公开(公告)号：CN101632330A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200880008070.4

申请日：2008-06-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H05H1/46 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H01J37/32238

Abstract: 本发明提供一种使用了同轴管的微波的传输线路。在等离子体处理装置(10)中，将从微波源(900)经由分支波导管(905)向同轴管(600)传输的微波利用分支板(610)分成多个微波，向多个同轴管的内部导体(315a)传输。沿各同轴管的内部导体(315a)传输来的微波从与各内部导体(315a)连接的各电介质板(305)释放到处理容器(100)的内部。利用所释放的微波来激发导入到处理容器(100)中的处理气体，对基板(G)实施期望的等离子体处理。通过使用多个电介质板(305)，可以应对大面积化，提高扩展性，并且通过在传输线路中使用同轴管，可以实现传输线路的设计紧凑，并兼顾供给低频的微波。

公开(公告)号：CN101563782A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780047515.5

申请日：2007-12-19

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  日本瑞翁株式会社 ,  宇部日东化成株式会社 ,  宇部兴产株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  杉谷耕一 ,  小池匡 ,  番场昭典 ,  小林章洋 ,  绵贯耕平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/78639

Abstract: 本发明涉及具有透明性和平坦性优异的栅极绝缘膜的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。由RxMOy表示的氧化物形成的透明绝缘体膜131作为设置在栅极和导电体层之间的栅极绝缘膜。此外，所述透明绝缘体膜131是有下述涂布剂形成，所述涂布剂由将RxMXm－x表示的化合物进行水解缩合反应而得到的缩合物溶解或分散在有机溶剂、水或它们的混合溶剂中而得到的混合液中的一种制成，或是将两种以上的上述混合液进行混合而得到。

公开(公告)号：CN101507374A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200780031365.9

申请日：2007-08-24

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘

IPC: H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L21/312 ,  H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5222 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0203 ,  H05K1/024 ,  H05K3/467 ,  H05K3/4688 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体装置以及多层布线基板中，在多层布线结构所包含的第一布线层与第二布线层之间介入相对介电常数平均在2.5以下的气体或者绝缘物。在第一布线层中的布线与第二布线层中的布线之间设置导电连接体，在第一布线层中的规定的布线与第二布线层中的规定的布线之间设置相对介电常数在5以下的绝缘物热传导体。

公开(公告)号：CN101467498A

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200780021712.X

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  H01L21/3065

Abstract: 本发明提供一种喷淋板及其制造方法、和使用了它的等离子体处理装置、处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板能够更完全地防止等离子体发生逆流、或在纵孔部分的等离子体激励用气体发生着火，从而可以高效地激励等离子体。喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，在形成为等离子体激励用气体的排出路径的纵孔(112)中安装有具有在气体流通方向上连通的气孔的多孔质气体流通体(114)。将由多孔质气体流通体(114)的连通的气孔形成的气体流通路径中的狭路的气孔直径设在10μm以下。

公开(公告)号：CN101461038A

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200780020248.2

申请日：2007-06-13

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 桶作正广 ,  后藤哲也 ,  大见忠弘 ,  石桥清隆

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01J37/32449 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/511 ,  H01J37/3244

Abstract: 本发明提供一种喷淋板、和使用它的等离子体处理装置及处理方法及电子装置的制造方法。该喷淋板不需要盖板。该喷淋板(105)配置在等离子体处理装置的处理室(102)中，为了在处理室(102)中产生等离子体而排出等离子体激励用气体，其中，将喷淋板(105)设为一体物，在该喷淋板(105)上设置用于导入来自等离子体处理装置的气体导入口(110)的等离子体激励用气体的横孔(111)、和与该横孔(111)相连通的纵孔(112)。

公开(公告)号：CN101290902A

公开(公告)日：2008-10-22

申请号：CN200810093351.6

申请日：2008-04-18

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  株式会社未来视野

Inventor： 大见忠弘 ,  村冈祐介 ,  宫路恭祥

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/00 ,  F27B17/00 ,  F27D3/12 ,  C23C16/458 ,  B29C45/00 ,  B29K96/00 ,  B29K77/00

