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公开(公告)号:CN120048740A
公开(公告)日:2025-05-27
申请号:CN202510059698.2
申请日:2025-01-15
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/48 , H01L23/498
Abstract: 本发明涉及半导体功率器件封装加工技术领域,尤其涉及一种基板的高深径比微孔的自填充方法,包括以下步骤:(1)对所述基板进行偶联剂活化处理;(2)在所述基板表面涂覆膏状纳米填料,所述膏状纳米填料在毛细作用下自填充所述基板上的微孔,所述膏状纳米填料的润湿角α≤30°,所述微孔的深径比为5:1至500:1,所述微孔的孔径为1‑100μm;(3)对完成填孔的所述基板进行烧结处理。本发明的方法能够对基板上的微小且高深径比的微孔进行可靠填充,成本低且方法简单。
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公开(公告)号:CN119725123A
公开(公告)日:2025-03-28
申请号:CN202411647583.7
申请日:2024-11-18
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/607
Abstract: 本发明公开一种桥连封装互连方法,包括以下步骤:S1、制备蘸取界面,在蘸取基体的表面上涂敷纳米颗粒浆料或者沉积固体纳米颗粒,获得含有纳米颗粒层的蘸取界面,所述纳米颗粒层的厚度小于1μm;S2、将蘸取体和基底清洗干净后进行预处理;S3、键合机的吸头吸取带有铜柱端的蘸取体,将铜柱端浸入蘸取界面蘸取后提起;S4、通入保护气体,通过键合机的光学系统,将蘸取体上的铜柱端对准所述基底上对应的焊接区,并且施加相应的压力、超声和温度以进行键合;S5、键合后室温冷却后得到超细节距桥连封装结构。本发明解决在chiplet以及异构集成领域中,无法实现硅桥与芯片的超细节距互连,不能满足高密度封装的要求的问题。
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公开(公告)号:CN120033092A
公开(公告)日:2025-05-23
申请号:CN202510092701.0
申请日:2025-01-21
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/66
Abstract: 一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法,包括以下步骤:S1、将待键合的芯片表面清洗后进行预处理准备进行键合;S2、识别待键合表面上的铜凸块的表面缺陷和位置信息;S3、将电火花烧蚀装置制备的细径纳米铜颗粒打印到铜凸块表面修复碟形缺陷实现铜凸块的表面平整化并形成一层纳米铜薄膜辅助低温键合;S4、将打印后的芯片用键合机进行对准配合接触后进行微加热实现混合键合的预键合;S5、通入惰性保护气体加热进行低温混合键合。本发明的目的在于提出一种打印纳米铜辅助混合键合工艺的方法,解决目前主流混合键合中铜凸块容易出现缺陷键合效果不好和键合温度高的问题。
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公开(公告)号:CN119812018A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510001840.8
申请日:2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种激光键合互连工艺,包括以下步骤:步骤一,选取一定规格的基板和芯片,并将所述基板和所述芯片清洗干净后进行预处理;步骤二,使用一种带透光且耐高温材料的芯片吸取和激光发射一体化装置从正上方吸取芯片,并将互连材料置于芯片和基板中间作为互连层,对准芯片与基板,使其形成芯片、互连材料、基板的互连结构;步骤三,通入保护气体,使用所述装置选取合适的激光参数,并施加压力和超声,控制焊接时间对所述互连结构进行焊接;步骤四,室温下冷却后得到所述互连结构。包括细节距互连和芯片固晶,同时实现更好性能、更高效率和更低成本的互连,满足先进封装要求,用于解决上述的技术问题。
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公开(公告)号:CN119799075A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202510001832.3
申请日:2025-01-02
Applicant: 广东工业大学
IPC: C09D11/52
Abstract: 本发明属于电子材料技术领域,特别涉及一种绿色原位热激活离子油墨及其制备方法、应用。一种绿色原位热激活离子油墨的制备方法,包括以下步骤:步骤一:将前驱体进行研磨,所述前驱体为非金属单质的含铜前驱体、含银前驱体、含镍前驱体、含钴前驱体或/和含金前驱体;步骤二:将研磨后的前驱体和第一溶剂混合制成原位热激活离子油墨,其中,所述第一溶剂为具有还原性的溶剂,所述第一溶剂在常温下不与所述前驱体反应。所提出的制备方法在常温下通过混合制备即可,无需进行微米/纳米金属颗粒的制备,也无需引入常规制备油墨时的树脂或纤维素或纤维素衍生物,避免高温下难以去除的有机物杂质,且大大缩短制备时间,更加便捷与高效。
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公开(公告)号:CN119426848A
公开(公告)日:2025-02-14
申请号:CN202411447412.X
申请日:2024-10-16
Applicant: 广东工业大学
IPC: B23K35/40 , B23K35/00 , B22F9/24 , B82Y40/00 , B23K101/36
Abstract: 本发明公开了一种低温烧结的金属焊膏及其制备方法和应用,包括以下步骤:A.将金属盐、烧结助剂和还原剂加入溶剂中,反应后得到低温烧结金属悬浊液;其中,所述低温烧结金属悬浊液含有金属纳米颗粒,且所述金属纳米颗粒的烧结温度>300℃;B.将低温烧结金属悬浊液在真空环境下浓缩后,得到低温烧结的金属焊膏;其中,所述低温烧结的金属焊膏的烧结温度为130~240℃。本发明提出的一种低温烧结的金属焊膏的制备方法,制备方法简单,操作性强,通过向配方中添加烧结助剂,令得到的金属焊膏在实现低温烧结的前提下,具有较高的剪切强度和导电性能。
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