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公开(公告)号：CN102057483A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121220.7
申请日：2009-05-22
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
CPC classification number: H05K1/0218 , H01L23/66 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6688 , H01L2924/0002 , H01L2924/19032 , H01L2924/3011 , H05K1/025 , H05K1/0265 , H05K3/4652 , H05K2201/0191 , H05K2201/0352 , H05K2201/0715 , H05K2201/096 , H05K2201/09618 , H05K2201/09727 , H05K2201/09972 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种多层配线基板。多层配线基板(100)具有：第一配线区域(101)，其中配线(103a)和绝缘层(104a，104b)交替地层叠；以及第二配线区域(102)，其中相对于第一配线区域(101)的绝缘层的厚度H1，绝缘层(104)的厚度H2是2倍以上，并且相对于配线宽度W1，配线(103b)的宽度W2为2倍以上。第一配线区域(101)和第二配线区域(102)被一体地形成在同一基板上。
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公开(公告)号：CN101903562A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880122240.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: C23C16/511 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/511 , H01L31/028 , H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01L31/1816 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供了一种能够通过微波等离子体进行高效/快速成膜、并且防止氧的混入、且降低缺陷数的光电转换元件制造装置和方法以及光电转换元件，本发明涉及在衬底(W)上通过微波等离子体CVD法来形成半导体的层积膜的光电转换元件制造装置(100)，所述光电转换元件制造装置(100)包括：腔室(10)，所述腔室(10)是密闭空间，并且所述腔室(10)中内置有载放衬底的基座，所述衬底(W)是要形成薄膜的对象；第一气体供应部(40)，其对所述腔室(10)内的等离子体激发区域提供等离子体激发气体；调压部(70)，其调整所述腔室(10)内的压力；第二气体供应部(50)，其对所述腔室(10)内的等离子体扩散区域提供原料气体；微波施加部(20)，其将微波导入到所述腔室(10)内；以及偏置电压施加部(60)，其对所述衬底(W)根据所述气体种类来选择并施加衬底偏置电压。
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公开(公告)号：CN101897012A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120041.7
申请日：2008-10-07
Applicant: 株式会社新川 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/85 , B23K20/007 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/78 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/781 , H01L2224/78268 , H01L2224/78301 , H01L2224/7865 , H01L2224/78744 , H01L2224/85009 , H01L2224/85013 , H01L2224/85045 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85181 , H01L2224/85201 , H01L2224/85203 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01018 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/00014 , H01L2924/01001 , H01L2924/00
Abstract: 在焊接装置(10)中，包括：内部保持惰性气体气氛的室(12)；第一等离子枪(20)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射置于室(12)内的衬底(41)和半导体芯片(42)，进行焊接点和电极的表面处理；第二等离子枪(30)，安装在室(12)中，将等离子化气体照射位于室(12)内的毛细管(17)前端的初始球(19)或引线(18)，进行初始球(19)或引线(18)的表面处理；焊接处理部(100)，在室(12)内将经表面处理的初始球(19)、引线(18)焊接在经表面处理的焊接点及电极上。由此，有效地进行电极、焊接点及引线双方的表面清洁。
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公开(公告)号：CN100559567C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200580033312.1
申请日：2005-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/318
CPC classification number: H01L29/792 , H01L21/28202 , H01L21/28273 , H01L29/513
Abstract: 提供利用栅绝缘膜中良好的氮浓度分布，得到优异电气特性(写入、消去特性)的半导体存储装置及其制造方法。本发明中第一实施方式的半导体装置的制造方法，是通过经由半导体基板与栅电极之间形成的绝缘膜进行电荷交接而动作的半导体存储装置的制造方法，包括将预先使用等离子体激励用气体稀释的氧氮化种导入等离子体处理装置内，由等离子体生成氧氮化种，在所述半导体基板上形成作为栅绝缘膜的氧氮化膜的工序，所述氧氮化种含有相对于导入所述等离子体处理装置内的全部气体量为0.00001～0.01%的NO气体。
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公开(公告)号：CN101512774A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780031903.4