Abstract: 本发明提供一种支撑销的制造方法、支撑销、热处理装置以及基板烧成炉，该支撑销对被实施加热处理的基板进行支撑，对热分解、氧化分解具有高度的耐久性。首先，将主体部(101)的成形材料(优选树脂)在氧气以及/或者水分的含有浓度为10ppm以下的环境下射出成形为给定的销形状来形成支撑销(100)的主体部(101)。接着，在所得到的主体部(101)的表面，通过静电粉末涂装形成氟碳膜(102)。由此，得到对被实施加热处理的基板进行支撑的支撑销(100)。

公开(公告)号：CN101233795A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680024226.9

申请日：2006-08-18

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  森本明大

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H05K1/024 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4626 ,  H05K3/4673 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2201/0195 ,  H05K2201/0209 ,  H05K2201/0254

Abstract: 本发明提供一种多层电路基板以及使用该多层电路基板的电子设备，该多层电路基板包括低介电常数的层间绝缘膜，由于与此层间绝缘膜接触的表面没有凹凸、不会产生制造合格率的下降或高频信号的传输特性的劣化，所以能够显著提高组件或印刷基板等多层电路基板的信号传输特性等性能。多层电路基板(10)包括在基材上具有多个布线层和位于上述多个布线层间的多个绝缘层，上述多个绝缘层内的至少一部分由多孔质绝缘层(1)和非多孔质绝缘层(2)构成，该多孔质绝缘层(1)包含选自由多孔质体、气凝胶、多孔质二氧化硅、多孔性聚合物、中空二氧化硅、中空聚合物组成的多孔质材料组中的至少任意一种材料，该非多孔质绝缘层(2)为上述多孔质绝缘层(1)的至少一面不包含上述多孔质材料组。电子设备使用该多层电路基板。

公开(公告)号：CN101203946A

公开(公告)日：2008-06-18

申请号：CN200680018680.3

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  财团法人国际科学振兴财团

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1203 ,  H01L29/045

Abstract: 本发明的半导体装置包括：设置在SOI基板上的半导体层(SOI层)、和设置在所述SOI层上的栅电极，按照所述栅电极与所述SOI层之间的功函数差所引起的耗尽层的厚度大于所述SOI层的膜厚的方式设定所述SOI层的膜厚，并且至少包括一种常关闭的MOS晶体管。

公开(公告)号：CN101194345A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：CN200680020281.0

申请日：2006-06-07

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  本多稔 ,  中西敏雄

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185

Abstract: 本发明的等离子体氮化处理方法，由具有多个缝隙的平面天线将微波导入处理容器内，形成含氮气体的微波激发高密度等离子体，在等离子体处理装置的处理容器内，使该高密度等离子体作用于被处理体表面的硅，在500℃以上的处理温度下进行氮化处理。

公开(公告)号：CN101120437A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680003184.0

申请日：2006-01-20

Applicant: 国立大学法人东北大学

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  后藤哲也 ,  河濑和雅

IPC: H01L21/318 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/28202 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/518 ,  Y10T428/265

Abstract: 一种电介质膜，通过使处于Si3≡N结合状态的N以3原子％以上的浓度存在于氧化膜的表面侧上，并以0.1原子％以下的浓度存在于界面侧上，可以同时达到防止B扩散和NBTI耐性劣化的目的。在使用Ar/N2游离基氮化的情况下，难以使处于上述结合状态的N浓度同时满足在表面侧达到3原子％以上，在界面侧达到0.1原子％以下，但通过对Xe/N2、Kr/N2、Ar/NH3、Xe/NH3、Kr/NH3、Ar/N2/H2、Xe/N2/H2、Kr/N2/H2的任意一种气体进行组合使用，可以实现上述的N浓度分布。