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公开(公告)号：CN120033092A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202510092701.0
申请日：2025-01-21
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/66
Abstract: 一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，包括以下步骤：S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合；S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息；S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合；S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合；S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合。本发明的目的在于提出一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法，解决目前主流混合键合中铜凸块容易出现缺陷键合效果不好和键合温度高的问题。
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公开(公告)号：CN119812018A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510001840.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种激光键合互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取一定规格的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片，并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，对准芯片与基板，使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用所述装置选取合适的激光参数，并施加压力和超声，控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。包括细节距互连和芯片固晶，同时实现更好性能、更高效率和更低成本的互连，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。
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公开(公告)号：CN119812017A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510001831.9
申请日：2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种无定向激光烧结互连工艺，包括以下步骤：步骤一，选取适配的基板和芯片，并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理；步骤二，将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层，使其形成芯片、互连材料和基板的互连结构；步骤三，通入保护气体，使用激光焊接机选取合适的激光参数，并设定激光束的照射方向，同时施加压力和超声且控制焊接时间对所述互连结构进行焊接；步骤四，室温下冷却后得到所述互连结构。无定向激光烧结互连工艺，包括细节距互连和芯片固晶，可以减少基板翘曲现象的出现，满足先进封装要求，用于解决上述的技术问题。
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公开(公告)号：CN120048740A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510059698.2
申请日：2025-01-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件封装加工技术领域，尤其涉及一种基板的高深径比微孔的自填充方法，包括以下步骤：(1)对所述基板进行偶联剂活化处理；(2)在所述基板表面涂覆膏状纳米填料，所述膏状纳米填料在毛细作用下自填充所述基板上的微孔，所述膏状纳米填料的润湿角α≤30°，所述微孔的深径比为5:1至500:1，所述微孔的孔径为1‑100μm；(3)对完成填孔的所述基板进行烧结处理。本发明的方法能够对基板上的微小且高深径比的微孔进行可靠填充，成本低且方法简单。
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公开(公告)号：CN119489296A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411447413.4
申请日：2024-10-16
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23K35/40 , B23K35/00 , B22F1/107 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种金属焊膏及其制备方法和应用，包括以下步骤：A.制备金属颗粒；其中，所述金属颗粒的粒径为5～5000nm，且所述金属颗粒的烧结温度＞300℃；B.将金属颗粒、烧结助剂和溶剂混合均匀后得到金属焊膏；其中，所述金属焊膏的烧结温度为80～260℃。本发明提出的一种金属焊膏的制备方法，制备方法简单，操作性强，通过向配方中添加烧结助剂，令得到的金属焊膏在实现低温烧结的前提下，具有较高的剪切强度和导电性能，以克服现有技术的不足。
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