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公开(公告)号：CN111048423A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201911382345.7
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 一种扇出封装结构的制备方法和扇出封装结构，其制备方法经步骤S1-步骤S9，制备出一种扇出封装结构，该扇出封装结构包括：密封层、芯片、Ti层、导电层、凸球和保护层；导电层包括：第一导电层；芯片设置于密封层内，芯片设有凸点；凸点向上露出于密封层的上表面；密封层的上表面覆盖有保护层，保护层对应于凸点的位置设有通孔，Ti层分别位于各凸点的上表面，第一导电层设置于各Ti层的上表面；凸球安装于各导电层的上表面，Ti层和导电层均位于通孔内下方，凸球的头部外露于通孔。本设计能节约封装成本,制作更细的再布线层线路，提高了扇出封装的密度，增加I/O数量，高芯片性能，减小封装体积。
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公开(公告)号：CN110280759A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910740479.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微纳级材料制备技术领域，尤其涉及一种微纳级核壳材料的制备方法和制备微纳级核壳材料的装置。本发明提供了一种微纳级核壳材料的制备方法，本发明制备方法中，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液在雷诺数不小于2300的条件下进行混合，再通过雾化法进行分散，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液充分接触，金属离子在微纳级金属颗粒的表面形成金属包覆层，得到分散的微纳级核壳材料，该制备方法可控制核壳材料的分散度，实现连续生产，并可通过调节微纳级金属颗粒的粒径和金属离子溶液的浓度控制微纳级核壳材料的颗粒尺寸。
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公开(公告)号：CN111128760A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911379301.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法不使用临时键合胶，直接在基板上方设置介电层，芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序，达到减少了封装的工序，减少了芯片的漂移；此外，所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层，有利于基板后续与固化芯片结构分离，同时因为介电层与隔离层结合力不高，介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装，不会出现内部应力不均的现象，能降低了芯片封装结构内部应力，也有利于避免出现翘曲的现象，提高了芯片封装结构的封装效率和质量。
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公开(公告)号：CN110280759B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201910740479.5
申请日：2019-08-12
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微纳级材料制备技术领域，尤其涉及一种微纳级核壳材料的制备方法和制备微纳级核壳材料的装置。本发明提供了一种微纳级核壳材料的制备方法，本发明制备方法中，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液在雷诺数不小于2300的条件下进行混合，再通过雾化法进行分散，含有微纳级金属颗粒的溶液与金属离子溶液充分接触，金属离子在微纳级金属颗粒的表面形成金属包覆层，得到分散的微纳级核壳材料，该制备方法可控制核壳材料的分散度，实现连续生产，并可通过调节微纳级金属颗粒的粒径和金属离子溶液的浓度控制微纳级核壳材料的颗粒尺寸。
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公开(公告)号：CN111128760B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201911379301.9
申请日：2019-12-27
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是一种基于扇出型封装工艺的芯片封装方法及芯片封装结构，所述芯片封装方法不使用临时键合胶，直接在基板上方设置介电层，芯片直接热压如介电层后可快速完成注塑固化工序，达到减少了封装的工序，减少了芯片的漂移；此外，所述芯片封装方法在基板和介电层之间增设了特殊材料的隔离层，有利于基板后续与固化芯片结构分离，同时因为介电层与隔离层结合力不高，介电层及介电层以上的芯片封装结构在封装固化时可以灵活的固化封装，不会出现内部应力不均的现象，能降低了芯片封装结构内部应力，也有利于避免出现翘曲的现象，提高了芯片封装结构的封装效率和质量。
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