申请日：2007-06-21
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78654 , H01L29/78603 , H01L29/78648
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，通过对支承SOI层的硅基板的杂质浓度进行调整，并控制在与SOI层相接的硅基板表面形成的嵌入绝缘层的厚度，可得到能够调整阈值的晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101346820A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200680048843.2
申请日：2006-12-20
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L29/045 , H01L29/785 , H01L2029/7857
Abstract: 为了使CMOS电路中的上升及下降工作速度相同，因其载流子迁移率不同，就需要使p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的面积不同。因其面积的不均衡而妨碍了提高半导体器件的集成度。采取在(100)面及(110)面双方具备沟道区的三维结构来构成NMOS晶体管和PMOS晶体管，以使两晶体管的沟道区及栅绝缘膜的面积彼此相等。由此，在使栅绝缘膜等的面积彼此相等的同时，能够使栅电容也相等。并且与现有技术相比能够将基板上的集成度提高到2倍。
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公开(公告)号：CN101322240A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045389.5
申请日：2006-11-30
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L29/045 , H01L29/785 , H01L2029/7857
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，为了使构成CMOS电路的p型MOS晶体管和n型MOS晶体管的动作速度实质上相同，对n型MOS晶体管采取在(100)面和(110)面双方都具有沟道区域的三维构造，对p型MOS晶体管采取仅在(110)面上具有沟道区域的平面构造。进而构成为使两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜面积相等。由此，可以使栅极绝缘膜等的面积相等，并且，也可以使栅极容量相等。
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公开(公告)号：CN102792449B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201180011856.3
申请日：2011-03-02
Applicant: 富士电机株式会社 , 国立大学法人东北大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/28264 , C23C16/403 , C23C16/4488 , H01L21/02178 , H01L21/02277 , H01L29/2003 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/78
Abstract: 本发明的半导体晶体管具备：由GaN系的半导体构成的活性层、以及形成于活性层上的栅极绝缘膜。栅极绝缘膜具有：形成于活性层上且包含从由Al2O3、HfO2、ZrO2、La2O3、以及Y2O3构成的群中选出的1种以上的化合物在内的第1绝缘膜、以及形成于第1绝缘膜上且由SiO2构成的第2绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103489919A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310334981.9
申请日：2009-04-10
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 财团法人国际科学振兴财团
IPC: H01L29/786 , H01L29/04 , H01L29/45 , H01L27/12 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L27/0883 , H01L27/092 , H01L29/045 , H01L29/458 , H01L29/78654 , H01L29/78696
Abstract: 在反型晶体管或本征型晶体管、以及半导体层的积累层电流控制型积累型晶体管中，由于杂质原子浓度的统计偏差，阈值电压的偏差在微细化世代变大，难以确保LSI的可靠性。可以得到通过控制半导体层的膜厚和杂质原子浓度而形成的大电流控制积累型晶体管，使得耗尽层的厚度大于半导体层的膜厚。例如，通过使半导体层的膜厚为100nm并且杂质浓度高于2×1017[cm-3]，阈值偏差的标准偏差可以小于电源电压的偏差。
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公开(公告)号：CN103339733A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201280006501.X
申请日：2012-01-23
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 先进动力设备技术研究协会 , 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/786 , H01L29/812
CPC classification number: H01L21/02274 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/022 , H01L21/0228 , H01L21/0254 , H01L21/28264 , H01L23/564 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42364 , H01L29/51 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L29/7787 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件的制造方法是具有构成半导体层的GaN（氮化镓）的半导体器件的制造方法，其包括栅极绝缘膜形成工序（F），在具有GaN的氮化物层上，使用微波等离子体，形成由SiO2膜和Al2O3膜构成的组之中的至少一种膜，使所形成的膜成为栅极绝缘膜的至少一部分。
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