却液系统包括冷却槽、第二过滤器和第二高压泵,冷却液系统一侧设有传动系统,传动系统包括伺服电机、电机主轴和高速轴承;电机主轴通过夹头与工具电极的一端连接,工具电极底部开设有凹槽,工具电极一侧设有用于修整工具电极的线电极。本发明突破现有颗粒增强金属基复合材料微细放电加工技术的瓶颈,同时新方法的工具电极具有可在线修整性,以及优异的排屑能力以及工作液的更新能力还有望突破现有金属基复合材料微细放电加工中高精度,高表面质量的制造瓶颈。

    一种PID参数整定方法、装置、系统及可读存储介质

    公开(公告)号:CN110308658A

    公开(公告)日:2019-10-08

    申请号:CN201910671659.2

    申请日:2019-07-24

    Abstract: 本发明公开了一种PID参数整定方法、装置、系统及计算机可读存储介质,包括实现采集运动控制系统中与每组PID参数分别对应的指标数据;依据各组指标数据和相应的PID参数对神经网络进行训练,得到PID参数预测模型;依据预先建立的模糊控制器对各组指标数据进行分析,得到最优指标数据;采用PID参数预测模型对最优指标数据进行预测,得到相应的最优PID参数,本发明能够自动完成对PID参数的整定,不仅能够提高工作效率,还能够保障PID参数的整定精确度。

    一种电子元件的巨量转移方法及装置

    公开(公告)号:CN109449100B

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201811204677.1

    申请日:2018-10-16

    Abstract: 一种电子元件的巨量转移装置,包括固晶焊臂、覆晶焊臂、外加物理场装置和操作台;固晶焊臂和覆晶焊臂分别通过电气连接于操作台,外加物理场装置分别设置于固晶焊臂和覆晶焊臂的两侧;覆晶旋转电机设置于覆晶两端夹紧装置的一侧,覆晶两端夹紧装置设置于覆晶顶杆的两侧,覆晶导轨设置于覆晶顶杆,覆晶托架可移动设置于覆晶导轨,覆晶转移头设置于覆晶托架,覆晶弹性材料设置于相邻的覆晶托架之间。本发明的目的在于提出一种电子元件的巨量转移方法及装置,本发明装置简单,效率提高了a2c倍,电子元件的间距完全可控且巨量转移在目标基板,在半导体制造领域具有极大的应用价值。

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