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公开(公告)号：CN114843381A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210492281.1
申请日：2022-05-07
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，本申请提供的LED芯片的制作方法，一方面，通过光刻、刻蚀的方式将阻挡层进行图形化处理，实现一道光刻工艺同时形成电流阻挡层和N区掩膜；另一方面，通过干法刻蚀同时刻蚀P区掩膜、N区掩膜和切割道图形，实现一道刻蚀中形成N型区台面和切割道，简化流程，提升产量，且刻蚀面皆为倾斜面有利于在PV工序中沉积绝缘保护层，在不额外增加光刻的基础上，将外延结构的倾斜面和切割道裸露出来，最后在PV工序中被绝缘保护层保护起来，从而提升LED芯片的发光亮度和可靠性。
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公开(公告)号：CN114188457A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010961834.4
申请日：2020-09-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有改性层的LED芯片及其制作方法，不仅提高了芯片结构的粘附性，而且同时能作为透明导电层的硬掩膜，改善透明导电层材料蚀刻边缘不规则的缺陷，如此可提高芯片静电击穿可靠性。并且，该改性层的材料选用晶格大小介于透明导电层和绝缘保护层的材料之间，透光性较好，主要是氧化物材料，例如，SiO2、TiO2、ZrO2、ZnO。
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公开(公告)号：CN114122222A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111558381.1
申请日：2021-12-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种复合钝化层及其制作方法、LED芯片，通过在LED芯片的外延叠层裸露面设有复合钝化层，其中，复合钝化层包括依次堆叠的钝化底层及钝化顶层，且所述钝化底层的折射率小于所述钝化顶层的折射率，所述钝化底层用于接触LED芯片的表面并使其耐受逆向电场，所述钝化顶层作为LED芯片与外界接触的膜层，用于减少孔洞；从而提升抗高逆压性能，并避免水汽的渗入。
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公开(公告)号：CN114068730A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111386295.7
申请日：2021-11-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0687 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/06 , C23C14/58 , C23C14/32
Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过将减反射复合层层叠于所述顶电池的裸露区域，可提高多结太阳能电池在各波段的反射效果。进一步地，所述多结太阳能电池为三结太阳能电池，所述三结太阳能电池包括：沿生长方向依次设置的Ge底电池、InGaAs中电池和顶电池，所述顶电池为GaInP顶电池或AlGaInP顶电池；所述减反射复合层包括沿生长方向依次设置且折射率逐渐减小的第一反射膜、第二反射膜和第三反射膜，且所述第一反射膜的折射率为2.2‑2.4，所述第二反射膜的折射率为1.6‑1.7，所述第三反射膜的折射率为1.3‑1.5；从而可实现350～2000nm波段的减反射效果。
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公开(公告)号：CN113437197A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110713218.1
申请日：2021-06-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制作方法，反射层中包括有铝子反射层，由于金属铝更为稳定，因而在保证LED芯片发光亮度较高的基础上，不需要额外增加扩散防止层，提高了LED芯片的可靠性。同时，由于LED芯片采用了反射层的设计，而不需要制作DBR(Distributed Bragg Reflection，分布式布拉格反射镜)反射结构，降低了LED芯片的工艺流程及成本。并且，本发明提供的第二类型半导体层的表面采用整面透明导电层设计，有利于第二类型半导体层表面的电流扩展。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110544737B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201910864541.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种具有改性区域的发光二极管及其制备方法，其中，所述具有改性区域的发光二极管的外延结构中处于最外侧的第一半导体层具有呈预设图案的改性区域，所述改性区域中的第一半导体层为绝缘膜层，且所述改性区域在所述衬底上的正投影与第一电极结构和第二电极结构在所述衬底上的正投影互不交叠，绝缘的改性区域在一定程度上增加了电流扩展层与外延结构的接触电阻，从而缩小电流扩展层与外延结构的接触电阻与电流在电流扩展层中的扩散电阻的差距，有利于促进外延结构中的电流向远离第一电极结构的外围扩展，进而改善现有技术中发光二极管的电流扩展效果不佳的现象。
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公开(公告)号：CN113078247A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110325072.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管，包括覆盖所述电流扩展层和所述外延片的裸露面及环形区的绝缘层，所述绝缘层包括位于所述电流扩展层处的第一通孔及位于所述台阶区处的第二通孔。可见，通过绝缘层覆盖电流扩展层、外延片的裸露面及环形区，提升绝缘层对外延片对电流扩展层的侧面及外延片的侧面的保护，有效隔离发光二极管的半导体材料与外界环境的水汽接触，保证发光二极管的可靠性高。
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公开(公告)号：CN110571315B
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN201910859367.1
申请日：2019-09-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括第一氮化镓层、有源层、第二氮化镓层，第一氮化镓层与第二氮化镓层的掺杂类型不同；位于第二氮化镓层背离衬底一侧预设区域的电流阻挡层；位于电流阻挡层背离第二氮化镓层一侧，覆盖第二氮化镓层的复合膜层，复合膜层包括层叠的欧姆接触层、绝缘点阵层、第一导电层，其中，绝缘点阵层包括多个不连续的绝缘单元；与第一氮化镓层背离衬底的一侧电连接第一电极；与复合膜层背离第二氮化镓层的一侧电连接第二电极。该LED芯片具有较高的电流横向扩展能力和较高的发光亮度。
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公开(公告)号：CN112242467A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202011125565.4
申请日：2020-10-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种LED芯片的制作方法，该方法包括：在衬底表面形成外延结构；在外延结构背离衬底一侧形成光刻胶掩膜层，光刻胶掩膜层具有至少一个通孔，通孔在衬底上的投影面积沿第一方向逐渐减小；以光刻胶掩膜层为掩膜，依次在通孔内形成金属反射层、覆盖金属反射层的金属阻挡层以及覆盖述金属阻挡层的金属导电层，以形成所述LED芯片的电极结构；其中，所述第一方向由所述衬底指向所述外延结构；所述金属阻挡层形成时的工艺温度大于所述金属反射层形成时的工艺温度，从而在提高LED芯片的发光效率，降低LED芯片的电极结构电阻率的基础上，提高金属阻挡层对金属反射层的披覆性。
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公开(公告)号：CN110429166B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910784793.3
申请日：2019-08-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片，将第一类型半导体层的台面划分有第一键合区和第一扩展区，且将电流扩展层的表面划分有第二键合区和第二扩展区，在提高第一反射电极和第二反射电极分别在第一扩展区和第二扩展区处的光反射率而减小光吸收率的基础上，同时通过第一粘结层和第二粘结层提高第一反射电极和第二反射电极处的结合强度，进而达到提高发光二极管芯片的出光亮度和内部结合强度的目的，提高了发光二极管芯片的可靠性。
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